FE的分档标志。
表12 日本半导体器件型号命名法
第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
||||||
用数字表示类型
或有效电极数 |
用字母表示器件
的极性及类型 |
用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号 |
用字母表示
对原来型号
的改进产品 |
|||||||
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
|
0 |
S |
A |
四位以上的数字 |
ABCDEFLL |
||||||
B |
||||||||||
C |
||||||||||
D |
||||||||||
1 |
F |
|||||||||
2 |
G |
|||||||||
H |
||||||||||
J |
||||||||||
K |
||||||||||
3
LL |
M |
|||||||||
n-1 |
日本半导体器件型号命名法有如下特点:
1) 型号中的第一部分是数字,表示器件的类型和有效电极数。例如,用“1”表示二极管,用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S,表示日本电子工业协会注册产品,而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管,用J表示P沟道场效应三极管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号,并不反映器件的性能,顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如,2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW,而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是,登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大,越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号,常采用简化标记的方法,即把2S省略。例如,2SD764,简化为D764,2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管(2SB和2SD型)中,也有工作频率很高的管子。例如,2SD355的特征频率fT为100MHz,所以,它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm1W的管子,称做大功率管。
1) 型号中的第一部分是数字,表示器件的类型和有效电极数。例如,用“1”表示二极管,用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S,表示日本电子工业协会注册产品,而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管,用J表示P沟道场效应三极管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号,并不反映器件的性能,顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如,2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW,而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是,登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大,越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号,常采用简化标记的方法,即把2S省略。例如,2SD764,简化为D764,2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管(2SB和2SD型)中,也有工作频率很高的管子。例如,2SD355的特征频率fT为100MHz,所以,它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm1W的管子,称做大功率管。
- 命名(9720)
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