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Micro LED产业链多个环节在技术已取得重大进展

高工LED 来源:高工LED 2023-10-21 17:12 次阅读

Micro LED技术何时才能实现突破?

LED龙头厂富采前董事长李秉杰认为,过去缩小Micro LED芯片就会遇到的发光亮度下降问题,目前在供应链齐心协力下持续获得改善,有望在2024年有所突破。

此外,目前已看到虚拟实境(VR)、扩增实境(AR)等革命性创新技术,相信未来产业界能够克服挑战,发挥在Micro LED领域的潜力。

据高工LED观察,今年9月份以来,Micro LED产业链多个环节在技术已取得重大进展,包括Micro LED芯片、Micro LED封装、Micro LED设备以及Micro LED材料技术等。

01韩国KOPTI研发高效Micro LED

韩国媒体报道,韩国光子技术研究院(KOPTI)宣布成功研发出高效精细Micro LED,Micro LED内部量子效率均可保持90%的范围内,并且不受芯片尺寸大小和不同的注入电流密度的影响。

这款产品解决了Micro LED因芯片尺寸缩小以及注入电流增加而导致的发光效率迅速下降的问题。KOPTI介绍,本次研究团队通过新结构减轻了外延层中的应力,提高了发光效率,并抑制了Micro LED在任何外部电场或结构下的物理应力变化。因此,即使Micro LED尺寸减小,新结构可依旧显著降低表面非发光复合损耗并保持了高发光效率,且无需采用钝化工艺。

KOPTI表示,团队已成功验证高效精细Micro LED在蓝光,以及氮化镓绿光、红光器件上的应用,未来有望通过该技术生产全彩氮化镓Micro LED显示器。

02台工研院研发出二合一Micro LED显示模块快速检测技术

近日,台湾地区工研院锁定色彩校正及光学检测两项核心要点,成功研发出高准确性二合一的“Micro LED显示模块快速检测技术”,能同时检测色彩及光源角度。

因为Micro LED尺寸很小,传统显示器量测设备镜头的相机像素无法满足检测需求,台湾地区工研院研发团队利用“重复曝光色彩校正技术”,以重复曝光方式达到Micro LED面板色彩的平衡,并通过光学校正技术分析色彩均匀度,达到准确量测目的。

再来,Micro LED因材料本身特性,具有较广的色域范围以及自发光特性,进而达到高对比及广视角,传统量测须靠转动仪器收集不同角度光源再进行检测,台湾地区工研院研发团队在既有的光学量测机台上,安装多角度收光镜头,通过一次集结不同角度的光源,再利用独创的软件分析技术,使光源同时呈现在同一个界面上,达到定点量测,大幅减少50%检测时间之外,更成功突破传统100度光源角度检测,扩大至约120度。

Micro LED其微型、低功耗及高亮度特性,可将传感器整合入同一模块,对于未来汽车内部,可提供互动智慧座舱特性,带动高沈浸的智慧化体验。

03瑞利光研发可独立调色双层Micro LED阵列

10月13日消息,由香港城市大学何志浩(Jr-Hau HE)教授及其衍生公司瑞利光(Rayleigh Vision)领导的微显示研究团队在Micro LED技术方面取得了重大进展,克服了当前的Micro LED技术局限性。

该团队展示了其叠层发光单元制造技术,新推出了双层Micro LED阵列,每层均可进行独立调色。据悉,该团队的Micro LED叠层工艺已获得初步验证,未来有望研发出RGB全彩Micro LED产品。

瑞利光表示,这项Micro LED技术的进步,预计将使当前平面显示器件的像素密度增加一倍及以上。显示器件具有高对比度、高亮度、宽色域、高效率、低功耗、长寿命等特点,适用于娱乐、消费电子和专业行业的广泛应用。

04JBD红光Micro LED亮度突破100万尼特

近日,Micro LED微显示器制造商JBD宣布,其自主研发的0.13英寸Micro LED红光芯片亮度突破100万尼特大关。

据介绍,本次红光实现100万nits亮度,得益于JBD在多项技术上的重大突破,包括在材料生长技术、非辐射复合抑制技术及光束发散角控制等方面。

新一代超薄AlGaInP外延技术和与之匹配的芯片钝化技术是红光Micro LED亮度提升的关键。据悉,JBD红光的像素尺寸为4um,而发光的LED尺寸<2um,这也对发光效率提出了更为苛刻的要求。

在此之前,JBD正式发布单片全彩垂直堆叠Micro LED微显示屏Phoenix(凤凰)系列原型。该系列产品设计用于50°以上FOV光波导方案的AR眼镜。

05Avicena推出Micro LED基收发器IC

近日,美国Micro LED基芯片到芯片光学互连技术开发商Avicena,展示了全球首款采用16nm FinFET CMOS工艺打造的Micro LED基收发器IC,带宽达到1Tbps。

该公司表示,与当前基于VCSEL或硅光子的解决方案相比,其基于Micro LED打造的LightBundle通信架构技术,可提供更低的功耗和延迟、更高的带宽和更低的成本。

