有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统可对Wafer的关键尺寸进行检测,对套刻偏移量的测量,以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量,包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台,最大可支持12寸Wafer的自动测量,配置扫描枪,可实现产线的全自动化生产需求。
一.系统的布局结构1. 上料/下料区:Robot自动抓取Wafer至寻边器平台;2. 定位区:寻边器对Wafer自动轮廓识别,旋转校正到设定姿态;3. 测量区:自动测量平台,包含2D和3D测量模组,内部有温湿度监控及除静电装置。 1.上下料区:Robot自动上下料

Robot自动上下料
2.定位区:寻边器自动识别出wafer轮廓,旋转校正到设定姿态
Robot将Wafer放在寻边器上

自动识别出wafer轮廓
3. 测量区:自动测量平台

自动测量平台
二.应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量

2.镭射切割槽测量

3.表面粗糙度测量

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
监测系统
+关注
关注
8文章
3027浏览量
84229
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
EV Group实现在芯粒集成混合键合套刻精度控制技术重大突破
全新EVG®40 D2W套刻精度计量系统实现每颗芯片100%测量,吞吐量达行业基准15倍 2025年9月8日,奥地利圣弗洛里安 ——全球领先的先进半
wafer晶圆厚度(THK)翘曲度(Warp)弯曲度(Bow)等数据测量的设备
测量。
(2)系统覆盖衬底切磨抛,光刻/蚀刻后翘曲度检测,背面减薄厚度监测等关键工艺环节。
晶圆作为半导体工业的“地基”,其高纯度、单晶结构
发表于 05-28 16:12
瑞乐半导体——TC Wafer晶圆测温系统持久防脱专利解决测温点脱落的难题
过程中的温度变化数据,为半导体制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。【核心技术】防脱落专利技术:TCWafer晶圆测温系统
提供半导体工艺可靠性测试-WLR晶圆可靠性测试
随着半导体工艺复杂度提升,可靠性要求与测试成本及时间之间的矛盾日益凸显。晶圆级可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技术通过直接在未封装晶
发表于 05-07 20:34

有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统助力半导体产业发展
评论