创作

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

车规级SiC供应商桑德斯与世强硬创平台达成协议

gbv6_sekorm_inf 来源:世强SEKORM 作者:世强SEKORM 2022-02-24 16:14 次阅读

桑德斯微电子器件(南京)有限公司与世强硬创平台达成协议,授权世强代理旗下碳化硅(SiC)、二级管等产品代理。

桑德斯拥有核心的晶圆设计技术和晶圆厂,在目前全球缺“芯”的情况下,能稳定供应完整的SiC产品体系, 其中SiC二极管交期是有保障的12-14wks,同时能根据客户的需求灵活定制。除此之外,桑德斯拥有一系列车规认证的产品,如:650V与1200V全系列的肖特基二极管等。其中,1200V 25mΩ的SiC MOS预计6月可过车规。桑德斯至今已先后为韩国三星、LG、欧洲空客、松下,国内中兴通讯等一批国际著名企业提供大量优质器件。

桑德斯(SMC)相关数据手册、选型指南等技术资料已在世强硬创平台上线,搜索即可获取,世强提供桑德斯正品保证与供货保障。

|硬创商城集成电路 | 分立半导体元件 | 无源元件 | 接插件及结构件 | 组件及配件 | 电源电源模块 | 电工工具及电工材料 | 仪器仪表及测试配组件 | 机电元件 | 机械及五金元配件 | 电气部件 | 电子材料 | 市场|研发服务选型帮助 | 国产化替代 | 样品申请 | BOM配单 | 传感器标定 | 热仿真软件试用 | 眼图一致性测试 | 蓝牙WIFI综合测试 | LCR参数测试 | EDA设计软件试用 | IoT射频性能测试 | PD/QC快充测试 | EMC暗室测试 | 低功耗测试 | IGBT功率模块仿真 | 晶体匹配测试 | 无线充电传输效率测试 | 雷击浪涌测试 | ESD静电抗干扰测试 | 热性能测试 | 仪器试用|加工定制天线定制 | 电机风扇定制 | 传感器定制 | 散热器定制 | PCB快板定制 | 晶圆代工 | 芯片定制 | 电子方案开发 | 外观结构工业设计 | 产品优化改良 | 稀土永久磁铁定制 |电感变压器定制 | 显示屏定制 | 模切加工 | 连接器定制 | 激光光源定制 | 核心板定制 | TEC定制 | 射频无源器件定制 | ESD防护解决方案 | 三防漆定制 | 毫米波太赫兹测试点击“阅读原文”,了解更多研发服务~

原文标题:填补国内1200V 25mΩ SiC MOS空白,车规级SiC供应商桑德斯(SMC)签约世强

文章出处:【微信公众号:世强SEKORM】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:汤梓红

  • 晶圆
    +关注

    关注

    45

    文章

    2993

    浏览量

    119775
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    21

    文章

    700

    浏览量

    56361
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    18

    文章

    547

    浏览量

    42268
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    赛美特5.4亿元融资 发力半导体工业软件国产化

    赛美特于近期完成总额高达5.4亿元的A++轮和B轮融资,投资方包括中国互联网投资基金、比亚迪股份、韦....
    的头像 汽车电子技术 发表于 06-29 19:40 282次 阅读

    清洗晶圆基板的方法是什么

    本发明一般涉及清洗和蚀刻硅表面的方法,以及更具体地涉及使用NF在低温下预清洗晶片,在使用硅晶片制造半....
    的头像 华林科纳半导体设备制造 发表于 06-29 17:06 887次 阅读
    清洗晶圆基板的方法是什么

    碳化硅场效应管SL19N120A

    碳化硅场效应管SL19N120A
    发表于 06-29 14:30 6次 阅读

    我国半导体即将追上韩国,我们该如何看待自己的高增长

    韩国媒体引用集邦咨询(TrendForce)数据并发表观点称,中国企业在全球前十大晶圆代工厂商中的份....
    的头像 fasdf 发表于 06-29 09:26 353次 阅读
    我国半导体即将追上韩国,我们该如何看待自己的高增长

    环球晶圆拟在德州投资50亿美元建设新工厂

    此前芯片制造商需要国会通过一项520亿美元芯片法案计划,这个法案目的是扩大美国半导体产业,减少对外国....
    的头像 汽车电子技术 发表于 06-28 18:34 409次 阅读

    森国科碳化硅二极管助力“中国芯”创新发展

    近日,由电子研习社主办的《第三届国产半导体技术大会》成功举办,现场邀请了千余名半导体领域的资深教授讲....
    的头像 森国科 发表于 06-28 15:20 260次 阅读

