外接电容越大晶振起振越慢吗？
外接电容越大？晶振起振越慢?
首先说明的是:但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外，注意区分外接电容C1和C2（接地电容，对地电容）并不等同于晶振负载电容（CL）。C1和C2是电路板和包括IC和晶振在内的组件的总电容值。
一般情况下，增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降，即偏负向。举例，若无源晶振12MHz的外接电容为18PF，实际输出频率为12.002876MHz。更改外接电容为27PF之后，该晶振的实际输出频率会有所降低，如：11.9998923 MHz。
晶振的外接电容越大，晶振的振荡越稳定，但是会增加起振时间，即晶振起振慢，其原理是外接电容会存储更多电荷，即降低电流强度，从而降低电路提供给晶振起振的激励功率。
当无源晶振的输出波形出现削峰、畸变时，这一般是由于电流过驱动（over drive）导致，可以尝试通过串联一颗电阻解决，电阻值一般在几十kΩ~几百kΩ。如果要稳定波形，则可尝试并联一颗1M反馈电阻。
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
无源晶振
+关注
关注
1文章
793浏览量
15319 -
负载电容
+关注
关注
0文章
128浏览量
10273 -
反馈电阻器
+关注
关注
1文章
40浏览量
5161
原文标题：外接电容大小与晶振起振快慢关系
文章出处：【微信号：晶科鑫，微信公众号：晶科鑫】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
晶振的外接电容值选择不当，会对电路产生什么影响？
如果晶振的外接电容值选择不当，可能会对电路产生以下影响 ：
1.频率稳定性： 电容值过小可能导致频率稳定性下降，容易受到外界因素的干扰。电容
发表于 03-04 11:33
STC89C52RC 晶振起振问题
`前几天做了个板子，用的是STC89c52RC贴片的，我用的晶振为3.58MHz的，晶振两引脚分别接了个22pF的电容。给芯片第一次供电，我
发表于 05-27 15:21
请问ADE7880为什么换用5.9MHZ晶振起振，晶振电容都是20PF
ADE7880最小系统：AVDD,DVDD,REF都正常,使用16.384MHZ晶振不起振，为什么换用5.9MHZ晶振起
发表于 08-28 14:41
晶振起振区别描述
1、 系统1) 晶振起振区别描述：启动时间，GD32 与STM32 启动时间都是2ms，实际上GD 的执行效率快，所以ST 的HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t
发表于 08-02 08:03
晶振旁外接电容的选择
晶振旁外接电容的选择现阶段的浅显认识，参考了很多别人的文章。以后如果有新的认识后会继续补充。 负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的
发表于 11-16 16:36
•3次下载
如何区分晶振的负载电容与外接电容问题
在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。
发表于 10-15 11:28
•242次阅读
如何区分晶振中负载电容与外接电容的问题？
在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。
发表于 11-02 09:46
•145次阅读
工商网监
评论