三星新一代内存芯片DDR5性能提高两倍

近年来，随着用户需求的增加，计算能力也在快速增长。从手中的移动设备到工厂的互联机器，全球数据量都在成倍数增长。这些数据为构建数据分析、超级计算、机器学习和人工智能等高性能计算提供动力。

提高速度，降低能耗

满足尖端计算的需求

为了应对上述变化，计算机不仅需要超快的微处理器，还需要能够快速、高效和可持续地处理这些数据量的内存解决方案。三星的创新正在帮助满足这一需求，通过应用迄今为止只能在逻辑半导体中找到的 DRAM（动态随机存取存储器）的开发技术来优化其性能。

向DDR5的飞跃

与上一代产品DDR4（第四代双倍数据速率内存)相比，三星新一代内存芯片DDR5（第五代双倍数据速率内存）的性能提高了两倍以上，传输数据速度最高可达每秒7200Mbps，超高速处理器的运算速度进一步提高。

计算机内存由内存单元组成，每个单元都能存储电荷。如果单元带电荷，计算机软件将此解读为二进制状态“1”。如果单元不带电荷，计算机软件将此解读为二进制状态“0”。通过这种方式，随机存取存储器（Random Access Memory ，RAM) 使用电荷来存储和处理构成计算机代码的数百万个 1 和 0。然而近年来，计算机内存芯片的制造商们一直在突破物理学的极限：为了使内存发挥作用，单元之间需要相互隔绝。否则，电荷可能会在单元间泄漏，损坏RAM 中保存的数据，阻止需要这些数据的程序运行。为了克服这些限制，提高DRAM芯片的性能，三星将主要用于逻辑芯片的高电介质金属栅极(High-K Metal Gate，HKMG) 工艺技术，应用到了密集的内存芯片上。这改善了紧密包装的单元之间的绝缘性，数据移动速度达到了DDR4的两倍以上。 HKMG技术的引进，得益于三星的行业和技术优势，也是三星与客户密切合作的结果。

具有内置可持续性的功率增强系统

三星DDR5内存的能耗比上一代减少了 13%，这项成果尤为重要，因为全球数据中心市场正以每年 6.4% 的速度增长。数据中心已经消耗了大约1%的全球能源产量，如果将来能源行业没有发生重大改变，那么这个数字在未来10年内会增长40倍。对于数据中心的运营商和使用高性能计算的其他用户来说，需求已经非常明确：他们迫切需要拥有能够赋予他们更多处理能力的技术，同时减少环境足迹。这正是三星新款DDR5模块及其HKMG工艺技术希望交付的产品。三星的DDR5内存为电力用户提供了高容量节能内存模块，以在性能和效率之间达到平衡。

512 GB内存提升

适用于数据密集型的工作负载

三星DDR5内存使用硅通孔（Through Silicon Via，TSV)技术堆叠了8层16 GB DRAM 芯片，从而能够提供容量高达512GB的DDR5内存。三星研究人员和工程师实现了内存芯片的创新核心技术，因此，三星的合作伙伴能够在机器学习，人工智能，分析、超大规模计算，以及其他新兴数据密集型工作量的前沿计算等领域中将DDR5内存产品集成和使用于自身产品中。

三星电子DRAM内存规划/启用团队副总裁 Sohn Young-Soo 表示：“该行业确实需要一个变革者，而三星同时拥有逻辑芯片和内存功能，能够将HKMG技术融入内存产品的开发。凭借DDR5内存模块，三星为业界提供了能够快速扩展性能并降低功耗的优质工具。新冠肺炎加快了企业和社会的数字化转型，在这种情况下，DDR5内存的出现不仅对行业来说是好消息，也是向未来数字世界迈出的关键一步。”

*本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考，三星有可能对上述内容进行改进，具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星官网（www.samsung.com/cn）。除非经特殊说明，本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。

原文标题：三星半导体｜DDR5内存解决方案：性能提高两倍，节能13%！

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审核编辑:汤梓红