    安森美的VE-TracTM SiC系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势

    双碳目标正加速推进汽车向电动化发展,半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车,新一代半导体材料碳....
    发表于 06-28 10:48 205次 阅读
    安森美的VE-TracTM SiC系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势

    单晶片背面和斜面清洁(上)

    介绍 在IC制造中,从晶圆背面(BS)去除颗粒变得与从正面(FS)去除颗粒一样重要。例如,在光刻过程....
    发表于 06-27 18:54 338次 阅读
    单晶片背面和斜面清洁(上)

    cascade应对超低温挑战的专业化探针台系统

    应对超低温挑战需要专业化的探针台系统 低温测试环境首先需要一个真空腔室,以提供合适的密封和排空的环境....
    的头像 芯睿科技 发表于 06-24 18:19 38次 阅读

    Cascade高级精细的工具简化了超低温测试

    高级精细的工具简化了超低温测试 低温工具软件是一种Velox应用程序,通过控制真空泵和冷却液参数,可....
    的头像 芯睿科技 发表于 06-24 18:15 47次 阅读
    Cascade高级精细的工具简化了超低温测试

    利用数值模拟软件构建了两种6英寸SiC单晶生长模型

    碳化硅( SiC) 材料具有禁带宽度大、饱和电子速度高、临界击穿电场强度高、热导率高等特性,其品质因....
    的头像 半导体工艺与设备 发表于 06-24 14:30 71次 阅读

    安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战

    随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展,市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高....
    发表于 06-24 10:35 370次 阅读
    安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战

    芯片是硅单质还是二氧化硅

    芯片的主要成分是硅。首先芯片的原料是晶圆,而晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所提炼出来的,晶圆便是硅元素....
    的头像 姚小熊27 发表于 06-23 16:47 288次 阅读

    SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

    在图1的半桥电路中,动作管为下管S1,施加在上管S2的为关断驱动信号,其体二极管处于续流状态。当S1....
    发表于 06-23 10:57 34次 阅读
    SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

    CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发 高功率密度碳化硅(SiC)逆变器

    比利时蒙-圣吉贝尔/美国Bare–2022年6月23日– 高温半导体和功率模块领域的领导者CISSO....
    发表于 06-23 10:23 175次 阅读
    CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发 高功率密度碳化硅(SiC)逆变器

    晶圆是什么,晶圆的型号有哪些、该如何区分

    就如同我们盖房子,晶圆就是地基,如果没有一个良好平稳的地基,盖出来的房子就会不够稳定,为了做出牢固的....
    的头像 半导体行业相关 发表于 06-22 17:49 563次 阅读
    晶圆是什么,晶圆的型号有哪些、该如何区分

    晶圆封装设备介绍

    晶圆封装设备介绍
    发表于 06-22 15:40 25次 阅读

    光刻支出对芯片行业的影响

    在比较我们的单片设计与小芯片 MCM 设计时,我们的光刻工具时间显着增加,因为晶圆必须扫描 1.87....
    的头像 要长高 发表于 06-21 14:43 442次 阅读
    光刻支出对芯片行业的影响

    博世为汽车新能源事业和碳中和持续注能

    近日,广东芯聚能半导体有限公司(AccoPower)向博世汽车电子事业部半导体业务单元发送了碳化硅芯....
    的头像 博世汽车电子事业部 发表于 06-21 10:37 440次 阅读

    博世将累计追加投资在罗伊特林根增建无尘车间

    近日,广东芯聚能半导体有限公司(AccoPower)向博世汽车电子事业部半导体业务单元发送了碳化硅芯....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-21 10:36 256次 阅读

    未来5-10年半导体行业谁将成为领导者?

    英特尔选择了曾经是德国钢铁工业重镇的马格德堡,并决定最初在此建设两座晶圆厂,最终可能有八座晶圆厂落户....
    的头像 木南hlkn 发表于 06-21 10:26 346次 阅读
    未来5-10年半导体行业谁将成为领导者?

    芯片短缺,全球企业“抱团借力”是未来?

    对于芯片厂商来说,代工厂们的产能增加速度跟不上芯片需求量的增长,更重要的是拿不到100%保障。而通过....
    的头像 要长高 发表于 06-20 15:56 664次 阅读
    芯片短缺,全球企业“抱团借力”是未来?

