0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

珠海创飞芯科技130纳米工艺制程的eFuse OTP IP 核成功量产

珠海创飞芯科技有限公司 来源:珠海创飞芯科技有限公司 2023-06-15 15:44 次阅读

珠海创飞芯科技有限公司作为国内首家一站式非易失存储IP 供应商,将先进的OTP(一次性可编程存储器)、NOR闪存和NAND SLC(单层单元)闪存技术推向市场。此外,创飞芯还为IP产品组合提供OTP(一次性可编程存储器)/NTP(少次可编程存储器)/MTP(多次可编程存储器)/eFlash(嵌入式闪存模块)技术,为客户提供全方位、一站式存储IP定制服务和IP授权服务,满足其广泛的应用需求。产品支持车规级可靠性 AEC-Q100 认证。瞩目的是,我司近期基于130纳米逻辑制程研制的eFuse OTP IP核按照JEDEC标准通过了所有项目的可靠性认证测试,测试温度覆盖-40°~ 125°。该OTP IP核已成功应用在图像传感器芯片,实现规模量产。

近年来,创飞芯在OTP IP领域默默深耕,不断创新,与国内外先进晶圆制造厂商如:中芯国际、上海华力、上海华虹、三星、合肥晶合、粤芯半导体、矽佳等主流代工厂都建立了深度战略合作关系。

eFuse(电子熔断器)是一种可编程电子保险丝,用于存储信息和保护芯片的非易失性存储器件。eFuse(电子熔断器)覆盖芯片保护、电源管理、电路校准等多种应用场景。在芯片保护方面,它可用于防止电路被过电压或过电流损坏,也可用于防篡改、防破解等;在电源管理和电路校准方面,eFuse(电子熔断器)均可用于控制电流和电压,确保电路正常工作,也可以用于校准电路参数,例如时钟频率和电流偏置等。eFuse(电子熔断器)体积小、功耗低、可编程性强、可靠性高、不易被擦除,广泛应用在集成电路中。

随着国内集成电路行业的高速发展,创飞芯努力抓住国产替代机遇,布局国内IP市场以及主流工艺,持续增强核心竞争力,争取成为国内IP产业领军企业。
责任编辑:彭菁

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电压
    +关注

    关注

    45

    文章

    5091

    浏览量

    114430
  • 纳米
    +关注

    关注

    2

    文章

    678

    浏览量

    36683
  • 熔断器
    +关注

    关注

    6

    文章

    431

    浏览量

    31176

原文标题:基于130纳米工艺制程的eFuse OTP IP 核成功量产

文章出处:【微信号:gh_6a5c2181f193,微信公众号:珠海创飞芯科技有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    关于FPGA IP

    对于深入学习使用FPGA的小伙伴们,特别是一些复杂的、大规模的设计应用,适宜的IP核对开发能起到事半功倍的作用。IP的概念与我们sdk里库的概念相似。IP即电路功能模块,用户可以直接
    发表于 04-29 21:01

    珠海创飞芯近日宣布其基于55纳米高压工艺制程OTP IP已实现上架

    珠海创飞芯科技有限公司,作为国内领先的一站式存储NVM IP供应商,近日宣布其基于55纳米高压(55HV 1.2V/6V/32V Process)工艺
    的头像 发表于 04-19 14:05 141次阅读

    为什么45纳米130纳米工艺节点如此重要呢?

    如今,一颗芯片可以集成数十亿个晶体管,晶体管排列越紧密,所需的工艺节点就越小,某些制造工艺已经达到 5 纳米甚至更小的节点。
    的头像 发表于 04-11 15:02 128次阅读
    为什么45<b class='flag-5'>纳米</b>至<b class='flag-5'>130</b><b class='flag-5'>纳米</b>的<b class='flag-5'>工艺</b>节点如此重要呢?