据了解,本次Avicena通过全新16 nm FinFET工艺打造的IC,拥有超过300个通道,每个通过提供4Gbps带宽,超过1Tbps的双向总带宽。此外,IC尺寸小于12mm2,包含了光学发送和接收阵列电路,以及高速并行电气接口和各种测试设计、可制造性分析(DFT/DFM)功能。

06ETRI开发高效Micro LED封装技术

9月24日,韩国电子和电信研究所(ETRI)宣布,开发出一种新型芯片封装技术,可将半导体生产功耗降低95%,新技术使半导体产品生产效率更高且成本更低。

这种新技术采用了一种名为非导电薄膜(NCF)的新型薄膜材料,由ETRI通过其自研的纳米材料技术开发。新技术的应用,将半导体小型芯片封装工艺从复杂的九步工序,简化为三个简单步骤。

该技术可适用于包括Micro LED在内的所有高端半导体产品生产。该研究团队透露,已有几家Micro LED开发商参与评估该新技术,并且取得了非常积极的初步测试成果,该新材料有望在三年内实现商业化应用。

07国星实现7.5微米像素间距的微显示屏点亮

国星光电在投资者交流活动中表示,目前公司技术已经可实现7.5微米像素间距的微显示屏点亮,具有分辨率优、功耗更低等特点,可应用于智能手机、微投和AR/VR设备等多种产品中。

此外,在ALE 2023展会上,国星光电还重磅展出万级像素数字化大灯Micro LED光源。

据国星光电介绍,这款Micro LED光源采用了共晶键合技术,将微米级Micro LED蓝光芯片阵列整合集成到CMOS控制电路上,实现了Micro LED阵列中单个像素独立控制。光源通过搭配高光效白光转换介质,可实现万级像素高品质图像显示。

08诺视Micro LED像素垂直堆叠取得重大进展

9月12日,Micro LED微显示芯片公司诺视科技宣布近日成功打通垂直堆叠(VSP)工艺流程,实现AlGaInP和GaN材料体系的单片集成。

据介绍,该技术采用晶圆级堆叠(WLVSP)技术方案,在完成AlGaInP红光微显示芯片制备后,继续堆叠InGaN晶圆材料,可实现单个驱动背板上的像素垂直堆叠。

诺视科技表示,这是公司在点亮0.39英寸以及其全球最小的0.12英寸红、绿、蓝三原色微显示芯片后,在VSP技术上的又一突破,在完成全波段布局后,向单片全彩Micro LED微显示芯片更进一步。

09K&S展出雷射Mini/Micro LED芯片转移系统

今年9月,全球打线封装机台龙头库力索法(K&S)于SEMICON Taiwan 2023首度展示LUMINEX雷射Mini/Micro LED芯片转移系统。

作为雷射Mini/Micro LED芯片转移解决方案,LUMINEX专为小芯片、高精度、高产能芯片转移设计,可通过多种操作模式进行,在扫瞄模式下,速度达到1万赫兹。

此外,LUMINEX也可以应用到Micro LED制程,目前已在40μmx80μm芯片的直接贴装制程上达到4μm 3σ精度,同时也适用Micro LED封装(MIP)应用。

K&S先前还宣布与LCD SMT解决方案提供商TSMT(台湾地区表面黏着科技股份有限公司)合作,推进MiniLED背光和直显应用。

10季华实验室展示Micro LED巨量检测系统

9月6日,在第二十四届光博会上,季华实验室展示了"Micro LED晶圆级光致发光巨量检测系统"。

据介绍,"Micro LED晶圆级光致发光巨量检测系统"相关技术能够实现无损、非接触式、高稳定性、快速巨量检测,是晶圆级检测设备的核心单元。

11利亚德Micro LED电影屏通过DCI认证

近日,利亚德P0.9间距Micro LED电影屏(长3.8米,高2米)正式通过DCI权威认证,成为全球首块影院级Micro LED产品。

据悉,利亚德通过DCI认证的Micro LED电影屏,采用Micro LED全倒装晶片及封装技术,色准、对比度、画面均匀度等光学参数均符合电影工业级要求;一体化集成影院播放系统,支持数字影院标准格式DCP;100000小时寿命,采用无机自发光原理。

此外,该Micro LED电影屏采用拼接箱体,模块化运输安装,便捷易用,适用私宅影音室、客厅,商业影院VIP厅等各种场景。

12晶能首发硅衬底InGaN基三基色外延

近日,晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。

据晶能光电副总裁付羿博士介绍,大尺寸硅衬底Micro LED外延生长对GaN晶体质量、外延翘曲、外量子效率、光电一致性和InGaN红光MQW等关键技术开发带来了更严苛的挑战。

此次12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝三基色Micro LED产业化外延技术的发布,表明晶能光电利用其硅衬底GaN基LED技术不断的创新迭代能力,已经初步攻克上述关键技术挑战,为后续技术和工艺的优化和完善铺平了道路。

总体来说,Micro LED在各方面遭遇的挑战,汇集起来就是个综合性、循环性的问题,但目前供应链已持续解决当中,未来随着技术的日益成熟,将为产业带来更多的机会。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:Micro LED技术难破?国星、利亚德、晶能等放“大招”

文章出处:【微信号:weixin-gg-led,微信公众号:高工LED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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