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UPS不间断电源建议选用170N1F4A场效应管优化电路!

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2024-03-04 14:27 次阅读
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随着数字化、人工智能化的大时代推进,未来电力能源必然是核心竞争力的重要一环。如何确保电力能源的持续不间断,UPS不间断电源正是其中重要的产品之一。

比如说医疗行业、军事、电信和金融等行业都是需要依赖持续供电且无法承受停电的行业,因此UPS不间断电源的产品质量显得尤为重要。

而对于UPS不间断电源的生产研发厂家,今天飞虹半导体工程师可以给出的建议是170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号参数的场效应管来解决元器件的应用问题。

为何是选用170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等场效应管呢?这是因为这一款封装为TO-220封装的MOS管是广泛使用在UPS不间断电源中,得到电源厂商的认可,而且它的100V电压、172A电流参数也是很适合使用在UPS不间断电源中。

具体的产品参数我们再来复盘一下:

具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。

170N1F4A是一款N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220封装大小适合电路。

这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):172A;BVdss(V):100V。

最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A)、反向传输电容:33pF。

303778e6-d9dd-11ee-a297-92fbcf53809c.png

正因为该MOS管的上述参数,让开关速度快,低 Crss (典型值 33 pF),因此可以减少能量的损耗,从而进一步提高UPS不间断电源的工作效率,确保质量稳定。

如果需要选择强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号:170N1F4A型号参数来替换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号来应用。

172A 、100V的MOS管替换使用,选对的型号参数让企业产品力up。


审核编辑:刘清

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原文标题:百亿级市场,UPS不间断电源建议选用170N1F4A场效应管优化电路!

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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