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电子发烧友网>EDA/IC设计>Modelithics和Qorvo大力扩展GaN RF仿真模型库

Modelithics和Qorvo大力扩展GaN RF仿真模型库

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2022-11-08 16:16:4010

高功率GaN RF放大器的热考虑因素

,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626

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