0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

明年Q2产能提高一倍,长鑫存储每月4万片

汽车玩家 来源:集微网 作者:小如 2019-12-10 14:23 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据EETimes报道,长鑫存储近日表示,成为了国内唯一的DRAM供应商。

该报道指出,目前长鑫存储已经完成了合肥Fab 1及研发设施建设,每月生产2万片,并计划在2020年第二季度将产能提高一倍,达到每月4万片。长鑫存储已经利用19nm开始生产LPDDR4、DDR4 8Gbit DRAM系列产品。除此之外,长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。长鑫也在建设基础设施,为多达3000名员工及其家人提供保障。

进入DRAM市场,长鑫仍面临挑战

EETimes报道认为,目前中国打入国际DRAM市场的难度颇大,一方面生产经验与专业知识方面的欠缺;另一方面是知识产权积累上存在欠缺。而长鑫存储应对挑战,也从人才、知识产权方面储备,例如从韩国和***招募工程师、聘请此前奇梦达技术人员。

DRAM 技术其实有沟槽式和堆栈式两种,虽然堆栈式技术的竞争力相对较好,但是由于早期的市场原因,该技术被搁浅。

奇梦达的核心是沟槽电容工艺,现在被认为是一种过时的DRAM技术。此前业内人士认为,长鑫使用的是奇梦达的旧技术。然而,长鑫透露,它已经开始使用堆叠电容工艺技术进行生产。

背靠奇梦达,能否啃下知识产权“硬骨头”?

EETimes报道指出,长鑫存储执行副总裁表示,无论是高通、苹果还是台积电,科技公司必然会面临知识产权的问题。因此,在公司内部实施严格的正当程序至关重要。此外,他还透露,WiLAN现在拥有许多奇梦达的专利。WiLAN可能是长鑫正在谈判的公司之一。

值得注意的是,12月5日,长鑫存储与WiLAN 联合宣布,就奇梦达开发的 DRAM 专利,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。依据独立的专利采购协议,长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。

分析师眼中的长鑫

Object Analysis首席分析师Jim Handy认为,长鑫拥有比大多数人预期的中国DRAM制造商更高的专业水平。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2373

    浏览量

    188149
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    存储DDR5/LPDDR5X双芯亮相,火力全开!

    电子发烧友网综合报道,近日,存储首次全面展示DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。  
    的头像 发表于 11-25 08:27 7708次阅读
    <b class='flag-5'>长</b><b class='flag-5'>鑫</b><b class='flag-5'>存储</b>DDR5/LPDDR5X双芯亮相,火力全开!

    30/月晶圆厂投产!国产存储如何激活PCB千亿配套市场

    三星、美光暂停 DDR5 报价引发的供应链焦虑,正加速国内存储芯片产能扩张 —— 存储合肥新晶圆厂已进入设备调试阶段,2026 年
    的头像 发表于 11-08 16:15 1284次阅读

    些神经网络加速器的设计优化方案

    单元的速度越快,效率越高(存储空间越小)。 2.CNN中存在数据复用 如图所示,CNN 滑动卷积: 2D 卷积核和滑动窗口内 2D ifmap 点积,每
    发表于 10-31 07:14

    今日看点:存储官宣发布LPDDR5X,苹果自研 5G 芯片 C2 曝光

      存储官宣发布LPDDR5X 据存储官方网站信息更新,
    发表于 10-30 09:53 830次阅读

    存储LPDDR5X来了!速率高达10667Mbps,跻身国际主流水平!

    和优化的内存设计,存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps,达到国际主流水平,较上代LPDD
    的头像 发表于 10-30 09:12 4969次阅读
    <b class='flag-5'>长</b><b class='flag-5'>鑫</b><b class='flag-5'>存储</b>LPDDR5X来了!速率高达10667Mbps,跻身国际主流水平!

    美光确认HBM4将在2026年Q2量产

    2025年9月24日,美光在2025财年第四季度财报电话会议中确认,第四代高带宽内存(HBM4)将于2026年第二季度量产出货,2026年下半年进入产能爬坡阶段。其送样客户的HBM4产品传输速率突破
    的头像 发表于 09-26 16:42 999次阅读

    英诺赛科产能再扩张:年底8英寸晶圆月产将破2

    诺赛科作为全球首家实现大规模量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的企业,在技术和产能方面直处于行业领先地位。目前,其每月的 8 英寸晶圆产能已达到 13000
    的头像 发表于 07-17 17:10 531次阅读

    存储 冲刺IPO

    行业芯事行业资讯
    电子发烧友网官方
    发布于 :2025年07月08日 11:20:39

    涨价!部分DDR4与DDR5价差已达一倍

    2GX8)内存在6月2日的报价为5.171美元,当时比DDR5低约8%。然而,最新报价显示DDR4已上涨至8.633美元,不到个月时间内涨幅高达67%,且已经超过DDR5的价格的4
    的头像 发表于 06-27 00:27 4259次阅读

    海外产能达产,威尔高一季度营收利润双双大增

         4月22日,威尔高公布了2025年季度业绩。报告期内,公司实现营收3.09亿,同比增长51.51%,归属于上市公司股东扣非净利润2220,同比增长43.4%。 季度营收
    的头像 发表于 04-24 17:47 495次阅读
    海外<b class='flag-5'>产能</b>达产,威尔<b class='flag-5'>高一</b>季度营收利润双双大增

    机构:台积电CoWoS今年扩产至约7,英伟达占总需求63%

    台积电先进封装大扩产,其中CoWoS制程是扩充主力。随著群创旧厂购入后设备进机与台中厂产能扩充,2025年台积电CoWoS月产能将上看7.5。 行业调研机构semiwiki分析称,
    的头像 发表于 01-07 17:25 776次阅读

    SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求

    SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存(HBM)的DRAM产能,目标是将每月产能从去年的10增加至17
    的头像 发表于 01-07 16:39 1174次阅读

    台积电CoWoS扩产超预期,月产能将达7.5

    电在纳入购自群创的旧厂与台中厂区的产能后,CoWoS的月产能将达到7.5的新高,较2024年接近翻倍。这扩产计划不仅体现了台积电在先进
    的头像 发表于 01-06 10:22 869次阅读

    SK海力士被曝赢得博通 HBM 订单,预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17

    存储芯片,并将其应用到家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。   由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM,SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能
    的头像 发表于 12-21 15:16 859次阅读
    SK海力士被曝赢得博通 HBM 订单,预计<b class='flag-5'>明年</b> 1b DRAM <b class='flag-5'>产能</b>将扩大到 16~17 <b class='flag-5'>万</b><b class='flag-5'>片</b>

    今日看点丨龙芯中科:下代桌面芯片3B6600预计明年上半年交付流;消息称英伟达 Thor 芯片量产大幅推迟

    方面,龙芯中科下代服务器芯片3C6000目前处于样片阶段,预计2025年Q2完成产品化并正式发布。根据内部自测的结果,公司16核32线程的3C6000/S性能可对标至强4314,双硅片封装的32核
    发表于 12-17 11:17 1629次阅读