    器件市场复合年增长率的增长情况

    随着这些公司将 SiC 发展为价值数十亿美元的业务,未来几年的竞争也可以在供应链整合中确定。主要参与....
    发表于 06-18 14:53 2次 阅读
    器件市场复合年增长率的增长情况

    全球晶圆短缺的应对之道

    来源:半导体芯科技 Simon编译 近几年,全球晶圆供求失衡,200mm晶圆短缺会持续数年。晶圆生产....
    的头像 半导体芯科技SiSC 发表于 06-17 16:24 376次 阅读
    全球晶圆短缺的应对之道

    碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和炉前清洁

    碳化硅MOSFETs进入量产阶段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的开关效率,非常适合高温和中高压应....
    的头像 华林科纳半导体设备制造 发表于 06-17 15:30 187次 阅读
    碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和炉前清洁

    SiC N沟道IGBT器件研制的最新成果

    超高压 SiC N 沟道 IGBT 器件元胞的基本结构如图 1 所示。N+ 区域定义为源区,相应的电....
    的头像 半导体工艺与设备 发表于 06-17 09:25 200次 阅读

    浅谈射频前端产业的起起落落

    根据TrendForce集邦咨询的数据,2022全年5G手机全球市占将达50%,约当6.61亿部。虽....
    的头像 要长高 发表于 06-16 11:31 683次 阅读
    浅谈射频前端产业的起起落落

    富昌电子SiC设计分享(二):碳化硅器件驱动设计之寄生导通问题探讨

    作者:富昌电子 星空   校稿:富昌电子 萧峰   富昌电子(Future Electronics)....
    发表于 06-16 07:00 3865次 阅读
    富昌电子SiC设计分享(二):碳化硅器件驱动设计之寄生导通问题探讨

    SiC功率元器件在医疗领域的应用

    与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,已经成....
    的头像 罗姆半导体集团 发表于 06-15 16:00 244次 阅读

    2022全球晶圆厂设备支出超1000亿美元,突破历史记录!

    近日,国际半导体产业协会发布了一项报告,该报告称2022年全球晶圆厂的设备支出预计将达到1090亿美....
    的头像 汽车玩家 发表于 06-15 15:58 390次 阅读

    设计一颗IC芯片时究竟有哪些步骤

    昨天的文章中金誉半导体就提到了,芯片制作的第一个步骤就是制定芯片方案设计,只有把芯片的内部制造方案设....
    的头像 半导体行业相关 发表于 06-15 15:22 3166次 阅读
    设计一颗IC芯片时究竟有哪些步骤

    Ti 6.6kw三相交错式PFC参考设计

    Ti 6.6kw 三相交错式 PFC
    发表于 06-15 14:23 49次 阅读

    芯片是什么,芯片内部制造工艺的介绍

    芯片是电子产品里面的一种微型电子器件或部件,芯片目前已经成为我们生活中不可或缺的物件。
    的头像 半导体行业相关 发表于 06-14 16:38 1152次 阅读

    英飞凌推出Sixpack三相桥碳化硅产品系列

     新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET(M1H),首发型号为EasyPACK™和....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-14 09:47 276次 阅读

    碳化硅系统能为OBC带来哪些好处

    新能源汽车行业的发展与进步,提升新能源汽车续航里程成为了行业发展的主要任务之一,在动力电池能量密度不....
    的头像 h1654155959.1779 发表于 06-13 14:27 255次 阅读

    Soitec 公布 2022 财年全年财报,营收突破 10 亿美元

      ● 2022 财年收入首次突破 10 亿美元,合 8.63 亿欧元,较 2021 财年增长 50....
    的头像 21克888 发表于 06-13 14:04 375次 阅读
    Soitec 公布 2022 财年全年财报,营收突破 10 亿美元

    你知道为飞机电源管理提供解决方案的碳化硅吗?

    碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料,可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率,同时减少散热。高温可操作性降...
    发表于 06-13 11:27 5291次 阅读

    WLI PL适合用于测量等离子切割刻蚀沟槽

    由于其平行照明,WLI PL非常适合用于测量具有高深宽比的等离子切割刻蚀沟槽,因为大部分光到达了刻蚀....
    的头像 tjxinrui 发表于 06-13 10:14 189次 阅读

    OptoVue Pro为探针台带来更精确的校准结果

    我们最近为CM300xi探针台推出了一些革命性的新型硅光子(SiPh)探针解决方案。这些新功能之一是....
    的头像 tjxinrui 发表于 06-13 10:08 233次 阅读

    晶圆上超导材料低温晶圆测试正在升温

      近年来,在低温(低于123K或-150°C)下,晶圆上超导材料,其他新型材料和传统半导体的使用迅....
    发表于 06-13 10:05 38次 阅读

    芯源与士兰集科签署战略合作协议

    此次沈阳芯源公司12寸高产能KrF涂胶显影量产机台的顺利交付,将会为士兰集科提供更加高端的光刻工艺解....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-12 10:57 413次 阅读

