GE科学家团队展示可承受超过 800°C的 SiC MOSFET

6月1日，据GE官网消息，来自GE Research的一个科学家团队创造了一项新记录，他们展示了可以承受超过 800 摄氏度温度的 SiC MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这比以前已知的这种技术的演示至少高出200摄氏度，也进一步显示了SiC MOSFET支持未来在极端工作环境中应用的潜力，这也打破了大多数电子专家认为这些器件可以实现的目标。

随着GE的航空航天业务为其现有的商业和军事客户不断提高航空系统的先进性，并寻求实现支持太空探索和高超音速飞行器的新应用，建立一个能在极端工作环境中发挥作用的电子器件组合将是至关重要的。三十多年来，GE在SiC技术方面建立了一个世界领先的产品组合，并通过航空航天业务为航空航天、工业和军事应用销售一系列基于SiC的电力产品。

GE Research 微电子首席工程师 Emad Andarawis 表示，使用 SiC MOSFET 实现高温阈值可以为太空探索和高超音速飞行器的传感、驱动和控制应用开辟一个全新的领域。而要打破太空探索和高超音速飞行的新障碍，就需要能够处理极端高温和工作环境的强大、可靠的电子系统。他们展示的可以承受超过 800 摄氏度的 SiC MOSFET，就是实现这些关键任务目标的一个重要里程碑。

GE 的SiC MOSFET可以支持开发更强大的传感、驱动和控制，为太空探索提供新的可能性，并使高超音速飞行器的控制和监测速度达到MACH 5，或超过3500英里/小时，这相当于今天典型的商业客运航班速度的六倍多。

Andarawis 指出，电子行业在采用 SiC 的高温电子产品方面已经取得了许多令人振奋的发展。NASA展示了能够耐受超过 800 摄氏度阈值的 SiC JFET。长期以来，传统观点认为 SiC MOSFET 在高温下无法提供与 JFET 相同程度的可靠性和耐用性。SiC MOSFET中栅极氧化物的新进展，以前一直是温度和寿命的限制因素，现在已经大大缩小了差距。

Andarawis 和 GE Research最近的演示表明，MOSFET可以扩大可考虑的选项组合。这建立在SiC电子技术领域不断增长的工作基础上，GE航空研究人员正处于领导工作的前沿。该团队目前正在与NASA 合作开展一个项目，应用新型SiC光电二极管技术开发和展示一种紫外线成像仪，以加强对金星表面的太空任务。GE Research 还在洁净室设施中制造 NASA 的 JFET，这是他们为外部半导体合作伙伴所做工作的一部分。

洁净室设施是 GE 在 SiC 研究中的主要焦点。它是一个 28，000 平方英尺的 100 级（通过 ISO 9001 认证）设施，位于 GE 位于纽约州尼斯卡尤纳的研究园区。该设施可以支持从研发到小批量生产的技术，并将技术转移到支持 GE 内部产品或选定的外部商业伙伴的大批量制造。