一、使用MOS管防反接的理由
电池供电产品中, 防止电池反接是必需考虑的,最简单、最低成本的方案:在电源输入中串一个二极管。 但是,二极管有0.7V左右的压降, 3.3V过去后只有2.6左右了! 而且,这个0.7V的压降,本身是有功耗的,会增加电池的电量消耗,如果使用在7.4V左右的电压上,二极管本身的发热问题就比较严重。实际产品中,更常见的是通过MOS管来进行电池防反接。MOS管特性 ="0压降"+"大电流"。电压控制导通, 极少的电流损耗,且负载电流比二极管更大。
下面是理解图例:
二、实际应用原理图:
1:网上常见方案,是使用N-MOS管,因为N管的可选型号、替换型号比P管的数量要多很多。如常用的N管Si2302,仅需0.1元,性能杠杠的!
2:更实用的方案,使用P-MOS管。P管可以0V导通,N管的Vgs要大于阀值电压才能导通。P管隔离的是正极,N管隔离的是负极。通过上面两点得知,使用P管作防反接,效果比N管更好!注意:在栅极串连一个10K电阻,防止在电源反接时,MOS管烧坏。下面这图,从某开发板中截取。增加两个元件,防止输入反接发生,保护了开发板、锂电池。
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