中颖EEPROM存储器的操作原则

EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指带电可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

中颖Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option(代码选项)选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分，每个扇区的大小512字节(较早的产品，每个扇区大小256字节)，最多支持8个扇区。

中颖的EEPROM编程/擦除次数：至少100000次

中颖的EEPROM数据保存年限：至少10年

中颖EEPROM的操作原则：

1 必须关闭所有中断

如果在操作EEPROM期间，不关闭中断，可能会导致程序跑飞或者其它异常情况;中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程，需要按照规定关闭所有中断(EA=0)，等到编程完成后再打开中断。

2 如何访问EEPROM

中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时，MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时，MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。

A7H，Bank0	第7位	第6位	第5位	第4位	第3位	第2位	第1位	第0位
FLASHCON	-	-	-	-	-	-		FAC
读/写	-	-	-	-	-	-	读/写	读/写
复位值 (POR/WDT/LVR/PIN)	-	-	-	-	-	-	0	0

位编号	位符号	说明
7-1	-	保留位
0	FAC	访问控制 0：MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域 1：MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区

3 操作EEPROM前，清WDT

在对EEPROM的操作前，清WDT,保证操作期间不溢出

4 抗干扰

同时，为了抗干扰，防止误操作，EEPROM编程可以参考如下例程：

uchar ssp_flag；

voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除

{

ssp_flag= 0xA5;

_push_(IEN0);//中断控制压栈

IEN0&=0x7F;//关总中断

FLASHCON = 0x01; //访问EEPROM区

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH<<1 ;                                                  

IB_CON1 = 0xE6;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断，增强抗干扰

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区

_pop_(IEN0);//恢复总中断

}

voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇区编程

{

ssp_flag= 0x5A;

_push_(IEN0); //中断控制压栈

IEN0&=0x7F;//关总中断

FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH;

IB_OFFSET= nAddrL;

IB_DATA= nData; // 烧写内容

IB_CON1 = 0x6E;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断，增强抗干扰

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区

_pop_(IEN0); //恢复总中断

原文标题：中颖8位MCU EEPROM使用注意事项

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审核编辑：汤梓红