    创飞芯宣布针对90纳米CMOS图像传感器工艺制程上的OTP IP成功量产

    珠海创飞芯科技有限公司(简称“创飞芯”“CFX”),国内领先的一站式存储NVM IP供应商,近日宣布在全球排名前五的晶圆代工厂中,针对90纳米CMOS图像传感器(CIS)工艺
    的头像 发表于 04-10 17:03 231次阅读

    台积电领跑半导体市场:2纳米制程领先行业,3纳米产能飙升

    台积电预期,目前营收总额约 70% 是来自 16 纳米以下先进制程技术,随着 3 纳米和 2 纳米制程技术的贡献在未来几年渐增,比重将会继续增加,预估未来成熟
    的头像 发表于 02-21 16:33 370次阅读

    三星计划:3年内实现2纳米量产

    10月19日,韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上,三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略,宣称将在未来3年内量产2纳米制程
    的头像 发表于 11-01 15:07 452次阅读
    三星计划:3年内实现2<b class='flag-5'>纳米</b><b class='flag-5'>量产</b>

    台积电计划于2025年量产2纳米

    其中,2纳米芯片的制程技术要求极高,需要采用全新的晶体管架构、高精度材料和设备,同时对制程参数的精度和稳定性要求更高,因此需要研发更加先进的制程技术。
    的头像 发表于 10-20 15:37 341次阅读

    MediaTek采用台积公司3纳米制程生产的芯片已成功流片,预计2024年量产

      2023 年9月7日 – MediaTek与台积公司今日共同宣布,MediaTek首款采用台积公司3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,预计将在明年量产。MediaTek
    发表于 09-07 10:14 83次阅读

    MediaTek 采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片,预计 2024 年量产

    MediaTek 与台积公司今日共同宣布,MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,预计将在明年量产。MediaTek 与台积公司
    的头像 发表于 09-07 09:30 272次阅读
    MediaTek 采用台积公司 3 <b class='flag-5'>纳米制程</b>生产的芯片已<b class='flag-5'>成功</b>流片,预计 2024 年<b class='flag-5'>量产</b>

    新思科技IP成功在台积公司3nm工艺实现流片

    基于台积公司N3E工艺技术的新思科技IP能够为希望降低集成风险并加快首次流片成功的芯片制造商建立竞争优势
    的头像 发表于 08-24 17:37 698次阅读

    台积电高雄厂将以 2 纳米先进制程技术进行生产规划

    " 中央社 " 消息,台积电将于 2025 年实现2 纳米制程量产,采用纳米片晶体管结构。此外,台积电还在2纳米技术上研发出背面电轨解决方案,这将适用于高效能运算相关应用。台积电计
    的头像 发表于 08-09 18:21 665次阅读

    凌嵌入式国产平台大盘点之瑞微系列

    分类带大家一起盘点。 本篇文章,为大家介绍的是瑞微系列的核心板。 瑞微电子 × 凌嵌入式 2020年至今,凌嵌入式已基于瑞微R
    发表于 08-05 11:12

    三星电子2nm制程工艺计划2025年量产 2027年开始用于代工汽车芯片

    外媒在报道中提到,根据公布的计划,三星电子将在2025年开始,采用2nm制程工艺量产移动设备应用所需的芯片,2026年开始量产高性能计算设备的芯片,2027年则是利用2nm
    的头像 发表于 06-30 16:55 502次阅读

    三星3纳米良率不超过20% 将重新拟定制程工艺时间节点

    三星最新公布的制程工艺技术路线图显示,该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺,以满足客户对高性能处理器的需求。此前,三星已于今年公
    的头像 发表于 06-29 16:26 1308次阅读

    OTPEFuse有什么不同呢?

    相信大家经常听到OTPEFuse,是芯片内部用于存储信息的常用单元,广泛应用设备识别,授权管理,数据保护等领域,如:芯片UUID,根密钥等信息;
    的头像 发表于 06-25 17:31 3529次阅读
    <b class='flag-5'>OTP</b>与<b class='flag-5'>EFuse</b>有什么不同呢?