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一文解读"集成电路三大发展方向"

中科院半导体所 来源:SiP与先进封装技术 作者:Suny Li 2022-03-24 11:22 次阅读

导 读

虽然,所有以指数规律增长的曲线在物理意义上均是不可持续的,摩尔定律正是如此。 然而,人们却一直想方设法地去延续摩尔定律,为什么明知不可为而为之?这其实代表了人类的一种理想主义,这种理想或信念往往让人类超越自身,创造出意想不到的科技和文明。 或许正是人们相信了摩尔定律的可持续性,从而带来的信念推动了集成电路五十多年的高速发展。摩尔定律刚提出的时候,我想摩尔本人也不相信在不到芝麻粒大小的一平方毫米,可以集成超过一亿只以上的晶体管。 今天,在指甲盖大小的芯片上,集成的晶体管数量超过了100亿,还可以再多吗?答案依然是肯定的。 然而,随着芯片特征尺寸日益走向极致(3nm~1nm),集成电路中晶体管尺寸的微缩逐渐接近硅原子的物理极限。1nm的宽度中仅能容纳2个硅原子晶格(a=0.5nm),也就是说,在单晶硅中,3个硅原子并排排列的宽度就达到了1nm。 下一步,集成电路技术会走向何方呢?在本文中,您或许能找到自己的答案。

01

更多的晶体管

现代科技的发展是以集成电路为基石。集成电路发展的最直接的目标就是在单位面积内或者单位体积内集成更多的晶体管。因此,集成电路的第一个发展方向就是集成更多的晶体管。

单位面积内更多的晶体管

在单位面积内集成更多的晶体管就需要将晶体管做的更小,几十年来,在摩尔定律的推动下,晶体管的特征尺寸从毫米级到微米级再到纳米级,尺寸缩小了百万倍。今天,在一平方毫米内可集成超过上亿的晶体管,芯片上的晶体管数量已经达到百亿量级。

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在单位面积内集成更多的晶体管

那么,晶体管能小到什么程度呢?大致受两个因素的制约,一个是晶体管内最小的结构宽度,另一个是晶体管自身所占的面积。 晶体管的最小的结构宽度在22nm之前,通常是栅极宽度,被称为特征尺寸。随着晶体管面积的日益缩小,特征尺寸和厂家的命名逐渐脱节,而栅极宽度也不再是晶体管的最小结构宽度,例如在FinFET中,Fin的宽度通常是小于栅极宽度的,在GAA堆叠纳米片晶体管中,纳米片的厚度也是要小于栅极宽度的。

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因此,各大Foundry不再以栅极宽度作为晶体管的特征尺寸,其工艺节点成为一个代名词,并不和某个特定的宽度相对应,但依然是有其物理意义的。主要体现在晶体管面积的缩小,在同样的面积内可集成更多的晶体管。

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例如,苹果A13芯片采用7nm工艺制程,内有85亿个晶体管,其面积为94.48平方毫米,在1平方毫米可集成8997万个晶体管:0.8997亿/mm^2。苹果A14芯片采用5nm工艺制程,内有118亿个晶体管,其面积为88平方毫米,在1平方毫米可集成1.34亿个晶体管:1.34亿/mm^2

两者的晶体管平均面积之比为1.49,如果严格按照7:5的比值为1.4,其平方为1.96,可以看出,相对于7纳米芯片,5纳米芯片做到了理论值的76%。这也是intel一直认为别的Foundry厂家的命名有水分的原因。

从平面晶体管到FinFET到GAA,晶体管的尺寸不断缩小,结构不断优化,就是为了在单位面积内集成更多的晶体管。

单位体积内更多的晶体管

而在单位体积内集成更多的晶体管,除了可以将晶体管做的更小之外,还因为多了一个空间维度,因此可以将晶体管堆叠起来。

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在单位体积内集成更多的晶体管

如何进行晶体管的堆叠呢? 大致两种方法,第一种就是在晶圆上通过特殊工艺将晶体管直接做成多层的;另外一种就是和传统工艺相同的方法在晶圆上制作一层晶体管,然后将多个晶圆堆叠起来,晶圆之间通过TSV连接。 关于第一种方法,目前有很多研究,例如将NMOS堆叠在PMOS上,从而节省一半的面积,使晶体管密度提升一倍。其难点在于上层的晶体管没有致密的硅基底作为支撑,很难制作出高质量的晶体管,另外,目前的技术也只能支持两层堆叠。

