露笑科技募资不超过10亿元用于多个碳化硅项目 将加强公司在碳化硅方面的基础研究以及新产品开发能力

4月12日，露笑科技股份有限公司（以下简称“露笑科技”）发布2020年度非公开发行股票预案。

公告显示，露笑科技本次非公开发行采取向特定对象非公开发行股票的方式，在获得中国证监会核准后由公司在中国证监会规定的有效期内选择适当时机向不超过35名特定对象发行。

按2019年12月31日股本测算，露笑科技本次非公开发行股份总数不超过453，200，530股（含453，200，530股），非公开发行股票募集资金总额不超过100，000万元，扣除发行费用后将用于“新建碳化硅衬底片产业化项目”、“碳化硅研发中心项目”和“偿还银行贷款”项目。

Source：露笑科技

其中新建碳化硅衬底片产业化项目总投资金额为69，456万元，本次拟使用募集资金投入65，000万元，该项目建设期24个月，拟生产碳化硅衬底片等产品，项目产品具有尺寸大、更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

碳化硅研发中心项目总投资金额为5，010万元人民币，其中拟使用募集资金投入5，000万元，由露笑科技股份有限公司的全资子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司组织实施，本项目项目建设期为24个月。该项目主要建设内容为研发场地改造及装修工程、引进行业内高水平研发人才以及购置与公司业务发展相适应的研发设备及软件。

露笑科技表示，新建碳化硅衬底片产业化项目对于满足国内外快速增长的4英寸、6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片市场需求，促进衬底片质量与成品率水平的提升将发挥较为重要作用用。而通过碳化硅研发中心的建设，将加强公司在碳化硅方面的基础研究以及新产品开发能力，有利于提高产品附加值，增强公司核心竞争力。

据了解，碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。目前，碳化硅等第三代半导体是功率半导体的一个投资重点方向。《中国制造2025》中四次提到碳化硅为代表的第三代半导体，国家大基金也把碳化硅列为了重点投资方向之一。

从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。

2019年11月26日，露笑科技股份有限公司与中科钢研节能科技有限公司、国宏中宇科技发展有限公司开展碳化硅项目战略合作，共同研发4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备，目前首批2台套升华法碳化硅长晶炉已经完成设备性能验收交付使用，经过优化后的碳化硅长晶炉设备将应用于国宏中宇主导的碳化硅产业化项目中。

露笑科技表示，将继续专注第三代半导体晶体产业，拓展碳化硅在5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiCMOSFET、SiC IGBT等元器件芯片方面的应用，生产4-6英寸半绝缘片以及4H晶体N型导电碳化硅衬底片及其他产品制品。
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