慧能泰半导体HUSB251通过UFCS充电功能认证

9月26日，慧能泰半导体旗下的供电协议芯片HUSB251通过UFCS功能认证，获得“融合快速充电功能认证证书”。

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HUSB251产品概要

HUSB251是一款PD DRP双向快充协议芯片，符合USB PD3.1协议规范，最大输出输入电压28V；通过固件配置可实现PPS、28V EPR FPDO和EPR AVS，及自定义PDO。

当工作在Source模式下时，DPDM PHY支持可编程的专有协议：BC1.2和5V2.4A、QC2.0/3.0+、AFC、FCP、SCP，以及国内首个融合快充协议UFCS。

当工作在Sink模式下时，DPDM PHY支持可编程的专有协议：BC1.2、QC2.0/3.0+、UFCS。HUSB251具有32K EPPROM, 一组master/slave和UART, 独立DPDM PHY, PD PHY, 电压电流环路控制及通用的GPIO和ADC。可适用于电动工具、便携式储能、充电器、笔记本、平板等应用。

慧能泰HUSB251100W PD3.1 双向快充应用参考设计方案支持最大双向100W PD快充；通过控制PMIC的FB实现电压调整，同时也可以通过I2C控制PMIC实现充放电控制。

HUSB251参考设计方案支持4 串电芯配置，采用全栈 PD DRP 协议，支持 5/9/15/20V @5A,最高可定制为140W以及28V输出的 PD3.1 DRP 应用，方案具备灵活的 VDM 报文扩展能力和完备的系统充放电功率策略。

参考设计方案采用 RISC-V 内核的HUSB251完成协议识别和充放电管理，控制双向 BUCK-BOOST 电源管理芯片，完成功率转换。

HUSB251 内置高性能32位 RISC-V 微处理器内核和32K EPPROM、8K RAM充足的空间供用户进行自定义开发，同时支持在线升级。

HUSB251使用了软硬结合的灵活可编程架构，内部采用 TCPM/TCPC 分层架构，用于Type-C 接口检测与数模电路控制。集成的PD PHY 层可实现BMC和CRC自动计算，同时可实现协议的冲突机制。

HUSB251芯片致力于打造开放平台和差异化应用的设计理念，设计人员可以更合理有效地利用芯片上 MCU 的资源，简化差异化应用软件的设计，缩短系统开发时间，同时更好地保证系统的实时性和可靠性，完美实现 PD+MCU 的应用开发。

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性能实测

看完了上面的方案介绍，下面再来看看慧能泰HUSB251 参考设计方案的实际性能表现。

将HUSB251DRP 100W EVB的BAT+/BAT-接电池包，使用 Power-Z KM003C 读取 PDO 报文，显示其支持5V3A、9V3A、15V3A、20V5A 五组 SPR 固定电压档位，3.3~21V5A 一组 PPS档位，28V5A 一组 EPR 固定电压档位，以及 14~28V 一组 AVS 档位。

将HUSB251PD3.1 DRP 100W EVB 同过POWERZ诱骗20V，进行放电测试：

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产品特性

双向 100W DRP, 自动识别 E-mark 线材；

自动检查插入适配器，智能选择充电电压和电

流；

支持 4 节串联电池充电，电池电压和串联数量

可定制；

普通线材输出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A,3.3V~11V

/3A, 3.3V~21V/3A

E-Mark 线输出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/5A,20V/5A,3.3V~11V

/5A, 3.3V~21V/5A

支持 TYPEC 端口升级；

支持 SCP, OVP, OCP，UVP 等各种保护；

支持双环路控制，即电压环路和电流环路。

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慧能泰的UFCS产品布局

作为UFCS融合快充协议的重要参与制定者，慧能泰除了此次获得认证的HUSB251之外，另还有多款支持UFCS的产品正在开发中。在推进充电接口技术融合的道路中，慧能泰凭借自身多年的技术积累，始终秉承“芯智慧芯能源，共建绿色未来”的企业使命，不断开拓创新，提高资源利用率，用“芯”推动融合快充应用落地，积极构建终端快充产业新生态！

审核编辑：刘清