回顾MOS-AK 北京器件模型国际会议的主要内容和主题-电子发烧友网

2018年6月15-16日，第三届MOS-AK器件模型国际会议（北京）顺利闭幕。本次会议由清华大学主办，中国仿真协会集成微系统建模和仿真专委会、XMOD共同协办。MOS-AK（北京）也得到了华大九天，Maury, Platform-Da, Cogenda, 杭州电子科技大学的赞助。本次为期二天的会议吸引了来自设计公司、半导体厂、EDA厂商、学校和研究所等科研单位人员来参加。会议共包含了6篇邀请报告，14篇演讲报告，给大家留下了深刻印象。MOS-AK（北京）的报告注重质量，而且产学研的路线贯彻到底，得到了参会人员的好评。

中国仿真协会集成微系统建模与仿真专业委员会副主任委员、国际期刊Journal of Computational Electronics副主编、清华大学王燕教授致开幕词，热烈欢迎大家到来，提出了模型产业在半导体产业的重要性，并预祝本次活动圆满成功。接下来，XMOD作为协办方介绍了本年度各地MOS-AK会议的安排，也回顾了前几年的活动情况。另外，对于当前的模型产业细分的状况，希望通过MOS-AK平台互相交流，取长补短。

作为邀请报告部分，香港科技大学对于存储器件的仿真和大规模产业应用给出了指导性的意见。德国Fraunhofer IAF和Ondosense的III-V族方面的报告，让大家意识到，和欧洲先进工艺和技术相比，差距还是比较大的。清华大学带来了Angelov模型方面的实战应用，通过开发统一等效电路，解析公式以及创建的参数抽取方法获得了测试和仿真非常匹配的结果，有很不错的借鉴作用。华大九大的OLED器件的模型介绍，让大家意识到一个好的模型开发，要经历各种挑战和瓶颈，需要不断从工业界的反馈中把模型做的更接近实际结果。中科院半导体所的报告，从非常基础的第一性原理出发，对新材料、新结构的器件做了前瞻的分析，给后续的研究、应用打好了基础。Qorvo带来的关于TCAD用于III-V器件仿真的报告，从器件的真实材料、结构以及物理现象出发，对于TCAD可能的不一致性提出了自己的观点。

此次活动，除了上述邀请报告，也吸引到了其他半导体厂，设计公司，EDA厂商，科院院所和学校的报告和文章。他们分别是Cadence、 Synopsys、中科院微系统所、中科院微电子所、中国工程物理研究院、Cogenda,、Platform-Da、华中科技大学、西安电子科大、成都电子科大、杭州电子科大、澳大利亚Macquarie 大学、苏州能讯、海威华芯、MOS-AK等（以上次序不分先后）。在这里，特别要提到中科院下面的几个研究所，分别作了非常基础的研究，比如半导体所和微电子所，他们通过最基础的物理，电子方程给国内模型产业发展提供了借鉴作用，对后续产业应用的模型开发起了非常好的辅助作用。微系统所在总剂量模型方面，介绍了总剂量模型软件, 为宇航芯片研发提供了设计支持。中国工程物理研究院对70nm GaAs mHEMT 工艺，提出了自己的一套Design oriented Model 方法，使之能够在220GHz 范围内做到理想的匹配。这些经验对应用和产业化，提供了很好的知识储备。当然，EDA厂商，半导体服务企业，国内外的几所大学的报告也同样精彩，后续我们会在网站上和大家一起分享。

最后，会议在MOS-AK 2019的主办方成都电子科大的精彩介绍中顺利闭幕，大家共同期待2019年成都再次相见。

开幕词：

邀请报告（不分先后）：

演讲嘉宾（不分先后）：

部分参与人员合影：

当然，MOS-AK会议前期的培训部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的RF测试和建模一天课程，很多培训者给了大大的赞，连赞助商的参展人员，也说，这么多干货的培训确实难得，对于明年再次赞助MOS-AK活动表达了强烈的意愿。

RF器件测量模型培训（6月14日）：

MOS-AK 北京器件模型国际会议结束后，我们会和演讲者一起解读几篇有特色的报告给大家。对会议PPT感兴趣的朋友，由于演讲报告和最终报告有区别（有些报告需要删除敏感内容），需要些时间，请耐心等待。

最后再次感谢本次MOS-AK活动的组织方和赞助方：

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