Raytheon Technologies和格芯达成战略协作，助力未来无线网络发展

双方达成战略协作并签订许可协议，共同开发新的氮化镓技术，助力发展未来的无线网络

领先的航空航天和国防科技公司RaytheonTechnologies（NYSE：RTX）和全球领先的特殊工艺半导体制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）将协作开发新型硅基氮化镓（GaN-on-Si）半导体并实现其商业化。这种半导体将为5G和6G移动及无线基础设施应用带来颠覆性的射频性能。

根据协议，Raytheon Technologies将授权格芯使用其专有的硅基氮化镓技术和专业知识，在其位于佛蒙特州伯灵顿的Fab 9厂开发这种新型半导体。氮化镓是一种独特的材料，用于制造可耐受高热量和高功率水平的高性能半导体。这种优点使得它非常适合处理5G和6G无线信号，因为这些信号需要比传统无线系统更高的性能水平。

“Raytheon Technologies是推动射频砷化镓技术发展的先驱之一，该技术已经广泛应用于移动和无线市场。同样，在推动氮化镓在先进军事系统中的使用方面，我们也处于前沿，”Raytheon Technologies首席技术官Mark Russell表示，“我们与格芯（GLOBALFOUNDRIES）达成的协议不仅展现了我们共同的目标，即以低廉的成本为客户提供高性能的通信技术，同时还将继续证明我们在先进国防技术上的投资如何改善人们的生活，并且保护人们的安全。”

“在这种重要5G实现技术的国内生产方面，格芯（GLOBALFOUNDRIES）设在埃塞克斯的晶圆厂处于领先地位，这令我倍感自豪。对于佛蒙特州及至整个美国，这都是一场胜利，”美国参议院拨款委员会主席Patrick Leahy参议员表示，“对于美国的半导体供应链和竞争能力而言，世界一流制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）与技术创新领导者Raytheon Technologies之间的这次协作是一大利好消息，在佛蒙特州开发的这种技术将掀起我们生活中的一场革命。”

“格芯（GLOBALFOUNDRIES）的创新推动了四代无线通信技术的演进，让40多亿人能够进行通信交流。我们与Raytheon Technologies的协作是一个非常重要的举措，旨在确保关键未来5G应用解决方案的开发和制造能力，”格芯首席执行官Tom Caulfield说道，“此次合作将涉及到众多应用领域，从支持人工智能的手机和无人驾驶汽车到智能电网，以及政府对数据和网络的访问，这种应用对国家安全至关重要。”

凭借格芯出色的制造能力，结合在射频、测试和封装方面的差异化服务，新的GaN产品将能提升射频性能，同时维持生产和运营成本，让客户能够达到全新功耗水平和功率附加效率（PAE），以满足不断演进的5G和6G射频毫米波工作频率标准。

与Raytheon Technologies的此次协作是格芯的最新战略性合作，它进一步证明了格芯公司致力于通过提供差异化解决方案来重新定义创新前沿，而业界的其他公司仍在采用日趋困难的传统技术升级。

原文标题：Raytheon Technologies和格芯携手加快5G无线连接技术发展

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责任编辑：haq