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解开VO2的那个结

中科院半导体所 来源:量子材料QuantumMaterials 作者:Ising 2022-08-30 15:07 次阅读

量子材料,从最核心的电子关联概念出发,所面对的最常见物理效应,可能非莫特相变 (Mott transition) 或莫特绝缘体 (Mott insulator) 莫属了。莫特绝缘体,最直观和明确地展示了量子材料的精神,包含了一大类体系。如果按照布洛赫定理和能带理论去讨论,它们应该是导体,但实际上由于电子 - 电子关联作用而呈现绝缘体的性质。与此对应,所谓莫特转变,就是从金属向绝缘体的转变 metal - insulatortransition (MIT)。此不过量子凝聚态的基本概念之一而已,但却是量子材料各种物理研究的基石,其重要性无需反复强调。

这一效应的出现,可以有很多驱动方式,其表现也可以有多种模式,如图 1 所示即为一类。最常见的驱动,即温度变化。随着温度下降,热涨落和电子动能降低,电子关联效应凸显出来,发生 MIT 在物理上水到渠成。从 MIT 的基本图像看,很多过渡金属化合物,特别是过渡金属氧化物体系,其中电子关联强度(例如在位库伦相互作用 on - site Coulombinteraction U) 一般都在 ~ 1.0 eV 量级。对凝聚态或者固体中的电磁效应而言,这是一个很大的能量尺度。所谓强关联相互作用,意即如此。如果与我们通常感受到的、一个电子在室温温度下的动能 (~ 25 meV) 相比,eV 量级的电子关联显得强大很多。熟悉固体能带理论的读者都能明白,因为多电子关联与共存特征,大多数莫特绝缘体实际的 MIT 转变温度要低一些,但依然可以较高。MIT 发生在室温附近的体系并不罕见。如果刻意去选择,得到 MIT 转变温度远高于室温的莫特绝缘体,也并不是难事。

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图 1. 莫特金属绝缘体转变 MIT 的电输运表现 (上部) 和能带表现 (下部)。

Y. Zhou et al, Proceedings of the IEEE 103, 1289 (2015),https://ieeexplore.ieee.org/document/7137616/

稍有不同的是,如果我们翻阅在温度坐标轴上研究 MIT 的相关文献,很容易看到大多数被关注的体系之 MIT 都发生在室温之下,MIT在 100 K 附近的体系占据了绝大多数。Ising 乃此中外行,窃以为主要的原因在于:

(1) 凝聚态物理在方法论上,一贯注重选择较为干净的环境、选择尽可能单一的物理机制开展研究。低温条件是展示干净物理的一个有效手段。另外,凝聚态物理人放眼基态之外的低能激发态,一般情况下能量都在 meV 量级。创造一个好的低温环境,以凸显这些激发态,更是学科目标使然。

(2) 从应用角度看,量子材料关注的电、磁、声、力效应,其能量尺度大多比 eV 量级要低。温度较高时,热涨落可能是固体物理最复杂和“dirty”的因素,室温以上的热涨落足够将固体物理关注的问题都淹没于海洋之中。

(3) 固体物理,除量子效应之外,对称性破缺导致的晶体结构相变也是备受关注的对象。这些相变在能量上环绕 eV 左右,如果 MIT 温度很高,意味着对应的量子能量尺度较大,莫特转变与晶格结构相变纠缠起来,就会遮蔽量子材料人的眼睛。这绝对不是好事情!

事实上,如上第(3) 点,的确不是想象,而是我们经常碰到的现实。一个最著名的例子,便是 VO2 体系中的 MIT 转变。这是为数不多的、MIT 转变温度位于室温附近 (~ 340 K) 的莫特绝缘体,其低温区是绝缘相、高温区是金属相。对 VO2 的关注,不仅仅因为它是一个典型的莫特绝缘体,更多的原因在于 MIT 转变温度很接近室温,给与我们应用它的广阔想象。这里,MIT 前后的电阻变化可以达到 3 – 4 个数量级,也导致其光学透明度对温度极为敏感。因此,VO2成为温度传感、光电转换等领域应用的候选材料,其中智能窗户应该已经投放市场。这种有明确应用加持的莫特 MIT 体系,想不引起关注都难。

问题是,物理世界有这么美好的对象,早就应该是物理人争先恐后的目标、早就应该被人研究得清清楚楚了。那好吧,殊不知,实际情况还真不是这样:也许就是因为 MIT 温度高,我们看到与 MIT 同步,VO2发生了高温下的金红石相 (tetragonal rutile phase)到低温下的单斜相(monoclinic M1 phase) 转变 (structural phasetransition, SPT)。这个结构转变,还伴随着导致电荷密度波 CDW 的派尔斯相变 (Peierls ordering),如图 2 所示。

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图 2. VO2 体系的两种晶体相:高温下的金红石相 (R-VO2) 和低温下的单斜相 (M1-VO2)。其中,红球乃 V 离子、绿点乃 O 离子。高温相中,V 离子构成等间距链排列,被周围 O 离子包围。低温相中,V 离子形成两两靠近的 V – V dimer,彼此扭折,形成电荷的起伏,即所谓的 CDW 相。

Wasim Raja Mondal et al, Phys. Rev. B 103, 214107 (2021),https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.103.214107

于是,这里就出现了纠结:到底是莫特转变触发了派尔斯晶格相变?还是晶格相变触发了莫特转变?比对一般的 MIT 转变,如此高温区段,这个 MIT 前后材料电输运性能有异常大的变化 (电阻变化几个量级),此也不大正常!

