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ADI MEMS传感器技术35年的光辉发展史

kO1n_analog_dev 来源:亚德诺半导体 作者:亚德诺半导体 2022-05-26 17:12 次阅读

还记得吗?刚刚上线的ADXL367

是不是很眼熟?

没错,它就是霸榜超低功耗榜单

ADXL362的升级版,

功耗改善了两倍,噪声性能提高30%以上!

随着这款重磅新品的发布

不仅吸引诸多关注的目光

还激起了不少小伙伴

了解ADI在MEMS领域多年探索的兴趣

今天,小编带大家一起走过

ADI MEMS传感器技术35年的光辉发展史

从最早专供于汽车电子的安全气囊、胎压监测等应用,到手机等消费端的深入,再到如今AR/VR自动驾驶、智慧场景等多个行业的大规模普及,MEMS传感器技术在“出圈”路上愈行愈远,做到了真正意义上的“遍地开花”!

ADI MEMS“进化史”

ADI可谓在古早时期就踏入了MEMS传感器领域,历经35年的经验积淀,是MEMS传感器领域当之无愧的佼佼者。当初,应用于还未普及的汽车安全气囊中的MEMS传感器便源自于ADI,这么多年来ADI的MEMS传感器技术也在不断地突破创新......

1987年ADI从1987年开始投入MEMS传感器的研发。

“开启一段35年的技术研发佳话”

1991年ADI发布High-g MEMS器件,聚焦汽车安全气囊碰撞监测应用,引领了MEMS传感器研究新方向。“引领了几乎十年的MEMS传感器研究”

1996年ADI发布Low-g MEMS传感器,聚焦人体运动监测应用。“消费类应用目前已成为MEMS传感器市场主流”

1999年ADI推出Low-g双轴MEMS传感器。“进入双轴时代”

2000年ADI推出MEMS陀螺仪,同时迎来了1亿传感器出货!

“20多年前的这个里程碑数据,有木有很腻害的样子

2006年ADI推出小尺寸低功耗的Low-g 3轴MEMS传感器。“更强更多轴”

2007年ADI研发出工业级惯性传感器。“强化高精度、高可靠性标签”

2009年ADI推出MEMS麦克风。

“满足未来应用更多畅想”

2011年ADI发布能够支持175℃高温的双轴iMEMS加速度计ADXL206。

“WOW,能‘Enjoy’深井钻探和发动机机舱这样的地狱环境,真没有谁了~”

2012年ADI推出突破性的低功耗3轴数字MEMS产品ADXL362,在运动检测唤醒模式下功耗仅为300 nA!“最新的ADXL367就是它的升级版,当年ADXL362的低功耗就树立标杆,广泛的可穿戴产品用到它了哦,你手上的手环没准就是ADXL362 inside!”

2013年ADI无线振动传感器推出,同时迎来10亿传感器出货!

“又一里程碑!”

2014年ADI推出能在石油和天然气钻探设备常见的最高175℃高温环境下正常运行的MEMS陀螺仪ADXRS645。“硬实力象征”

2017年ADI投入MEMS传感器研发三十周年之际,超低噪声、超低功耗系列产品ADXL354/355/356/357,ADXL1001/1002和ADXL372相继面市。“好物集中大放送”

2019年ADI推出了量产的IMU产品ADIS1650x系列,更注重工业“运动物联网”的需求及其对精准地理定位的需求,其性能能够令系统精确地表征运动,不受湍流、振动、风、温度和其他环境干扰,从而实现更精准的导航和引导。“自动驾驶最后的安全防线”

2022年三轴MEMS加速度计ADXL367问世,可用于广泛的医疗健康和工业应用,包括生命体征监测、听力辅助和运动计量等设备。ADXL367加速度计与上一代器件(ADXL362)相比,功耗改善了两倍,同时噪声性能提高了30%以上,还提供更长的现场使用时间,最大限度地延长了电池寿命,并降低了维护频率和成本。“再次树立市场标杆!”

凭借适应不同应用需求参数的各类MEMS产品,

同时针对某些特定领域开发专用产品,

ADI MEMS传感器技术的辉煌仍在继续!

不论你是工业需求还是消费类需求,

ADI总有一款MEMS产品适合你的应用!

原文标题:进化论“芯”说丨从入地万米到九天揽月,这个小芯片一路出圈遍地开花

文章出处:【微信公众号:亚德诺半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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    DC019A LT1109CS8 | +5V to +12V Flash Memory Vpp Generator DC019A
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    DC043A DC043A评估板

    DC043A LTC1286CS8 | Micropower 12-Bit Serial I/O ADC Board DC043A
    发表于 09-07 10:00 80次 阅读

    DC045A DC045A评估板

    DC045A LTC1298CS8 | Micropower 12-Bit 2-Channel ADC DC045A
    发表于 09-07 10:00 95次 阅读

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    -f DC143A-F LTC1475CMS8-5 | Low Q-Current High Efficiency Switching Regulator, 5V Fixed @ 300mA DC143A-F
    发表于 09-07 10:00 144次 阅读

    DC144A DC144A评估板

    DC144A LTC1433CGN | 电流模式PWM降压DC/DC DC144A
    发表于 09-07 10:00 101次 阅读

    DC121A DC121A评估板

    DC121A LTC1434 | 低噪声、电流模式PWM降压DC/DC 3.3V或5V,1A DC121A
    发表于 09-07 10:00 130次 阅读

    DC116A-A DC116A-A评估板

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    发表于 09-07 10:00 109次 阅读

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    -b DC053A-B LT1377CS8 | 1MHz DC/DC Converter with Shutdown and Synchronous, 5-11VIN, 12VOUT at 250mA DC053A-B
    发表于 09-07 10:00 113次 阅读

    DC126A DC126A评估板

    DC126A LTC1520 | High Speed, Precision Timing, Differential Line, Quad Receiver, 50Mbps DC126A
    发表于 09-07 10:00 93次 阅读

    DC102A DC102A评估板

    演示板 102 可以轻松设置用于评估 LT1336 IC。请按照下面的程序操作以实现无错运行。 将低功耗电源的正极引线连接到 VIN (E3),并将负极引线连接到 GND (E7)。此电源的电压范围必须介于 10V – 15V 之间。 将高功耗电源的正极引线连接到 HV (E1),并将负极引线连接到 GND (E7)。推荐的最大工作电压为 50V。电容器、MOSFET 和 IC 的额定最大电压为 60V(绝对值)。 将驱动信号连接到 INTOP (E5) 和 INBOTTOM (E6)。高 INTOP 和低 INBOTTOM 会打开顶部 MOSFET 并关闭底部 MOSFET。低 INTOP 和高 INBOTTOM 会反转这些状态。当两个输入都为高或低时,所有 MOSFET 都将关闭。这些输入与 TTL/CMOS 兼容,并可承受高达 VIN 的输入电压。 在 OUT (E2) 和 GND (E7) 之间连接负载。 DC102A 本演示电路是一款面向一般应用的 N 沟道半桥。该半桥可用 TTL/CMOS 电平信号驱动至负责驱动 N 沟道 MOSFET 的 LT®1336 中。独立式高端驱动器稳压器可实现 100% 占空比的 PWM 操作,并不会出现中断。通过在供原型设计之用的空间...
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