MOS管的开启与关闭

MOS 管的开启与关闭

要研究这个自举的由来，我们还是先看一下 MOS 的开启与关闭。从上文得知，我们首先要分别看一下 NMOS 和 PMOS电源拓扑中的开关情况了。

上图中展示的 Bcuk 电路中选用的是 PMOS 来作为开关管进行斩波控制，因此，我们知道只需要在 Q1 的 Vgs 施加负电压就可以顺利打开 MOS
管 Q1。

但是，从MOS 管的生产工艺上我们了解到，PMOS 的导通电流往往做不到很大，相同成本下，NMOS 的导通电流可以做到更大，也就是 Rdson可以做到相对较低。因此Buck 电路中会将开关管从 PMOS 更换为 NMOS，如下图所示。

那么问题来了，当我们把 Bcuk 电路中的 PMOS 换成 NMOS 之后，我们如何在 MOS 管 Q1 上给出一个高电平呢？系统最高电压是40V，从上图看，我们需要在 MOS 的栅极给出 45V 以上的电压才能使得 Q1 完全导通。

因此，在高边 MOS 使用 NMOS 的 DC-DC 芯片设计中，就需要一个电路来进行自举，也就是产生一个高于系统输入电压的电压来打开高边的NMOS。又因为电容的体积问题，很难集成在 IC 内部，因此绝大部分的 DC-DC 芯片要求使用者在外面放置这个自举电容。