5G基站建设将迎来高峰，这些讯号会给半导体产业带来哪些利好?

如今，5G商用进程不断提速，加之前段时间高层多次点名”新基建”，5G基站建设或将迎来高峰，这些讯号将会给半导体产业带来哪些利好？作为全球知名半导体厂商，罗姆（ROHM）在5G方面的战略布局是怎样的？5G之下，罗姆将如何乘势而为？

据了解，罗姆针对无线基站推出了多款解决方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC转换器等，助力电信运营商及设备生产商更好地完成4G到5G的平稳升级。

<针对UPS供电的电源IC>

罗姆针对UPS供电方式，提供外置FET的升降压开关控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降压型DC/DC转换器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的输入电压范围为3.8V~30V，开关频率在100kHz~600kHz，能够在-40℃~+125℃工作温度范围内稳定运转。这些优质特性让其不仅能够用于基站建设，还能够应用于汽车设备、工业设备和其他电子设备。

BD9F800MUX输入电压范围为4.5V~28V，开关频率在300kHz或600kHz，最大输出电流为8.0A，封装尺寸为3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建设方面，可用于DSP、FPGA、微处理器等的降压电源。此外，也可用于液晶电视、DVD /蓝光播放器、录像机、机顶盒等消费电子设备。

BD9B304QWZ的主要优点是通过高效率实现低功耗工作。Deep-SLLM控制（升级版低负荷高效率模式）可实现80%以上的效率。同时，BD9B304QWZ是内置MOSFET的同步整流器，无需外部FET和二极管，节省安装空间，实现了低成本。

基于上述各自的优点，BD9B304QWZ和BD9F800MUX虽然特性各不相同，但是应用范围基本相同，可用于基站建设中DSP、FPGA、微处理器等的降压电源，也可用于液晶电视、DVD /蓝光播放器、录像机、机顶盒等消费电子设备。

<针对HVDC供电的电源IC>

针对HVDC供电方式，罗姆提供80V/3A DC/DC 转换器“BD9G341AEFJ-LB”等产品。

BD9G341AEFJ-LB内置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET，采用电流模式控制，实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。除了内置过流保护、欠压锁定、过热保护、过压保护等这些基本保护功能外，还能实现了0µA待机电流和软启动。相比一般产品，BD9G341AEFJ-LB实现了诸多方面的突破，包括更高的工作电压、更大的工作电流和更小的封装尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作条件下，当输出电流在0~100mA范围时，BD9G341AEFJ-LB相较于一般产品在能效上提高了8%-17.6%。

为了满足未来包括基站电源在内的庞大的市场需求，罗姆将在DC/DC转换器方面继续开发相关产品。

<为5G基站带来革新的SiC功率元器件>

当然，除了供电方式发生变化，5G基站建设对器件材料变革也有推动作用。由于高频、高温、抗辐射以及大功率等挑战，以SiC功率元器件为首的高性能半导体材料将在5G建设上有重要应用。为了帮助客户更好地应对5G基站建设过程中的上述挑战，罗姆已经推出第三代碳化硅材料的肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。相较于第二代产品，第三代拥有更好的正向电压（VF）特性和更好的反向电流（IR）特性。

得益于罗姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性，客户在设计产品的过程中可以采用更低的开启电压，在正向切为反向时，为了降低功耗，器件将产生更小的瞬态电流。但是，因为SiC-SBD的瞬态电流本质上不随正向电流变化，恢复时产生的恢复电流很小，降低了系统噪声。

相比一般产品，第三代 650V SiC-SBD表现出更好的产品性能，包括实现更高的IFSM，更低的漏电流，以及进一步降低VF等。

目前，罗姆在650V SiC-SBD方面拥有丰富的产品组合。

面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战，罗姆将持续保证所供应电源器件的稳定性和耐久性，助力运营商和设备厂商完成高速稳定的网络覆盖。
责任编辑：tzh