    2.95亿晋升第一大股东!扬杰科技收购楚微半导体40%股权,布局SiC业务

    在业内频传并购消息时,扬杰科技发布公告称,将以公开摘牌方式收购楚微半导体40%的股权,成交价格为2.....
    的头像 Monika观察 发表于 06-12 08:00 1030次 阅读
    2.95亿晋升第一大股东!扬杰科技收购楚微半导体40%股权,布局SiC业务

    Apollo 探针卡的主要特征是怎样的

    Apollo 探针卡概述 为了满足消费者对于低价、低功耗和高连接性的便携式计算产品的需求,半导体行业....
    发表于 06-09 15:05 36次 阅读

    碳化硅量子点的制备及应用研究

    寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战,因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物....
    发表于 06-09 14:58 37次 阅读
    碳化硅量子点的制备及应用研究

    概伦电子提取平台SDEP™助力三星代工厂设计团队实现快速迭代

    概伦电子(股票代码:688206.SH)宣布其智能半导体器件模型自动化提取平台SDEP™被三星代工厂....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-09 09:20 400次 阅读

    浅谈晶圆代工厂制程节点和应用

    当MCU需求激增时,8英寸晶圆往往会生产更多的MCU,而不是价格较低的MOSFET。另一方面,PMI....
    的头像 要长高 发表于 06-08 10:34 1419次 阅读
    浅谈晶圆代工厂制程节点和应用

    碳化硅头部企业基本半导体完成C2轮融资,广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾联合投资

    6月7日,国内第三代半导体碳化硅功率器件头部企业——基本半导体在公司成立六周年之际宣布完成C2轮融资....
    的头像 21克888 发表于 06-07 18:07 1307次 阅读
    碳化硅头部企业基本半导体完成C2轮融资,广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾联合投资

    汽车领域的芯片短缺正在得到缓解

    对于芯片供应问题能否持续缓解,宝马和大众公司认为,僵局或在2022年下半年开始打破。摩根士丹利也在近....
    的头像 要长高 发表于 06-06 14:55 1779次 阅读

    如何选取SiC门极电压

    在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-06 09:57 289次 阅读
    如何选取SiC门极电压

    UnitedSiC第四代技术提供TO247-4L封装

    UnitedSiC(现名Qorvo)扩充了其1200V产品系列,将其突破性的第四代SiC FET技术....
    的头像 科技绿洲 发表于 06-06 09:33 396次 阅读
    UnitedSiC第四代技术提供TO247-4L封装

    从硅过渡到碳化硅,MOSFET的结构及性能优劣势对比

    近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温...
    发表于 03-29 10:58 1174次 阅读

    SIC碳化硅MOS选型大全

    SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具...
    发表于 02-17 14:36 9016次 阅读

    IC 芯片设计流程简述

    工程师们在设计一颗 IC 芯片时,究竟有哪些步骤?...
    发表于 10-27 06:43 1355次 阅读

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN) 伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的...
    发表于 09-23 15:02 3372次 阅读
    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

    什么是晶圆

    什么是晶圆
    发表于 09-23 14:26 1404次 阅读

    了解一下SiC器件的未来需求

    引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了...
    发表于 09-15 07:42 1484次 阅读

    请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些

    请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些?
    发表于 08-03 07:34 1960次 阅读

    什么是半导体晶圆?

    半导体晶圆(晶片)的直径为4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圆盘,在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正(P)型半导体或负...
    发表于 07-23 08:11 1574次 阅读

    SiC技术在WInSiC4AP中有什么应用?

    WInSiC4AP的主要目标是什么? SiC技术在WInSiC4AP中有什么应用? ...
    发表于 07-15 07:18 1126次 阅读

    NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

    86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 06:02 332次 阅读
    NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

    NLU1G86 单路2输入异或门

    6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 05:02 363次 阅读
    NLU1G86 单路2输入异或门

    NLU1G32 单路2输入或门

    2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 336次 阅读
    NLU1G32 单路2输入或门

    NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

    78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 503次 阅读
    NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

    NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

    01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-03 04:02 192次 阅读

    NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

    125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 17:02 160次 阅读
    NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

    FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

    是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 01:02 259次 阅读

    NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

    B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 355次 阅读

    NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

    120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 255次 阅读

    NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

    B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 247次 阅读

    FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

    一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
    发表于 07-31 04:02 309次 阅读

    NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

    低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
    发表于 07-30 08:02 207次 阅读
    NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

    NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

    4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 637次 阅读

    NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

    3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
    发表于 07-30 04:02 565次 阅读

    NCP3231A 高电流同步降压转换器

    1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 410次 阅读

    NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

    1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 236次 阅读

    NCP3231 高电流同步降压转换器

    1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 313次 阅读

    NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

    2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 206次 阅读

    NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

    C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 259次 阅读

    NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

    5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 03:02 333次 阅读