MOS管防反电路的原理分析

我们在研发产品时，我们为了保证产品的可靠性，我们会设计电源防反电路；这是为了防止电源错插，插反导致主板烧毁；为了防止这种情况的发生，我们在源头增加了这一道程序；

我们来看：

1. 在小电流场景下，我们一般可以用二极管来做防反电路，利用二极管的单项导电性；

下面左图中电源正接，电源经过D1，R5到地构成一个完整回路，而右图中电源反接，由于二极管单向导电，没有回路，因此截止；

为啥只能在小电流场景下，大电流下二极管电压降大，功率就大，发热就厉害；

2.我们来看NMOS管

我们知道NMOS管是GS压差大于开启电压才能导通，我们怎么利用电源？

如下图1，2中，2种电路在电源正接时均可以实现12V输出；那么是不是2种电路均可以适用？

我们之前说过，额外加载电路不能对原来电路造成影响，即反接的话也要对原来电路没影响才对；我们看：

在反接仿真时可以明显看出，左图输出接近0V，即无输出；右图中依然有输出，而且是负输出；

对于上述电路我们要注意，肯定有人会疑惑，NMOS管不是VGS电压大于阈值电压才开启么，上面右图怎么有输出咧，我们要注意MOS管还有个体二极管，这个二极管正向也会导通的；

上述电路我们优化下：

1. NMOS管栅极要做限流处理；
2. VGS电压不能超过手册中最大电压，还要留有余量，所以栅极电压我们做分压处理；

对于上述电路，我们将大电源电压分压成小电压给栅极，再在R4旁并联一个6V的稳压管，保证NMOS管的可靠性；

3.对于PMOS，我们类比NMOS管设计：

今天就到这里，感谢大家阅读；