SSD硬盘现在已经开始从TLC闪存向着QLC闪存升级,未来很快还会升级到PLC,容量还会增加,但是代价就是写入寿命越来越低。从行业报告来看,PLC闪存的P/E寿命最短只有35次。
我们都知道NAND闪存的一些基本特性,那就是随着TLC、QLC及PLC的升级,P/E寿命会下降,同时制程工艺升级的话P/E寿命也会下降,双重叠加之后先进工艺的QLC、PLC寿命就会很难看。
那下降的到底有多严重,从行业报告来看,SLC闪存在5xnm工艺下寿命有11000次P/E,在3X、2X、1Xnm工艺下会下降到10000、7500、5000次,总体还是耐看的。
MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次,TLC则会极速下滑到500次,QLC再次下降一个量级到70次,PLC闪存则是直接降至35次,理论上就是35次全盘写入就不行了。
从这些数据来看,QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看,不过也别担心,上面的数据是2D NAND工艺下的,3D NAND闪存对工艺要求不高,P/E寿命还是可以看的。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1688浏览量
114226 -
plc
+关注
关注
4975文章
12254浏览量
454912 -
qlc
+关注
关注
0文章
56浏览量
12431
发布评论请先 登录
相关推荐
三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290层
据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存,其IO接口速度可达3.2GB/s。
长江存储QLC闪存寿命实现重大突破
根据官方介绍,长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。
发表于 04-03 15:04
•171次阅读
佰维存储斩获“增长最快的闪存制造商品牌”大奖
近日,佰维亮相印度第15届DT Awards 2023颁奖盛典,公司凭借在存储技术研发、产品竞争力以及市场服务方面的突出表现,斩获了“增长最快的闪存制造商品牌”大奖。
苹果iPhone 16 Pro系列1TB机型或采用QLC闪存
在存储容量和成本的权衡下,据报道,苹果 iPhone 16 Pro 系列的1TB机型可能将采用QLC NAND闪存。这一决策意味着成本降低,但读写速度可能会受到影响。
怎样用最快的速度排查PLC程序上的错误?
要以最快的速度排查PLC程序上的错误,可以采取以下步骤: (1)确定错误现象:首先,仔细观察PLC程序的运行情况,确定具体的错误现象。这可能包括设备无响应、输出不正确、报警等。 (2)检查输入输出
长江存储232层闪存揭秘
长江存储1Tb TLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高达19.8Gb每平方毫米,在两种闪存类型中都无出其右者。
发表于 11-02 11:11
•1096次阅读
QLC 全闪存将取代混合存储?
基于四级单元(QLC)的存储阵列采用软件支持的ASIC或FPGA逻辑(以克服生命周期限制、提高耐用性和性能),目前已部署用于通用块存储用例。它们还被部署在备份和灾难恢复用例中,在这些用例中,取代 TLC 介质设备阵列的性能并不那么重要。
发表于 08-16 10:26
•666次阅读
ufs是内存还是闪存 手机ufs闪存有什么作用
UFS(Universal Flash Storage)是一种用于存储的闪存标准,而不是内存标准。它是一种闪存存储技术,用于移动设备和其他便携式电子设备中的非易失性存储。
发表于 07-18 15:00
•1.5w次阅读
C程序中10个与内存有关的常见错误
与内存有关的错误,属于那种最令人惊恐的错误。在时间和空间上,经常在距离错误源一段距离之后才表现出来。将错误的数据写到错误的位置,你的程序可能在最终失败之前运行了一段时间。 下面列举并分析了与内存有关的几种错误:
发表于 06-20 10:41
•567次阅读
QLC固态硬盘将成企业新宠!和Solidigm高管探讨未来企业级存储发展趋势
无独有偶,SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm,很快又发布了同样基于QLC闪存的全新企业级产品P5-D5430,再次引发了“QLC取代TLC”的话题讨论
QLC闪存 D5-P5430的基本规格、性能表现
SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm,就发布了一款QLC闪存的企业级产品P5-D5430,可以说是QLC SSD的一个代表作。
发表于 06-09 10:41
•554次阅读
非易失性内存有写入限制吗?
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量,所以,我需要做一个每秒累加的方法。问题:非易失性内存有写入限制,所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制?我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器,每 10 分钟写入
发表于 05-30 08:48
是否有用于Micron闪存的QSPI重新配置数据?
我们有一个带有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT(微米八进制 SPI 闪存)的定制板连接到端口 A。
我们正在尝试从此内存启动。
我们遵循了这个应用笔
发表于 05-22 09:35
评论