NEC微控制器的片上EMC措施——片上电容

多年来，NEC CMOS 微控制器集成了各种 EMC 技术，虽然片上电容和倍频时钟发生器是有效的，但对PCB 的设计方面却没有任何措施，这里是首次阐述。进一步讲，应用笔记仅着重于 PCB 设计技术，只有少数 NEC EMC 的片上措施在这里列出，但这些都是有效 EMC 措施，并且都应该在选择阶段考虑的。

EME 优化退耦目标是通过一个或更多的去耦电容提供一个最高所需高频电流。高频电流存放在片上的开关电路中环路越多和电容越低对其它供电电路影响较大。为优化连接线路的阻抗，通常电容尽可能接近微控制器的供电引脚。 为减少电流环路辐射，应当减少环路面积。仅用 PCB 设计技术难以实现最大程度的改善。因此，我们的一贯对策是将部分去耦电容放到芯片内部从而减少连接阻抗，并且适当的考虑电流回路面积，这些片上电容太小以至不能提供整个芯片去耦，所以 PCB 上的电容仍是必要的，然而，对于较高的频率范围，它们可以很好地减少辐射。

测量结果如图 4-1，对"同一"微控制器有无片上电容的结果作一下对比。红色曲线呈现无电容情况下的辐射效果，而蓝色曲线是带有片上电容情况下的辐射效果，有电容时，在很宽的频率范围内改善了约 15dB，不仅没有增加芯片尺寸，而且也没有增加额外的费用。

审核编辑：汤梓红