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第二种方法目前应用如火如荼,通常被称之为先进封装技术(Advanced Packaging)。 先进封装也称为HDAP高密度先进封装,目前受关注度很高,技术发展迅速,晶圆间互连的TSV密度越来越高,并且理论上不受堆叠层数的限制,最先进的技术目前掌握在Foundry手中。

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不过,现在Foundry厂逐渐不把其作为封装技术来看待,而将其视为晶圆制造的一个重要环节,例如TSMC,在其产品线种将其定义为3D Fabric。 理论上讲,XYZ三个维度并没有本质不同,因此,增加一个维度,其集成的晶体管数量可能会成千上万倍地增加,这也被很多人认为摩尔定律可持续的重要原因。 在集成电路中,晶体管作为最小的功能单位,我们可以称之为功能细胞。在单位体积内集成更多的功能细胞,即提升系统的功能密度。 从历史来看,在所有的人造系统中,功能密度都在不断地提升,虽然不同的历史阶段提升的有快有慢,但在人类文明发展的进程中不会停滞。

02

扩展硅元素

虽然化合物半导体近来比较热门,但集成电路中,硅目前还是占据着绝对的主流位置。因此,芯片制造商一直试图将化合物半导体应用在传统的硅晶圆上,从而有效利用现有资源并创造出更大的经济效益。

硅基氮化镓技术

通过在300毫米的硅晶圆上集成氮化镓基(GaN-based)功率器件与硅基CMOS,实现了更高效的电源技术。这为CPU提供低损耗、高速电能传输创造了条件,同时也减少了主板组件和空间。 氮化镓半导体器件主要可分为GaN-on-Si(硅基氮化镓)、GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓),GaN-on-sapphire(蓝宝石基氮化镓)等几种晶圆。 由于成本和技术等因素,硅基氮化镓成为了目前半导体市场主流。 英特尔在300毫米的硅晶圆上首次集成氮化镓基(GaN-based)功率器件,此研究验证了300毫米工艺兼容可行性,更适配高电压应用,增加了功能,提升了大规模制造可能性。

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全世界现在大概有上万亿美元的投资都是在300毫米硅晶圆设备、生态系统上,需要把这些充分利用起来,这样制造成本才能下降。 此外,台积电目前采用的也是GaN-on-Si(硅基氮化镓)技术。

新型铁电体材料

另一项技术是利用新型铁电体材料作为下一代嵌入式DRAM技术的可行方案。该项技术可提供更大内存资源和低时延读写能力,用于解决从人工智能到高性能计算等应用所面临的日益复杂的问题。 新型铁电存储器,采用新的技术实现了2纳秒的读写速度和超过10的12次方的读写周期,其性能和寿命都远超现有的存储器。

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铁电存储器可以和传统的CMOS工艺结合,用来作为从L1 Cache到DRMA之间的中间层。 扩展硅元素,在功率器件和内存增益领域提升硅基半导体的性能,目前已经取得了不错的进展。人们还在不断地努力探寻其它的方法来扩展硅元素。

03

探寻量子领域

由于量子力学隧道效应,电子可以穿越绝缘体,这将使元件功能失效。人们开始寻找一种新型晶体管,可以进一步提高未来集成电路的性能,作为传统晶体管的替代品。目前有很多研究,但还没有领先者可以取代硅MOSFET。 研究人员列出了一系列MOSFET替代品,包括隧道场效应晶体管TFET,碳纳米管场效应晶体管,单原子晶体管。

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隧道场效应晶体管

隧道场效应晶体管(TFET-Tunnel Field Effect Transistor),和传统MOSFET晶体管原理不同,在TFET中源极和漏极掺杂不同。它使用量子力学隧道效应,栅极和源极之间的电压决定了电荷载流子是否可以“隧穿”通过源极和漏极之间的能量势垒,以及电流是否可能流动。

根据量子理论,有些电子纵使明显缺乏足够的能量来穿过能量势垒,它们也能做到这一点,这就是量子隧道效应。

在隧道场效应晶体管中,两个小槽被一个能量势垒分开。在第一个小槽中,一大群电子在静静等待着,晶体管没有被激活,当施加电压时,电子就会通过能量势垒并且移入第二个小槽内,同时激活晶体管。TFET在结构上类似于传统晶体管,但在开关方面利用了量子力学隧道效应,既节能又快捷。

