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GD32的FLASH读、擦除、写操作

撞上电子 2024-02-19 12:46 次阅读

一,GD32的flash特征

1、在flash的前256K字节空间内,CPU执行指令零等待;在此范围外,CPU读取指令存在较长延时;

2、对于flash大于512KB(不包括等于512KB)的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD,使用了两片闪存;前512KB容量在第一片闪存(bank0)中,后续的容量在第二片闪存(bank1)中;

3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD,只使用了bank0;

4、对 于 GD32F10x_MD , 闪 存 页 大 小 为 1KB 。GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ,GD32F10x_XD,bank0的闪存页大小为2KB,bank1的闪存页大小为4KB;

5、支持32位整字或16位半字编程,页擦除和整片擦除操作;

二,GD32的flash结构

1、GD32F10x_MD

d596480a-cee1-11ee-9118-92fbcf53809c.png

GD32F10x_CL,GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD

d5d1b67e-cee1-11ee-9118-92fbcf53809c.png

三,GD32的flash读操作

flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。

value=*(uint32_t*)FlashAddr;

uint16_t IAP_ReadFlag(void){ return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR); }

四,GD32的flash擦除操作

每一页可以被独立擦除,步骤如下:

1,确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态;

2,检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态,若BUSY位为1,则需等待该操作结束,BUSY位变为0;

3,置位FMC_CTLx寄存器的PER位;

4,将待擦除页的绝对地址(0x08XX XXXX)写到FMC_ADDRx寄存器;

5,通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC;

6,等待擦除指令执行完毕,FMC_STATx寄存器的BUSY位清0;

7,如果需要,使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ fmc_page_erase(Page_Address);
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁}

要擦除连续的几页:

void fmc_erase_pages(void){uint32_terase_counter;
/* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock(); /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */ for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){ fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter)); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); }

/* lock the main FMC after the erase operation */ fmc_lock();}

全部擦除:

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock(); //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase whole chip */ fmc_mass_erase();
/* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁}

五,flash写

往flash的某个地址写入数据前,一般要先擦除该地址。

16位半字编程:

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag){ fmc_unlock(); fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR); fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag); fmc_lock();}

32位整字编程:

void fmc_program(void){ /* unlock the flash program/erase controller */ fmc_unlock();
address = FMC_WRITE_START_ADDR; /* program flash */ while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){ fmc_word_program(address, data0); address += 4; fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); } /* lock the main FMC after the program operation */ fmc_lock();}

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