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MS35656双通道DMOS全桥驱动器概述、特点及应用

h1654156079.4750 来源:XBW18025319604 作者:XBW18025319604 2022-06-22 10:26 次阅读
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一、产品简述

MS35656 是一款双通道 DMOS 全桥驱动器,可以驱动一个 步进电机或者两个直流电机。每个全桥的驱动电流在 24V 电源 下可以工作到 1.4A。MS35656 集成了固定关断时间的 PWM 电 流校正器,以及一个 2bit 的非线性 DAC(数模转换器),可以 工作在全步进,半步进,四分之一步进,正转,反转以及待机 模式。PWM 电流校正器可以选择快衰减,慢衰减及混合衰减 模式,可以针对不同电机做选择,减小音频电机噪声。芯片还 内置内部同步整流控制电路以降低 PWM 工作时的功耗。 芯片集成的保护电路有过热保护,欠压保护(UVLO),短 路保护以及翻转电流保护。

二、主要特点

 峰值电流 2A

 双通道全桥

 一个步进电机驱动

同步整流

 内置 UVLO

 过热保护

 翻转保护

 极低功耗的睡眠模式

 短路保护(对电源,对地以及输出间短路)

三、应用

 安防监控

 舞台灯

 玩具

机器人技术

 医疗设备

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pYYBAGKyfWCASQ7oAAC3uZNFiw0014.png

poYBAGKyfWCAJsm8AACKPgOT7I4183.png

四、功能描述

器件特性

MS35656 可以驱动单个步进电机或两个直流电机。输出全桥为四个 N 型 DMOS 驱动管,受控于 脉冲宽度调制电路(PWM)。每个 H 全桥的输出峰值电流由 ISENX 和 Vrefx 共同决定。

全桥控制逻辑

xPHASE 输入脚控制 H 桥的电流方向。xENBL 脚为高时,会打开相应的全桥输出。下表是全桥控 制的逻辑:

poYBAGKyfYGAWcqVAAAbeQPMEZw633.png

内部 PWM 电流控制原理

每个 H 全桥带有固定衰减时间的 PWM 电流控制电路,使得负载电流不超过设定值 ITRIP。初始 时,H 桥对角的一对源漏 DMOS 驱动管打开,电流流入电机和电路检测 Rsense 电阻。当 Rsense 上的 电压的 5 倍等于 VREF 端口电压时,电流检测比较器重置 PWM 锁存器,关断源端 DMOS 驱动管。

最大电流限制由 Rsense(Rs)电阻大小以及 VREF 端的电压共同决定,最大电流公式如下:ITripMax=VREF /(5×Rs)

另外注意,应用中 Rsense 上的最大电压值不要超过±500mV。

固定关断时间

内部的 PWM 控制电路集成一固定时间脉冲来关断驱动器,关断时间 toff 内置为 18us。

无效时间

在内部电路控制使得输出发生变化时,此功能可以关断输出电流检测比较器,以防止输出误检 测,比如说过冲电流,嵌位二极管的反向恢复电流,输出电容引起的反向传输等等。无效时间设置为 1us

关断功能

当出现超过结温,VCP 过低等意外时,输出被关断。在启动时,低压关断电路(UVLO)可以关断输出。

睡眠模式

当所有的控制输入脚接地,即 AENBL=APHASE=BENBL=BPHASE=0 时,并且低电平持续时间超过 2.8ms,MS35656 会进入低功耗睡眠模式。当这几个输入控制脚中有一个变高电平,芯片会重新唤醒 开始工作。

内部框图:

poYBAGKyfZCAeb1JAAEGjjVNSws150.png

审核编辑:汤梓红

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