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通过减少能量势垒的幅度,增强并利用量子效应将成为可能,因此,电子穿过势垒所需要的能量会大大减少,晶体管的能耗也会因此而显著下降。利用量子隧道效应研制出的隧道场效应晶体管有望将芯片的能耗减少到百分之一(1/100)。

碳纳米管场效应晶体管

碳纳米管场效应晶体管(CNFET-CarbonNanotube Field Effect Transistor)

在CNFET中,源极和漏极之间的沟道由碳纳米管组成,其直径仅有1–3 nm, 意味着其作为晶体管的沟道更容易被栅控制。因此, 碳纳米管晶体管比传统硅基晶体管在比例缩减上的潜力会更大。

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碳纳米管具有超高的室温载流子迁移率和饱和速度,室温下,碳纳米管中载流子迁移率大约为硅的100倍, 饱和速度大约是硅的4倍。在相同沟道长度下, 载流子迁移率越高,饱和速度越高,速度越快,并能增加能量的利用效率。

碳纳米管晶体管具备超低电压驱动的潜力,从而在低功耗方面具有巨大优势,在沟道材料的选择中, 碳纳米管沟道同时具备了天然小尺寸、更好的尺寸缩减潜力和低功耗等关键因素。

单原子晶体管

单原子晶体管(Single-Atom Transistor),在这种晶体管中,控制电极移动一个原子,该原子可以连接两端之间的微小间隙,从而使电流能够流动。原则上,它的工作原理就像一个有两个稳定状态的继电器

在单原子晶体管中,通过源极和栅极之间的电压移动单个原子,从而关闭或打开源极和漏极之间的电路

在只有单一金属原子宽度的缝隙间建立微小的金属触点,实现目前晶体管所能达到的最小极限。在此缝隙通过电控脉冲移动单个原子,完成电路闭合,将该原子移出缝隙,电路被切断。

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由此实现世界上最小晶体管在接通电源情况下单个原子的受控可逆运动。 单原子晶体管由金属构成,不含半导体材料,所需电压极低,能耗也极低。据称,单原子晶体管的能耗将只有传统硅基晶体管的万分之一(1/10000)。 与传统量子电子元件不同,单原子晶体管不需要在接近绝对零度的低温条件工作,它可以在室温下工作,这对未来应用是一个决定性的优势。

总 结

这篇文章源于2021年末英特尔的一次媒体技术解读会,在这次会议中,英特尔副总裁卢东辉博士详细解读了Intel在IEDM 2021上发布的三个关键领域的技术突破。 这次媒体技术解读会之后,我对其中涉及的技术点进行了详细的分析并进行了一定的扩展,从intel所取得的技术突破,扩展到了整个行业的技术发展方向。 更多的晶体管,扩展硅元素,探寻量子领域,是集成电路技术发展的三大方向。 目前看来,最切合实际的发展方向还是更多的晶体管,我们可以将其定为近期的目标,而其他两项则可以看做相对长远的目标。

审核编辑 :李倩

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    用于太空任务的GaN晶体管

    带电粒子和伽马射线会产生电离,从而改变设备的参数。这些变化是根据总电离剂量参数 (TID) 估算的。....
    的头像 李晓鹏 发表于 08-08 08:09 52次 阅读
    用于太空任务的GaN晶体管

    一种尖端的动态过载Crimson Drive

    描述 EQD 深红色驱动器 Crimson Drive 是一种尖端的动态过载,围绕一个锗晶体管和两个老式锗二极管构建。它创造了一种开...
    发表于 08-05 07:08 817次 阅读

    清华大学集成电路学院推出的面向社会课程

    *附件:清华大学集成电路设计项目简章.pdf[*附件:集成电路设计报名表(学员姓名)0705.doc] ...
    发表于 08-02 15:51 784次 阅读

    晶体管测试/智能测试AVR的资料分享

    描述 晶体管测试/智能测试AVR 该网络可以自动测量和确定被测部件的类型和值 PCB+展示 ...
    发表于 08-01 07:25 610次 阅读

    【资料】电源管理集成电路及应用(下册)学习文档资料PDF电子书

    《电源管理集成电路及应用》这套书分为上、下册,本书是其中的下册。本书共收集了实际中使用最多和应用最广泛的电源管理集成电路...
    发表于 07-28 15:43 5847次 阅读
    【资料】电源管理集成电路及应用(下册)学习文档资料PDF电子书

    【资料】电源管理集成电路及应用(上册)学习文档资料PDF电子书

    《电源管理集成电路及应用》这套书分为上下两册,本书是其中的上册,收集了在实际中使用最多和应用最广泛的电源管理集成电路,共...
    发表于 07-28 14:40 6143次 阅读
    【资料】电源管理集成电路及应用(上册)学习文档资料PDF电子书

