常见逻辑电平介绍和基本概念

本篇为逻辑电平系列文章中的第一篇，主要介绍逻辑电平相关的一些基本概念。后续将会介绍常见的单端逻辑电平（针对CMOS的闩锁效应进行详细介绍）、差分逻辑电平、单端逻辑电平的互连、差分逻辑电平的互连、一些特殊功能的互连、逻辑互连中的电流倒灌问题、以及逻辑电平的转换等。

1、常见逻辑电平

常见的逻辑电平如下：

• 单端：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、GTL、BTL、ETL、GTLP、SSTL2-I、SSTL2-II、SSTL3-I、SSTL3-II、HSTL-I、HSTL-II、HSTL-III、HSTL-IV、HSUL_12、POD12、POD10等；
• 差分：ECL、PECL、LVPECL、LVDS、BLVDS、LP-LVDS、CML、DIFF_HSTL、DIFF_SSTL、DIFF_HSUL、TMDS、PPDS、RSDS等。

TTL逻辑输出形式包括集电极开路输出（OC）、三态门输出（TSL）、复合管（达林顿管）和图腾柱输出。

开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时OC、OD门需要接阻值合适的上拉电阻，OE门需要接阻值合适的下拉电阻。

常见逻辑电平的标准如下：

• RS232：ANSI/TIA/EIA-232-F-1997
• RS422：ANSI/TIA/EIA-422-B
• RS485：ANSI/TIA/EIA-485-A
• LVTTL/LVCMOS：JESD8-5，JESD8-B
• SSTL：JESD8-8，JESD8-9B，JESD8-15
• HSTL：JESD8-6
• POD12：JESD8-24
• LVDS：ANSI/TIA/EIA 644
• SCI-LVDS：IEEE 1596.3
• MLVDS：ANSI/TIA/EIA 899-2001

2、逻辑电平的基本概念

• 输入高电平下限（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
• 输入低电平上限（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
• 输出高电平下限（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值（最小输出高电平），逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
• 输出低电平上限（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值（最大输出低电平），逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
• 阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平>Vih，输入低电平＜Vil。对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：Voh>Vih>Vt>Vil>Vol。
• Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
• Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
• Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
• Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。

VCC	Voh	Vih	Vt	Vil	Vol	GND
TTL(4.5~5.5V)	5	2.4	2	1.5	0.8	0.4
CMOS(4.5~5.5V)	5	4.44	3.5	2.5	1.5	0.5
LVTTL(3~3.6V)	3.3	2.4	2	1.5	0.8	0.4
LVCMOS(2.7~3.6V)	3.3	2.4	2	1.5	0.8	0.4
LVTTL(2.3~2.7V)	2.5	2	1.7	1.2	0.7	0.2
LVCMOS(2.3~2.7V)	2.5	2.3	1.7	1.2	0.7	0.2
LVCMOS	1.8	1.35	1.17	0.9	0.63	0.2
LVCMOS	1.5
LVCMOS	1.2
LVDS(RS644)	2.4	1.32	1.26	1.2	1.15	1.07
ECL	-5.2
PECL	5	4.12	3.76	3.7	3.64	3.28
LVPECL	3.3	2.42	2.06	2	1.94	1.58
ETL(4.5~5.5V)	5	2.4	1.6	1.5	1.4	0.6
BTL/FB		2.1	1.62	1.55	1.47	1.1	1
GTL	5/3.3/2.5	1.2	0.85	0.8	0.75	0.4
GTL+/GTLP		1.5	1.2	1	0.8	0.6
RS232		5	3	0	-3	-5	0
RS422/485		3.3	1.9	1.8	1.7	0.3

3、电压驱动和电流驱动

在传输线理论分析的时候，总是分析一个电压波形的传递，并未考虑电流能力（驱动电流的大小），而事实上，对于高速信号来说，为了要快速响应，或者长距离传输，都是采用电流驱动的。

LVDS/LVPECL/CML等电平，在输入端都有匹配电阻（50/100欧姆），这些电阻对于输入门来说承担的是把电流转换成电压的任务。因为对于一个输入逻辑门来说，它对电流的需求并不大，它需要的是足够的电压幅度。既然芯片需要的是电压幅度，为何输出端不直接把电压传递过来呢。那是因为电压传递速度比较慢，并且容易受到干扰。而电流驱动反应速度快，抗干扰能力强。

电流驱动型链路，在接收端都有一个电流转成电压的电路（这个电路同时也承担着匹配的任务）。

大家可以理解一下TTL/CMOS电路，如果驱动能力比较弱的话，信号的上升沿和下降沿就会很缓，能传的频率就会很低。虽然单端信号如TTL/CMOS信号的频率特性与驱动电流有关，但还是应该称这类的信号为电压驱动类型的信号。

4、扇入扇出系数

扇入系数，是指门电路允许的输入端数目。一般TTL电路的扇入系数Nr为1～5，最多不超过8。若芯片输入端数多于实际要求的数目，可将芯片多余输入端接高电平(VCC)或接低电平(GND)。

扇出系数，是指一个门的输出端所能驱动同类型门的个数，或称负载能力。Nc=IOLMAX/IILMAX，这是一个通俗的定义，一般用在TTL电路的定义中。其中IOLMAX为最大允许灌电流，IILMAX是一个负载门灌入本级的电流。

TTL电路的扇出系数Nc为8～10。

IOL/IOH是测试芯片的扇出能力，IOL是测试灌电流，IOH是测试拉电流。对于IOH，在外面的负载增加的情况下，肯定会引起VOH降低，所以负载的个数是有限的（因为必须保证输出电压大于VOH）。也就是说IOH、IOL测量的是芯片输出buffer的内阻大小（芯片输出管脚跟普通的电源一样，它的内阻大小决定了芯片的驱动能力。内阻越小则IOH越大，外接负载时，负载对输出高电平的影响越小，驱动能力越大；内阻越大，接入负载后，在负载上的分压就小，当小于VOH时驱动能力就不能满足要求了）。器件的扇出能力主要取决于器件的输出阻抗，及电源电压和电平规格。

IOL/IOH应该是越大越好，因为越大，该管脚驱动能力就越强，能驱动的管脚数目也越多（扇出系数）。但对于设计来说，IOL/IOH越大，需要输出级导通电阻做的更小，那就要使管子的宽长比(W/L)足够大，L制约于工艺的特征尺寸，只能再增加W，这样会使芯片的面积增大造成成本增加，所以对于IOL/IOH需要的是合适值而非最大值。

编辑：hfy