芯片制造全过程详解
芯片究竟是什么？为什么会成为人类不可或缺的核心科技？一个小小的硅片，承载着几千万甚至数百亿的晶体管，它是如何被设计和制造出来的？
芯片设计可分为规格定义、系统级设计、前端设计和后端设计4大过程。
芯片制作完整过程包括：芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。
有了设计好的“蓝图”，就可以开始芯片生产流程中的制造过程了
1、硅纯化制作晶圆
晶圆（Wafer）经过抛光处理及一系列严格筛查后，投入第一阶段的生产工艺，即前段生产（Front End Of Line）。这一阶段主要完成集成晶体管的制造，包括光刻、薄膜、刻蚀、清洗、注入等几大模块的工艺。
2、晶圆涂膜
3、晶圆光刻显影、蚀刻
4、搀加杂质
5、晶圆测试
6、芯片封装
7、测试、包装
海思官网，个人图书馆，仪器网综合整理
责任编辑：李倩
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2 设计步骤:
2.1 绘线路图、PCB Layout.
2.2 变压器计算.
2.3 零件选用.
2.4 设计验证.
3设计流程介绍(以 DA-14B33 为例):
3.1线路图、PCB Layout 请参考资识库中说明.
3.2变压器计算:
变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，以下即就 DA-14B33 变压器做介绍.
3.2.1
决定变压器的材质及尺寸:
依据变压器计算公式
B(max) =铁心饱合的磁通密度(Gauss)
Lp =一次侧电感值(uH)
Ip =一次侧峰值电流(A)
Np =一次侧(主线圈)圈数
Ae =铁心截面积(cm2)
B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定，以 TDK Ferrite Core PC40 为例，100℃时的 B(max)为3900 Gauss，设计时应考虑零件误差，所以一般取 3000~3500 Gauss 之间，若所设计的 power 为Adapter(有外壳)则应取 3000 Gauss 左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做较大瓦数的 Power。
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