这不是一个简单的纠结,而是让量子材料人魂牵梦绕多少年的老大难。即便抛开应用和性能调控不管,量子材料人花费了很多精力、心思和智慧,希望能够解开其中的纠缠或者死结:如果是结构相变诱发 MIT,那很平常,物理上的精彩程度要差一些,毕竟金红石和单斜相电子结构不同,输运行为迥异可以理解。反过来,如果是 MIT 诱发的结构相变,其中物理就更为精彩一些。毕竟,莫特物理能够驱动结构相变,属于罕见之象,说明个中渊源值得关注,或者说这里的莫特物理一定有别于一般关联体系中的物理。

对这一效应的认识,再啰嗦重复一遍,目前大概是这般模样:

(1) 在 340 K 那里,一个转变是 MIT 转变,伴随莫特物理;一个转变是结构相变 SPT,乃是派尔斯 (Peierls) 结构失稳物理,伴随 CDW 有序转变;

(2) 高温区的四方金红石相,由等间距的 V 离子链沿 c 轴方向形成等距离离子链而成,结构如图 2 所示。低温区的单斜M1相,则呈现 V – V 两两靠近、形成 V – V dimers;离子链也出现了 zig – zag 扭曲,构成了电荷密度波 CDW,如图 2 所示。

(3) 莫特量子相与晶体结构相的密切联系,给物理人启示,似乎低温的单斜相应该是莫特绝缘基态。但是,大量细致的研究并未彻底将莫特物理与派尔斯物理区分开来。

基于以上几个层次,物理人从理论和实验表征各个层面上开足马力、多方联动,似乎依然无法取得根本性进展。这也让 VO2 中莫特的 MIT 和派尔斯的 CDW 耦合联动这个“死结”成为一个数十年无法解构、古老而弥新的问题。

既然针对 VO2 内禀物理的探索存在不确定性,那就有量子材料人试图开始另起炉灶了。其中一个方案就是维度控制:总可以制备 VO2 薄膜,然后不断降低薄膜厚度,降低、降低、降低到薄膜晶体结构完全由与其共格的衬底结构来约束住。这种策略,可将派尔斯相变压制住,乃量子材料人屡试不爽的手段。接下来,再看看那个“气人的”MIT 是不是还在那里?在,说明莫特与派尔斯不是孪生兄弟!

这不是什么新思路,已经有不少量子材料人尝试过。他们首先使用具有金红石结构的 TiO2作衬底,然后将 VO2薄膜厚度降低到 10 nm左右。超越这个厚度之上的所有薄膜,其 MIT 与 CDW 是孪生的,几无例外。当薄膜厚度减到 10 nm 以下,诸多研究组报道的结果就有些散乱了:(1) 可以将 MIT 与 SPT 分开,但经常是您看不到 MIT 、而他看不到 SPT。(2) 同样厚度的薄膜,不同研究组给出的结果不相吻合,结论相左的情况也不罕见。(3) 由于薄膜厚度太薄,对结构的表征叠加了衬底的信号,给诸多结构表征技术带来了分辨率的挑战。事实上,当前的现状的确体现出表征结果很大的不确定性。

这样古老的新问题,只要一天不解决,总是有量子材料人魂牵梦绕于此。于是,就会有人试图尝试新的思路和方案,以图将问题终极抹去。来自米国弗吉尼亚那所著名的 College of William& Mary 的 Mumtaz Qazilbash 教授课题组,与来自韩国 Electronics &Telecommunications Research Institute 和加拿大光源的合作者一起,潜心于这一问题。他们在 (001) 取向的金红石 TiO2 基片上,制备了高质量的 VO2 薄膜。鉴于很多结构表征技术存在的不确定性 (例如,衬底剥离技术或球差 TEM 技术就不适用于此),他们立足于同步辐射光源的 XRD 和宽带红外光谱技术,包括光电导、包括散射型近场红外扫描显微术 (scattering - type scanningnear - field infrared microscopy (s-SNIM),对样品进行细致表征,获得如下应该算是可信的结果:

(1) 厚度在 8 nm 及以上的薄膜,存在明确的 MIT 转变和 CDW 转变,转变温度均在大约在 306 K左右。因此,可以断定 MIT 和 CDW 是孪生的。

(2) 厚度在 6 nm 及以下的薄膜,同样能够清晰展示 MIT 转变,但没有 SPT / CDW 相变出现,在整个温度区域呈现金红石结构。电子结构测量显示低温下的莫特绝缘体相有 0.6 eV 的带隙。高温下,电输运行为存在不确定性,但光电导测量展现清晰的 Drude 金属相特征。s-SNIM 成像在整个温区也展示出清晰的 MIT 进程和两端的电子态,但没有结构相变发生,如图 3 所示。

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图 3. 一个厚度 7.2 nm 的薄膜样品在不同温度下的 s-SNIM 成像。

这样的工作,毫无疑问是一类“事倍功半”的研究。费了九牛二虎之力,所得结果未必会引领热点和触发万众跟随,不过是解决了一个“古老”问题而已:在 VO2 中 MIT 与 CDW 并非孪生,它们是可以解构的独立物理。除此之外,在 Ising 看来,这样的工作,其价值在于展现量子材料人百折不挠、致力于将一个也许是“应用”上不那么吸引人的硬骨头攻克下来的精神。个中艰辛与快乐,是量子材料人的一种价值体现。阿门!

雷打不动的结尾:小编 是外行,如若理解错了,敬请谅解。各位有兴趣,还是请前往御览原文。原文链接信息如下:

Insulator-to-metaltransition in ultrathin rutile VO2/TiO2(001)

D. J. Lahneman, Tetiana Slusar, D. B.Beringer, Haoyue Jiang, Chang-Yong Kim, Hyun-Tak Kim & M. M. Qazilbash

npj Quantum Materials volume 7,Article number: 72 (2022)

https://www.nature.com/articles/s41535-022-00479-x

审核编辑 :李倩

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原文标题:解开 VO2 的那个结

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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