0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

华为新专利:涉及晶圆处理装置和晶圆处理方法

5G 来源:5G 2023-12-19 11:33 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日国家知识识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“晶圆处理装置和晶圆处理方法”的专利获批。

专利摘要显示,本公开的实施例涉及晶圆处理装置和晶圆处理方法,提供的装置和方法能够提高晶圆对准效率和对准精度。

晶圆处理装置包括:晶圆载台,晶圆载台可沿旋转轴线旋转;机械臂,包括机械手,用于搬运晶圆并将晶圆放置在晶圆载台上;控制器;以及校准组件。

9bbcfad8-9cb0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

包括:光栅板,相对于晶圆载台固定;光源,相对于光栅板固定;以及成像元件,固定设置在机械臂上,并且适于接收从光源发出的、透过光栅板的光。

其中,控制器被配置成基于成像元件对接收到的光的检测,控制机械臂或机械臂上的调整装置来调整晶圆的位置。

在晶圆载台承载晶圆的情况下,光栅板和成像元件分别位于晶圆载台的上表面所在平面相对两侧,上表面用于承载晶圆。

9be10900-9cb0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 控制器
    +关注

    关注

    114

    文章

    17877

    浏览量

    195140
  • 成像元件
    +关注

    关注

    0

    文章

    3

    浏览量

    5959
  • 机械臂
    +关注

    关注

    14

    文章

    601

    浏览量

    26186

原文标题:华为新专利:晶圆对准效率、精度提高

文章出处:【微信号:angmobile,微信公众号:5G】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    精准诊断维修TCWafer测温设备#检测 #测温 #制造过程

    瑞乐半导体
    发布于 :2026年03月09日 10:29:06

    处理前端模块的技术特点与服务体系

    处理前端模块是现代半导体制造装备中的重要组成部分,承担着在超净环境中安全传输的关键任务。这类设备不仅要维持极高的洁净度标准,还必须实
    的头像 发表于 08-26 09:57 579次阅读

    清洗机怎么做夹持

    清洗机中的夹持是确保在清洗过程中保持稳定、避免污染或损伤的关键环节。以下是
    的头像 发表于 07-23 14:25 1479次阅读

    什么是贴膜

    贴膜是指将一片经过减薄处理(Wafer)固定在一层特殊的胶膜上,这层膜通常为蓝色,业内常称为“ 蓝膜 ”。贴膜的目的是为后续的切割
    的头像 发表于 06-03 18:20 1855次阅读
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>贴膜

    提高键合 TTV 质量的方法

    )增大,影响器件性能与良品率。因此,探索提高键合 TTV 质量的方法,对推动半导体产业发展具有重要意义。 二、提高键合 TTV 质量
    的头像 发表于 05-26 09:24 1381次阅读
    提高键合<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b> TTV 质量的<b class='flag-5'>方法</b>

    降低 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低 TTV(总厚度偏差)的磨片加工方法,通过对磨片设备、工艺参数的优化以及研磨抛光流程的改进,有效控制 TTV 值
    的头像 发表于 05-20 17:51 1549次阅读
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b> TTV 的磨片加工<b class='flag-5'>方法</b>

    减薄对后续划切的影响

    前言在半导体制造的前段制程中,需要具备足够的厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性。尽管芯片功能层的制备仅涉及表面几微米范围,但完整
    的头像 发表于 05-16 16:58 1633次阅读
    减薄对后续<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>划切的影响

    简单认识减薄技术

    英寸厚度约为670微米,8英寸厚度约为725微米,12英寸厚度约为775微米。尽管芯
    的头像 发表于 05-09 13:55 2996次阅读