西安紫光国芯SeDRAM™斩获第十六届“中国芯” 年度重大创新突破产品奖

12月20日下午，2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海开幕。本次大会由中国电子信息产业发展研究院、珠海市人民政府、横琴粤澳深度合作区执行委员会主办。本届大会的主题是“链上中国芯 成就中国造”。

第十六届“中国芯”优秀产品征集结果介绍及发布仪式是本届大会的一大亮点。“中国芯”评选活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一，16年来持续鼓励中国集成电路行业产品创新、技术创新和应用创新，推动国内集成电路企业实现关键技术的突破，并积极影响和带动了中国半导体行业的整体发展。

本次“中国芯”评选活动共设置五大奖项，其中压轴的“年度重大创新突破产品奖”主要授予本年度有重大技术创新，对我国集成电路产业发展具有重大意义的芯片产品，共有38家企业申报。最终，包括西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）在内的三家企业芯片从40款产品中突围，成功斩获含金量极高的“中国芯”年度重大创新突破产品奖，技术驱动国内集成电路行业的创新发展。

 
“年度重大创新突破产品奖”颁奖仪式

SeDRAM™突破性能瓶颈

根据进一步了解，西安紫光国芯此次获奖的异质集成嵌入式DRAM（SeDRAM™）可以突破冯•诺依曼架构的性能瓶颈，能够满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。

 
西安紫光国芯SeDRAM™斩获年度重大创新突破产品奖

西安紫光国芯的SeDRAM™技术采用纳米级互连将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现嵌入式存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的逻辑工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC客户能够方便简单地集成。

西安紫光国芯常务副总裁江喜平表示，“西安紫光国芯历时七年研发的SeDRAM™技术和平台，成功地实现了DRAM晶圆和SoC晶圆的异质集成，提供了业界领先的超大带宽、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解决方案。获此殊荣，是公司长期坚持技术创新取得的研究成果，也是业界同仁对公司创新能力、产业影响力的高度认可。未来，西安紫光国芯将继续以创新为驱动力，持续深耕DRAM和SoC设计技术，为集成电路行业带来更多有价值的创新应用，推动产业快速发展”。

基于SeDRAM™技术和平台实现量产的芯片亮相大会展区

亮相本次大会展区的，还有基于SeDRAM™技术和平台开发的超大带宽、超大容量、超低功耗的大数据分析芯片和三维DRAM LPDDR4芯片。据了解，这些产品处于世界领先水平，并且实现了大规模量产和销售。

西安紫光国芯展位现场

作为DRAM领域的先行者，西安紫光国芯勇于创新、专注硬科技，是以DRAM（动态随机存取存储器）存储技术为核心的产品和服务提供商，拥有掌握存储器和集成电路核心设计与测试技术的国际化团队，以及世界领先水平的存储器和SoC测试实验室、模组应用实验中心。公司产品持续量产销售国内外，积累了良好的存储器和SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。

基于SeDRAM™技术和平台的多款产品和研究成果受到广泛认可

依托开放式、定制化、平台式的合作模式，西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力，成功帮助有大带宽、低功耗需求的客户开发多款产品，其中几款产品已经实现了大规模量产和销售。

SeDRAM™技术和平台

同时，SeDRAM™技术和平台成功开发以来，基于该技术的多款产品和研究成果，已先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多个业界顶级期刊、会议上公开发表和作专题报告。其中一款产品的相关论文也被ISSCC 2022收录，将于明年2月公开发表。

依托多年来在集成电路领域的前瞻性技术研发积淀，西安紫光国芯关键核心技术水平和综合实力得到了权威机构和业界人士的一致认可。同时，公司专注创新、持续突破，以DRAM和SoC技术为核心，开发领先的集成电路产品，服务国内外客户，在产业链协同和赋能产业生态建设方面均发挥了良好的示范作用。

着眼未来、前瞻布局，西安紫光国芯将以先进技术为支撑，积极引领中国集成电路产业发展实现新突破，助推科技发展。

附：公司简介

西安紫光国芯半导体有限公司简介

西安紫光国芯前身为成立于2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部，2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司，2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年被紫光集团收购并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

公司是国家高新技术企业，并入选国家鼓励重点集成电路设计企业清单，拥有掌握存储器和集成电路核心设计与测试技术的国际化团队，已经发展成为包括产品研发、规模量产和全球销售的综合性集成电路设计企业。

西安紫光国芯是以DRAM（动态随机存取存储器）存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括存储器设计开发，存储器产品量产销售，以及专用集成电路设计开发服务。产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务。公司自成立以来，一直专注于存储器特别是DRAM存储器的研发和技术积累，产品持续量产销售到国内外，积累了良好的存储器和SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。

一流的存储和数字电路测试分析中心

西安紫光国芯拥有存储器和SoC测试实验室、应用实验室、模组测试线和ASIC测试实验室四个大型的存储和数字电路分析中心。配备有存储器产品量产测试（AdvantestT5503HS2/T5620/T5581H/T5571/T5585/T5593/T5833）设计验证和分析测试(HSM3600/V93000)以及ASIC测试(Advantest 93k/TeradyneJ750/UF3000)等多种机台以及配套测试测量设备。支持各类存储器和逻辑产品，覆盖晶圆、颗粒和模组等多种形态的功能和性能测试验证分析、量产测试工程开发、应用工程测试、可靠性试验，以及小批量试产和工程样品。