近3个月连续走跌的DRAM价格已触底反弹 三星开始导入1z纳米制程提升单位生产数量

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查显示，在当前各家厂商库存数量下跌，加上资料中心需求持续强劲，以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下，近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。

其中，DDR4 8G（1Gx8）2400 Mbps的产品上涨了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的产品也上涨了1.04%，显示了DRAM市场从下跌状况走缓，甚至已经开始反弹回温。

有报告显示，2020年在5G智能手机、资料中心等需求的提升，使得业者开始加大对于DRAM的采购力道。

其中，在5G智能手机方面，因为旗舰机种将搭载6G到12G的DRAM，相较4G高端旗舰款手机搭载3G到6G DRAM的规格而言，容量要增加许多，使得市场开始对DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外，外资报告还指出，韩国存储器龙头三星目前在DRAM生产方面已经开始导入1z纳米制程，三星期望可以透过制程微缩，提升单位生产数量。

此外，到第三代10纳米级的1z纳米制程后，由于未来微缩空间减少，使得成本效益递减，加上三星逐渐导入EUV生产DRAM，生产成本随之提高，这样不仅形成进入产业的高门槛，也限制了未来扩产比例，导致预期供货将维持在一定数量，厂商难以大量收到货源，形成价格的预期上扬。而这对于整体DRAM产业来说，也会是较为健康的发展。
责任编辑：wv