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基于ARM926EJ-S的SAM9G45的性能特性及应用电路分析

牵手一起梦 来源:电子工程网 作者:电子工程网 2021-04-05 16:08 次阅读

Atmel公司的SAM9G45是基于ARM 926EJ-S的32位MCU,集成了LCD控制器电阻型触摸屏,摄像机接口,音频,音频10/100和高速USBSDIO。处理器工作频率400MHz和具有多个100 + Mbps数据速率外设,主要用于工业和建筑物控制,HVAC,POS终端,打印机和医疗设备,带数据集中器的智能电网,人机接口(HMI)和机-机接口(M2M)。本文介绍了SAM9G45主要特性,附件图,系统控制器指示灯和评估板SAM9G45-EKES主要特性,架构图,电路图和元件布局图。

基于ARM926EJ-S的SAM9G45具有经常需要的用户界面功能和高数据速率连接的组合,包括LCD控制器,电阻式触摸屏,摄像头接口,音频,以太网10/100以及高速USB和SDIO。由于处理器以400MHz的频率运行,并具有多个100+ Mbps的数据速率外设,因此SAM9G45的性能和网络带宽或本地存储介质的带宽可提供足够的用户体验。

SAM9G45支持DDR2和NAND闪存接口,用于程序和数据存储。

内部133 MHz多层总线架构与37个DMA通道,双外部总线接口和包括64 KB SRAM的分布式存储器(可配置为紧密耦合存储器(TCM))保持了处理器和处理器所需的高带宽。高速外围设备。

这些I / O支持1.8V或3.3V操作,可针对存储器接口和外围I / O对其进行独立配置。此功能完全消除了对任何外部电平转换器的需求。此外,它还支持0.8球距封装,用于低成本PCB制造。

SAM9G45电源管理控制器具有高效的时钟门控和备用电池部分,可最大程度地减少活动和待机模式下的功耗。

SAM9G45主要特性:

•400 MHz ARM926EJ-S™ARM®Thumb®处理器

– 32 KB数据高速缓存,32 KB指令高速缓存,MMU

•内存

– DDR2控制器4组DDR2 / LPDDR,SDRAM / LPSDR

–支持4组DDR2 / LPDDR的外部总线接口,SDRAM / LPSDR,静态存储器,CompactFlash,带ECC的SLC NAND闪存

–一个64 KB内部SRAM,通过TCM接口以系统速度或处理器速度进行单周期访问

–一个64 KB内部ROM,嵌入引导程序

•外围设备

–支持STN和TFT显示屏的LCD控制器最大支持1280 * 860

– ITU-R BT。601/656图像传感器接口

–带有片上收发器的USB设备高速,USB主机高速和USB主机全速

– 10/100 Mbps以太网MAC控制器

–两个高速存储卡主机(SDIO,SDCard,MMC)

– AC‘97控制器

–两个主/从串行外围设备接口

–两个三通道16位定时器/计数器

–两个同步串行控制器(I2S模式)

–四通道16位PWM控制器

–两个2线接口

–四个具有ISO7816,IrDA,曼彻斯特和SPI模式的USART

–带有4线触摸屏支持的8通道10位ADC

•系统

– 133 MHz十二层32位AHB总线矩阵

– 37个DMA通道

–从NAND闪存,SDCard,DataFlash®或串行DataFlash引导

–带有片上上电复位的复位控制器

–可选的32768 Hz低功耗和12 MHz晶体振荡器

–内部低功耗32 kHz RC振荡器

–用于系统的一个PLL和针对USB高速优化的一个480 MHz PLL

–两个可编程的外部时钟信号

–高级中断控制器和调试单元

–周期间隔定时器,看门狗定时器,实时定时器和实时时钟

•I / O

五个32位并行输入/输出控制器

160个可编程I / O线与最多两个带施密特触发器输入的外围I / O复用

•封装

– 324球TFBGA,节距0.8毫米

基于ARM926EJ-S的SAM9G45的性能特性及应用电路分析

图1。SAM9G45框图

图2。SAM9G45系统控制器接合

图3。SAM9G45电源管理控制器

评估板SAM9G45-EKESAtmel®SAM9G45

-EKES是基于Atmel SAM9G45的微控制器的功能全面的评估平台。该评估套件允许用户广泛评估,原型设计和创建特定于应用的设计。

SAM9G45-EKES包括许多硬件外围设备,例如:

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