半导体基础元器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日首次宣布推出 80 V RET(配电阻晶体管)系列。
80 V RET 系列
配电阻晶体管(RET)

利用节省空间和成本的解决方案减少器件数量并简化电路设计
主要特性和优势
± 10%电阻比容差
降低贴片成本
内置偏置电阻
减少器件数量
100 mA、500 mA和最高600 mA的输出电流能力
简化电路设计
这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于 48 V 汽车板网(如轻度混合动力和 EV 汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以(找元器件现货上唯样商城)前的 50 V 器件无法处理。
通过在与晶体管相同的 SOT23(250 mW Ptot)或SOT323(200 mW Ptot)封装中组合偏置电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363 封装还提供双 RET(两个晶体管和两个匹配偏置电阻),Ptot 为 300 mW,可实现更高集成度并节省更多成本。
新系列(NHDTx和NHUMx)包括 42 个具有 PNP/NPN 组合的器件,这些器件带有与 Nexperia(安世半导体)的 50 V 器件相同的偏置电阻组合。器件具有 100 mA 的电流能力,并已获得 AEC-Q101 认证。
审核编辑黄宇
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