Airfast GaN射频晶体管带来大量创新设计理念
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管，采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出，可填充多个频段，在48 V下运行时，能效提升超过50%，增益超过13 dB。
面向各种市场的多功能GaN解决方案
A3G26D055N用途广泛，其应用范围为100-2800 MHz，适用于各种市场，包括移动通信基础设施、射频能源和宽带通信。
在恩智浦RF 5G移动通信基础设施大功率产品组合中，这款低于6 GHz的器件在2.6 GHz移动通信频段下运行，功率为39 dBm，平均功耗为8 W。它可用于5G mMIMO射频单元（64T64R），也可作为宏射频单元（如4T4R天线系统）的驱动器，用于不到1GHz的移动通信频段。
固态射频能量是一种可靠的热源和电源。A3G26D055N用途广泛，可作为射频能量驱动器在2.45 GHz ISM频段使用，适用于烹饪、工业加热和焊接应用。此外，它还可用作25W连续波的低功耗末级驱动器，适用于医疗和工业应用。
这款A3G26D055N还非常适合在恶劣条件下运行的宽带通信，如100-2800 MHz范围内的宽带战术通信、25W连续波宽带低功耗末级驱动器、航空航天和国防产品组合中MMRF5014H或MMRF5018H的驱动器。
审核编辑：郭婷
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
185文章
18720浏览量
261611 -
驱动器
+关注
关注
54文章
9027浏览量
153538 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10285浏览量
146488
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC电源：前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。
发表于 09-28 15:15
•4782次阅读
iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN
Airfast射频功率解决方案
Airfast系列是飞思卡尔推出的下一代RF LDMOS产品，通过把创新技术与系统级平台相结合，使其在增益、功率、线性、功率密度、效率都有了质的飞跃。飞思卡尔还提供了配合DPD的整个链路解决方案，可
发表于 07-02 13:31
NPT2020射频晶体管
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3
发表于 09-26 09:04
英飞凌700瓦L波段射频功率晶体管
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
发表于 11-29 11:38
直接驱动GaN晶体管的优点
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
发表于 10-27 06:43
什么是GaN透明晶体管？
晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
发表于 11-27 16:30
CGH40010F氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
发表于 12-03 11:51
电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并
发表于 01-19 16:48
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
发表于 04-01 10:35
用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
发表于 06-15 11:43
氮化镓晶体管GaN的概述和优势
10个FiT目标已经达到开始批量生产的最低可接受水平。 应用的稳健性 除了对影响器件固有可靠性和寿命的关键因素进行大量测试外，Panasonic X-GaN晶体管还通过设计提供稳健性，有助于应用电
发表于 02-27 15:53
飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管
日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管
发表于 06-09 10:18
•2172次阅读
恩智浦发布Airfast 3射频功率晶体管
智浦半导体NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代产品，首发的是四颗用于蜂窝通信宏基站重点 LDMOS晶体管方案。全新Airfast 3在技术上达到了新的里程碑，在
发表于 11-25 16:16
•1309次阅读
GaN晶体管的应用场景有哪些
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性，使得
工商网监
评论