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176层3D NAND预计明年4月量产

lPCU_elecfans 来源:电子发烧友 作者:电子发烧友 2020-10-22 17:11 次阅读
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半导体行业的存储芯片细分领域,最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM,其中NAND Flash约占存储细分领域的44%。

今年8月,IC Insights在一份报告中预测到,NAND 今年有望成为第二大IC市场,销售额达560亿美元,增长27%,在33种IC产品类别中,增长最为强劲。

NAND Flash在智能手机中的eMMC、UFS,以及消费级SSD和企业级SSD中都会用到,应用领域主要包括数据中心消费电子、移动通信、汽车及工业领域。

近几年,NAND Flash在3D 堆叠和QLC技术上发展迅速,当前100层+3D NAND和QLC被认为是最新技术,不少厂商已经突破100层+,并且正在向更高层数推进,也有很多厂商已经推出几代QLC NAND,并在SSD中规模应用。

176层3D NAND预计明年4月量产

从全球范围来看,NAND Flash厂商主要有三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、SK海力士,以及中国台湾地区的旺宏,以及国内的长江存储、兆易创新、东芯半导体、北京君正(收购北京矽成)、南京扬贺扬微电子。

目前三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、SK海力士、长江存储已经推出或量产3D NAND产品。128层是目前已经量产的最高层数,三星、SK海力士已经实现量产。

美光公司在今年二季度财报电话会议中表示,公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器(128层)的量产工作,按计划将于2020 Q3 开始生产,Q4 向客户发货。

值得关注的是,国产领先NAND Flash厂商长江存储也已于今年4月份发布128层3D NAND产品,并将于今年年底或明年年初量产128层3D NAND。

与2D NAND 相比,3D NAND 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本,因此提高3D NAND 层数,产品的容量和性能将更高,这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3D NAND产品。

除了已经量产的128层3D NAND,英特尔预计将在今年年底实现更高层数144层产品的量产,另外三星正在开发176层第七代V-NAND,计划明年4月实现量产,SK 海力士也正在进行176层3D NAND的研发。

QLC SSD未来市场增量将非常可观

NAND可分为SLC、MLC、TLC、QLC,QLC是继SLC、MLC、TLC之后3D NAND的又一新技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。

图片来自网络

SLC、MLC、TLC、QLC有哪些区别?如上图所示,SLC(Single-Level Cell)每个Cell单元存储1bit信息,只有0、1两种电压变化,优点是寿命长、性能强,缺点是容量低、成本高。

MLC(Multi-Level Cell)每个cell单元存储2bit信息,电压控制比SLC复杂,有00,01,10,11四种变化,写入性能、可靠性降低,寿命较SLC低。

TLC(Trinary-Level Cell)每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,写入速度慢,寿命相对而言较MLC更低。

QLC(Quad-Level Cell)每个cell单元存储4bit信息,电压有16种变化,其最大的优点是容量能增加33%,缺点是写入性能、寿命与TLC相比会进一步降低。

性能、寿命相比之下都较低,为什么厂商还是积极推出QLC产品,闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong此前谈到,QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上,QLC SSD未来市场增量将非常可观。

Gregory认为,与传统HDD相比,QLC SSD更具性能优势。在企业级领域,QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘,闪存卡和SSD中普及。

目前已经有多家厂商陆续推出不同层数的3D QLC NAND,当前在SSD中使用的基本上市96层的3D QLC NAND,其中西部数据/铠侠已经推出112层3D QLC NAND,预计2020下半年大规模生产,长江存储已经推出128层QLC NAND,预计今年底或明年初量产。

英特尔最早于2017年推出了64 层 QLC NAND,2019年该公司又推出96层QLC NAND,预计今年年底推出的144层 3D NAND也将采用QLC技术。英特尔已经将QLC大规模应用在SSD中,据报道,截至今年2月,英特尔大连工厂共生产了1000万块QLC SSD。

美光之前与英特尔共同研发QLC NAND,并于2018年宣布64层3D QLC NAND产品开始生产和出货,随后美光还发布了Micron 5210 ION固态硬盘,是全球首款QLC NAND SSD,相比TLC NAND提供的位密度提高33%。2020年5月,美光推出了两款SSD,其中一款2210 SSD就采用了是96层 3D QLC NAND。

三星2019年在自己研发的860 QVO固态硬盘,嵌入一颗容量高达1TB的V-NAND QLC颗粒,2020年7月,三星发布了新款870 QVO SSD,采用其第二代 QLC 闪存,92层堆叠,可提供最高 560 MB/s 和 530 MB/s 的顺序读取和写入速度。

西部数据与铠侠合作于2017年研发了64层3D QLC,2018年中,西部数据推出新的96层,密度为1.33Tb的3D QLC,2019年11月,该公司宣布其基于96层3D QLC颗粒的产品在2019年第三季度开始出货。2020年2月,西部数据宣布已经与合作伙伴铠侠成功研发出第五代3D NAND技术BiCS5,采用112层堆叠,BiCS5架构主要基于TLC和QLC技术,将在2020年下半年大规模生产。

长江存储今年四月份首次推出QLC 3D NAND,不过值得关注的是,长江存储推出的这款QLC 3D NAND是128层的,是目前推出的QLC 3D NAND产品中层数最高的产品,长江存储表示,该产品已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证,预计今年底或者明年初量产。

小结

近几年NAND Flash的价格波动也相当大,2019年上半年,因为市场需求低迷,消费类NAND Flash价格大跌30%以上,后来价格也是反复。

今年第一季度因为疫情原因,供货紧张,其价格涨幅超过30%,随后NAND市场一直呈现下跌趋势,据TrendForce最新预测,智能手机市场需求疲软,服务器需求没有复苏迹象,预计第四季度价格将会持续下降,季跌幅约为10%。

不过不管是从短期还是长期来看,更高层数和QLC技术带来的更大容量和更低成本,将更有助于厂商获得更多市场机会。

责任编辑:lq

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原文标题:太强了!国际大厂3D NAND明年高达176层,国产QLC跻身第一梯队!

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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