GaN相关产品：助力应用产品进一步节能和小型化-电子发烧友网

一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面临着栅极耐压、控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度等方面的问题，针对这些课题，罗姆推出了以下产品和技术。

GaN HEMT驱动用

超高速栅极驱动器IC（单通道）

罗姆推出的BD2311NVX-LB（单通道）是一款非常适合用来驱动GaN HEMT的栅极驱动器IC。该产品不仅支持驱动GaN HEMT时的窄脉冲高速开关，而且还通过采用罗姆自有的过冲抑制电路，确保GaN的可靠性。

产品采用罗姆自有的驱动方式抑制栅极电压过冲，对普通GaN HEMT很有效 (栅极耐压6V)。同时支持通过高速栅极驱动产生窄脉冲，以超高速开关（纳秒量级的脉宽）驱动GaN器件。还可与GaN HEMT组合使用，可实现目标器件高速驱动，示例：激光二极管的窄脉冲驱动点亮(LIDAR)。

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EcoGaN Power Stage IC

“BM3G0xxMUV-LB”

罗姆结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

该产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，还支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET/以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

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650V耐压GaN HEMT

为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，罗姆推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

该产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，该产品还内置ESD保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，该产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。

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罗姆确立可以更大程度激发GaN器件性能的

“超高速驱动控制”IC技术

针对如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。罗姆进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，罗姆正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与罗姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

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150V耐压GaN HEMT

“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”

该产品通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。