    XTAL晶体测试仪的资料分享

    描述 XTAL晶体测试仪 一个不错的小电路。您将 XTAL 插入插座,如果良好,LED 会亮起。您也可以将其与示波器或频率计...
    发表于 07-26 06:26 366次 阅读

    ATMEGA644PA微控制器上自制的晶体管测试仪项目

    描述 概述了ATMEGA644PA微控制器上自制的晶体管测试仪  ,采用晶体管测试仪的标准电路(非扩展电路)组装。 ...
    发表于 07-25 06:29 311次 阅读

    设计1500W电路的最终晶体管板

    描述 1500W东芝最终晶体管PCB 在这篇文章中,我设计了 1500W 电路最终晶体管板。它可以产生清晰的4OHM LOAD和2O...
    发表于 07-22 06:00 505次 阅读

    自制一个曲线追踪器

    描述 晶体管曲线追踪器 Paul V设计并制造了一个曲线追踪器。他的博客讲述了这个故事。阅读!它写得很好,我觉得很有趣。他...
    发表于 07-15 10:44 1699次 阅读

    ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件

    venSense ICM-20649 6轴MEMS MotionTracking™器件通过提供撞击前、撞击期间和撞击后的连续运动传感器数据,对接触类运动应用进行精确的分析。这样即可为足球、篮球、高尔夫、网球等运动提供更加精确的反馈。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引脚QFN封装,可针对陀螺仪实现±4000dps的扩展满量程范围 (FSR),针对加速度计实现±30g的扩展满量程范围。其他主要特性包括片上16位ADC、运行时校准固件、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。通过高达100kHz(标准模式)或高达400kHz(快速模式)的IC,或者高达7MHz的SPI,可与该器件进行通信。 特性 3轴陀螺仪,可编程FSR为±500dps、±100dps、±2000dps和±4000dps 3轴加速度计,可编程FSR为±4g、±8g、±16g和±30g 启用...
    发表于 11-12 09:07 708次 阅读

    MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器

    Integrated MAX20030和MAX20031汽车降压控制器是2.2MHz双路同步降压控制器,集成了预升压控制器和低I LDO。该预升压控制器支持V和V在冷启动操作期间保持稳压,直至电池输入低至2V。MAX20030和MAX20031设有两个高压同步降压控制器,可在180°异相下工作。这些器件的输入 电压为3.5V至42.0V,可通过97%占空比在低压差条件下运行。这些降压控制器非常适合用于可在宽输入电压范围(如汽车冷启动或发动机停止启动条件)内工作,具有中高功率要求的应用。 MAX20030和MAX20031降压控制器的工作频率高达2.2MHz,支持使用小型外部元件,减少输出纹波,并消除AM频段干扰。开关频率可通过电阻器在220kHz至2200kHz范围内฀...
    发表于 11-10 11:07 322次 阅读

    MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案

    Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案是一款4通道电源管理IC。MAX16926设计用于安装现代汽车TFT显示器中使用的主电源轨。MAX16926和MAX20069 TFT电源和LED背光驱动器可以为汽车显示器电源要求提供双芯片解决方案。 特性 高度集成 集成式看门狗定时器 高度可靠、低EMI 应用 信息娱乐系统显示屏 中央信息显示屏 仪表盘...
    发表于 11-10 09:07 264次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 243次 阅读

    MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC

    Integrated MAX20766智能从设备IC设计用于用于搭配Maxim第七代控制器使用,实现高密度多相稳压器。多达六个智能从设备集成电路加一个控制器集成电路,组成紧凑的同步降压转换器,它可以通过SMBus/PMBus™实现精确的单独相电流和温度报告。 Maxim MAX20766智能从设备IC为过热、VX短路和所有电源UVLO故障提供多种保护电路。如果检测到故障,则该器件立即关断,并向控制器IC发送信号。 MAX20766采用16引脚FCQFN封装(具有裸露的顶部散热焊盘)。顶部散热改善...
    发表于 11-09 09:07 269次 阅读

    ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风

    venSense ICS-40730低噪声麦克风是一款差分模拟输出、底部端口式微机电系统 (MEMS) 麦克风。ICS-40730集成有MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。该款低噪声麦克风具有高达74dBA的SNR、-32dBV差分灵敏度、-38dBV单端灵敏度、124dB SPL声学过载点以及±2dB灵敏度容差。典型应用包括智能家居设备、智能手机、电话会议系统、安防、监控、麦克风阵列、语音控制和激活。 特性 74dBA超高SNR 灵敏度: -32dBV差分灵敏度 -38dBV单端灵敏度 ±2dB灵敏度容差 非反相信号输出 25Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频性能 285µA电流消耗 124dB SPL...
    发表于 11-09 09:07 481次 阅读

    MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器

    Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器可在器件的电缆侧(RS-485/RS-422驱动器/接收器侧)和UART侧之间提供3.5kVRMS数字电流隔离。当两个端口之间存在较大的接地电位差时,隔离通过中断接地环路来改善通信,并降低噪声。这些器件允许高达0.5Mbps或16Mbps的稳健通信。 MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器具有Maxim专有的AutoDirection控制功能,因此非常适合用于隔离式RS-485端口等应用,其中驱动器输入与驱动器使能信号搭配使用以驱动差分总线。 MAX22025、MAX22027、MAX22025F和MAX22027F具有较低压&#...
    发表于 11-09 09:07 435次 阅读

    ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风

    venSense ICS-40212模拟麦克风是一款微机电系统 (MEMS) 麦克风,具有极高动态范围和低功耗常开模式。该麦克风包含MEMS麦克风元件、阻抗转换器和输出放大器。ICS-40212在电源电压低于2V且工作电流为55μA时,采用低功耗工作模式。 ICS-40212麦克风具有128dB声压级 (SPL) 声学过载点(高性能模式下)、±1dB的严密灵敏度容差以及35Hz至20kHz扩展频率响应。该麦克风采用底部端口表面贴装封装,尺寸为3.5mm x 2.65mm x 0.98mm。典型应用包括智能手机、照相机和摄像机...
    发表于 11-09 09:07 687次 阅读

    ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风

    venSense ICS-40638高声学过载点 (AOP) 模拟MEMS麦克风(带差分输出)具有极高的动态范围,工作温度高达105°C。ICS-40638包括一个MEMS麦克风元件、一个阻抗转换器和一个差分输出放大器。该麦克风具有138dB声压级 (SPL) 声学过载点、±1dB小灵敏度容差以及对辐射和传导射频干扰的增强抗扰度。该系列具有35Hz至20kHz扩展频率响应,采用紧凑型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面贴装封装。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模拟MEMS麦克风应用包括汽车、相机和摄像机以及物联网 (IoT) 设备。 特性 差分非反向模拟输出 灵敏度:-43dBV(差分) 灵敏度容差:±1dB 35Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频抗扰度 PSRR:−81dB 3.50...
    发表于 11-06 09:07 534次 阅读

    DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板

    venSense DK-42688-P评估板是用于ICM-42688-P高性能6轴运动传感器的全面开发平台。该评估板设有用于编程和调试的板载嵌入式调试器和用于主机接口的USB连接器,可支持软件调试和传感器数据记录。DK-42688-P平台设计采用Microchip G55 MCU,可用于快速评估和开发基于ICM-42688-P的解决方案。TDK InvenSense DK-42688-P评估板配有必要的软件,包括基于GUI的开发工具InvenSense Motion Link,以及用于ICM-42688-P的嵌入式运动驱动器。 特性 用于ICM-42688-P 6轴运动传感器 带512KB闪存的Microchip G55 MCU 用于编程和调试的板载嵌入式调试器 用于主机接口的USB连接器 通过USB连接的电路板电源 ...
    发表于 11-06 09:07 391次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 431次 阅读

    ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风

    venSense ICS‐52000是一款低噪声数字TDM输出底部端口麦克风,采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面贴装封装。  该器件由MEMS传感器、信号调理、模数转换器、抽取和抗混叠滤波器、电源管理以及行业标准的24位TDM接口组成。 借助TDM接口,包括多达16个ICS‐52000麦克风的阵列可直接连接诸如DSP和微控制器等数字处理器,无需在系统中采用音频编解码器。 阵列中的所有麦克风都同步对其声信号进行采样,从而实现精确的阵列处理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和宽带频率响应。 灵敏度容差为±1dB,可实现无需进行系统校准的高性能麦克风阵列。 ICS-52000具有两种电源状态:正常运行和待机模式。 该麦克风具有软取消静音功能,可防止上电时发出声音。 从ICS-52000开始输出数据时开始,音量将在256WS时钟周期内上升到满量程输出电平。 采样率为48kHz,该取消静音序列大约需要5.3ms。 The ICS‐52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is ±1dB enabling high‐performance micropho...
    发表于 11-05 17:07 239次 阅读

    IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪

    venSense IAM-20380高性能陀螺仪具有0.5VDD至4V电压范围、400kHz时钟频率以及-40°C至+85°C工作温度范围。IAM-20380具有3轴集成,因此制造商无需对分立器件进行昂贵且复杂的系统级集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺仪非常适合用于汽车报警器、远程信息处理和保险车辆追踪应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps 集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪和温度传感器 按照AEC-Q100执行&...
    发表于 11-03 10:07 344次 阅读

    MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路

    502x电源管理集成电路 (PMIC) 在一个器件中集成了多个高性能降压稳压器。PF502x PMIC既可用作独立的负载点稳压器IC,也可用作较大PMIC的配套芯片。 NXP PF502x电源管理集成电路 (PMIC) 具有用于关键启动配置的内置一次性可编程 (OTP) 存储器存储。借助该OTP特性,可减少通常用于设置输出电压和稳压器序列的外部元件数量,从而打造时尚器件。启动后,稳压器参数可通过高速I2C进行&#...
    发表于 11-02 12:06 472次 阅读

    T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风

    vensense T3902低功耗多模麦克风具有185µA至650µA电流范围、36Hz至>20kHz额定频率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装。T3902麦克风由一个MEMS麦克风元件和一个阻抗转换器放大器,以及之后的一个四阶调制器组成。T3902系列具有高性能、低功耗、标准和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麦克风非常适合用于智能手机、相机、平板电脑以及安全和监控应用。 特性 3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装 低功耗模式:185µA 扩展频率响应:36Hz至>20kHz 睡眠模式电流:12µA 高电源抑制 (PSR):-97dB FS 四阶∑-Δ调制器 数字脉冲密度调制 (PDM) 输...
    发表于 10-30 11:06 396次 阅读

    ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风

    venSense ICS-40740超低噪声麦克风具有超低噪声、高动态范围、差分模拟输出和1个底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB灵敏度容差,因此非常适合用于麦克风阵列和远场语音控制应用。 特性 70d BA信噪比 -37.5dBV灵敏度 ±1dB灵敏度容差 4mm x 3mm x 1.2mm表面贴装封装 80Hz至20kHz扩展频率响应 165µA电流消耗 132.5dB SPL声学过载点 -87d BV PSR 兼容无锡/铅和无铅焊接工艺 符合RoHS指令/WEEE标准 ...
    发表于 10-30 10:06 482次 阅读

    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    venSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封装中集成了3轴陀螺仪和3轴加速度计。IAM-50680器件具有片上16位ADC、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。TDK InvenSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件非常适合用于360°视角相机稳定、汽车报警器和远程信息处理应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps,集成16位ADC 数字输出X、Y和Z轴加速度计,具有±2g、±4g、±8g和±16g的可编程满量程范围,集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪、加速度计和温度传感器 自检功能 唤醒运动中断,用于应用处理器的低功耗运行 按照AEC-Q100执行的可靠性测试 按要求提供PPAP和认证数据 应用 导航系统航位推算辅助功能 ...
    发表于 10-29 13:06 1096次 阅读
    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是喜马拉雅微型系统级IC (µSLIC) 电源模块,可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到µSLIC™电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。 直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。 特性 易于使用: 4V至60V宽输入降压转换器 可调节及固定的输出电压模块 内部电感器和补偿 降压转换器输出电流高达150mA 线性稳压器输出的精度为±1.3%,FB精度为±2% 全陶瓷电容器、紧凑布局 ...
    发表于 10-29 13:06 259次 阅读
    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散(25ps,典型值),因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V,与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS(低压差分信号),有助于最大限度地降低功耗,直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装,带侧面可湿性侧翼,符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V电源电压下工作。 特性 快速传播延迟:280ps(典型值) 低过驱色散:25ps(VOD=10mV至1V)  电源电压:2.7V至3.6V 2.7V电源时45.9mw(每个比较器) 节能型LVDS输出 温度范围:-40°C至+125°C 符合汽车类AEC-Q100标准 小型3mm x 2mm TDFN封装,带可湿性侧翼 ...
    发表于 10-29 13:06 260次 阅读
    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm® Cortex®-M33微控制器

    miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术,适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构,采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺,具有先进的安全特性。 LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
    发表于 10-29 13:06 352次 阅读