共源MOS放大器的CGD分布电容—极点裂变的效果

根轨迹分析法是通用分析方法，不是具体的补偿操作方法，下面介绍的极点分裂法是一种具体的电路操作方法：

极点分裂法是指采用某种措施使得环路的两个极点彼此远离，理想情况下远离后两极点的乘积应保持不变，即系统的无阻尼自由谐振频率不变，但阻尼系数会变化，实际情况，自由谐振频率也在变化，只是相对变化量小于阻尼系数的相对变化量而已。

下面以共源MOS放大器的CGD分布电容为例说明极点裂变的效果：

应用米勒等效可得：

其

Rs>>Cgs的阻抗，可以忽略Rs,得到以上等效电路图，

上式的估算误差主要是遗漏了Cgd导致的一个零点，此零点为

，现严格推导如下：

零点的计算还有一种不太严密的方法：所谓零点就是输入变化，输出不变的频率点

小结：

在输入与反向输出端跨接反馈电容(注意此例中的CGD不是外接的，但这不影响结论)，会让输入极点靠近原点，输出极点基本保持不变，现成极点分离现象，让输入极点逐渐成为主极点，其动态特性、频率带宽都主要受输入极点影响和控制。此时还会引入一个右半平面的零点，零点为

为提高稳定性，实际的反馈也可改为RC串联的形式，例如：

对于晶体管电路的结论与上述类似，就不再重复：