TI表示BiCom-II将混合信号IC的逻辑增强20倍以上
德州仪器公司今天在这里推出了一种新的互补双极性工艺技术这有望将数字CMOS逻辑与高性能模拟和混合信号功能的集成提高20倍以上。 TI表示计划在今年第二季度推出采用新BiCom-II工艺生产的第一批芯片样品。
德州仪器公司今天在这里推出了一种新的互补双极性工艺技术这有望将数字CMOS逻辑与高性能模拟和混合信号功能的集成提高20倍以上。 TI表示计划在今年第二季度推出采用新BiCom-II工艺生产的第一批芯片样品。
“这一过程使TI能够在芯片上结合更高密度的数字逻辑TI公司负责高级模拟产品的副总裁Dan Reynolds表示,这些产品具有领先的模拟晶体管,意味着更小的器件具有更多的功能和更好的性能。 BiCom-II工艺的一个关键目标是宽带通信。
该公司称新的BiCMOS技术的双极部分是一个15伏工艺,能够为运算放大器制造快速晶体管,这是一个关键的建筑阻止模拟功能。 CMOS部分还提供5和10V模拟晶体管。
为了提高数字逻辑集成能力,TI为BiCom-II技术增加了一个高性能的5 V工艺模块,处理需要数千个门的功能。据TI称,这种功能将集成能力提高了之前互补双极性工艺的栅极密度的20倍。
此外,TI称BiCom-II技术可处理薄膜电阻,电介质隔离用于提高模拟和数字电路模块之间抗噪声能力的晶体管以及激光可调金属链路。
TI表示,它希望能够为电缆和数字用户线(DSL)驱动器和接收器制造性能更高的元件。 ,运算放大器,可编程增益放大器(PGA)以及其他模拟和混合信号模块。
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