0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

闪存芯片的三种分类:SLC、MLC、TLC

独爱72H 来源:电脑据点 作者:电脑据点 2020-01-15 17:03 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

(文章来源:电脑据点)

用过U盘的同学应该对U盘不陌生,有时候U盘老是坏,特别是做PE维护工具的同学,U盘应该坏了很多次了,如此先了解一下U盘、固态硬盘的芯片颗粒;闪存芯片分为三类:SLC、MLC、TLC。

我们的U盘、硬盘闪存内的一般都是SLC、MLC、TLC三种芯片颗粒,在买U盘、固态硬盘的时候就要多注意了,尽量在自己经济能力范围内买一个相对较好;

三种芯片颗粒的差别与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢,在当前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命;TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,当前还没有厂家能做到1000次。;需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大;

SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异:SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】。TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】。
(责任编辑:fqj)

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1883

    浏览量

    117002
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7714

    浏览量

    170833
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    工业级SLC SD NAND存储的优缺点

    工业级 SLC 存储卡与存储芯片的优缺点: ​ 核心特点与适用场景 ​ ​ 可靠性与寿命 ​:SLC(单层单元)每单元仅存1 bit,典型P/E 擦写寿命约 10 万次,远高于 MLC
    的头像 发表于 10-17 11:09 358次阅读
    工业级<b class='flag-5'>SLC</b> SD NAND存储的优缺点

    MEMS中的三种测温方式

    在集成MEMS芯片的环境温度测量领域,热阻、热电堆和PN结原理是三种主流技术。热阻是利用热敏电阻,如金属铂或注入硅的温度电阻系数恒定,即电阻随温度线性变化的特性测温,电阻变化直接对应绝对温度,需恒流源供电。
    的头像 发表于 07-16 13:58 1296次阅读
    MEMS中的<b class='flag-5'>三种</b>测温方式

    什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash

    的控制器技术,对写入FLASH闪存模块的方式进行管理,确保每个FLASH闪存单元接收相同的写请求。 目前有三种类型的FLASH闪存,耐久性各不相同。单阶存储单元(
    发表于 07-03 14:33

    半导体存储芯片核心解析

    ,代表不同数据状态(如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits)。数据以“块”为单位擦除和写入。 特点: 优点:非易失性,容量大(单位成本低),抗震抗摔(无机
    发表于 06-24 09:09

    Flash闪存技术是什么?创世SD NAND Flash又有何独特之处?#嵌入式开发 #存储芯片 #闪存

    闪存
    深圳市雷龙发展有限公司
    发布于 :2025年06月05日 17:58:25

    介绍三种常见的MySQL高可用方案

    在生产环境中,为了确保数据库系统的连续可用性、降低故障恢复时间以及实现业务的无缝切换,高可用(High Availability, HA)方案至关重要。本文将详细介绍三种常见的 MySQL 高可用
    的头像 发表于 05-28 17:16 998次阅读

    双极型极管放大电路的三种基本组态的学习课件免费下载

      本文档的主要内容详细介绍的是双极型极管放大电路的三种基本组态的学习课件免费下载包括了:共集电极放大电路,共基极放大电路,三种基本组态的比较   输入信号ui 和输出信号uo 的公共端是集电极。
    发表于 04-11 16:39 27次下载

    redis三种集群方案详解

    在Redis中提供的集群方案总共有三种(一般一个redis节点不超过10G内存)。
    的头像 发表于 03-31 10:46 1271次阅读
    redis<b class='flag-5'>三种</b>集群方案详解

    CMOS,Bipolar,FET这三种工艺的优缺点是什么?

    在我用photodiode工具选型I/V放大电路的时候,系统给我推荐了AD8655用于I/V,此芯片为CMOS工艺 但是查阅资料很多都是用FET工艺的芯片,所以请教下用于光电信号放大转换(主要考虑信噪比和带宽)一般我们用哪种工艺的芯片
    发表于 03-25 06:23

    GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别

    如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别,首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性,然后再根据材料特性分析具体应用。
    的头像 发表于 03-14 18:05 2176次阅读

    嵌入式系统存储的软件优化策略

    Card)TF卡、SD卡为主内部带有存储管理控制器。 ·Raw NAND,以NAND为主的未带有存储管理功能,只包含简单IO逻辑控制。 一、存储的相关概念 存储类型分为SLCMLCTLC
    发表于 02-28 14:17

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

    NAND闪存介质为主的一存储产品,应用于笔记本电脑、台式电脑、移动终端、服务器和数据中心等场合.   NAND闪存类型   按照每个单元可以存储的位数,可以将NAND闪存类型分为
    发表于 01-15 18:15

    示波器的三种触发模式

    示波器的触发方式不仅影响波形捕捉的时机,还决定了显示的波形是否稳定。 常见的触发模式有三种: 单次触发 (Single)、 正常触发 (Normal)和 自动触发 (Auto)。下面将对这三种触发
    的头像 发表于 01-07 11:04 1.3w次阅读
    示波器的<b class='flag-5'>三种</b>触发模式

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    技术方案。   、NAND Flash分类   NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主,NAND
    发表于 12-17 17:34

    ADS8688,ADS8688A,ADS8688AT三种型号有什么区别?如何选择?

    问一下官方,ADS8688有三种型号,ADS8688,ADS8688A,ADS8688AT,好像还不是同一个手册上的型号,请问这三种型号有什么区别?如何选择?如果芯片有区别,万一买错了怎么办?
    发表于 12-12 07:51