N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:43
23374 用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:42:3614397 
用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59:3415884 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 
“供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【30V MOS N/P沟道】HN3400：30V5.8ASOT23N沟道 MOS管HN3401
2021-03-30 14:33:48
重要内容。HN3415D带ESD静电保护。【20V MOS N/P沟道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管HN2300： 20V 5.2ASOT-23 N沟道 MOS管
2021-03-11 11:14:52
MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。这是一个典型的 MOSFET开关电路。由于电动机负载是电感性的，因此在电感
2021-09-13 08:27:30
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是
2010-04-15 09:51:37
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
的两种结构：N沟道型和P沟道型由于制造工艺的原因，P沟的MOS管通常比N沟的MOS管具有更大的导通电阻，这意味着导通功耗会更大。这是选择时需要注意的地方。一般而言，如果是低边开关应用，使用N沟MOS管
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N沟道增强型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 该TDM3512采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 装置是适合用作负载开关或在PWM 应用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N沟道耗尽型mos管，电路工作过程，还望大神指导。
2016-11-12 16:36:00
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
将保持负极性，而源极保持在“0”值。应用电路用于控制电机的互补MOSFET开关电路如下所示。该开关电路使用两个MOSFET(如P通道和N通道)来双向控制电机。在该电路中，这两个MOSFET通过连接
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要
2021-04-09 09:20:10
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
型号：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封装: DFN3*3-8L沟道：P沟道种类：绝缘栅(MOSFET)G16P03 原装，G16P03库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用
2020-11-05 16:48:43
`ISA04N65A N沟道MOSFETTO-220F 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •充电器•低导通电阻 •SMPS待机功率•低门电荷 •LCD面板电源•峰值电流与脉冲宽度曲线 [/td][td]•ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽
2018-10-27 11:36:33
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
通，具体怎么的呢，直接上图：P沟道和N沟道MOS管开关电路连接方法如图所示：左图是P沟道MOS开关，箭头指向外面，接法为：S接输入；D接输出；G为控制端，低电平时导通右图是N沟道MOS开关，箭头指向里面，接法为：D接输入；S接输出；G为控制端，高电平时导通G为栅极、D为漏极、S为源极
2019-01-28 15:44:35
MOS管开关电路的定义MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 一般情况下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
需要电流，损耗小、噪声低、抗辐射能力强、输入阻抗高、结构简单、便于集成和热稳定性好等优点MOSFET可以被制造成P沟道和N沟道两大类，每一类又分为增强型或者耗尽型，所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET
2021-11-12 07:35:31
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导
2021-10-29 07:22:17
最近使用MSP430F2272做一款产品，使用3V纽扣电池供电。里面有一个P沟道的CMOS管作为开关，使用IO直接驱动。但在测试的时候发现，CPU会重启。经过排查发现是IO驱动COMS管这里
2015-09-14 17:55:23
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强型FET，耗尽型没P的啊
2012-11-03 10:45:54
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53:57
封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道
2020-06-22 10:53:25
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道
2020-06-22 10:57:12
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道
2020-06-22 11:03:37
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道
2020-06-29 16:39:10
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道
2020-08-03 14:48:45
TO23-3L 封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-06-05 10:14:58
、售前服务及服务，给用户提供最优质最具竞争力的产品以及最人性化最贴心的服务。我司还提供以下MOS管产品：SL2302N沟道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N沟道
2020-06-30 11:26:07
*3-8N沟道SLN30P03T品牌：美浦森 电压：-30V 电流：-30A封装：DFN3*3-8P沟道SLD80N06T品牌：美浦森 电压：60V 电流：80A封装：TO-252N沟道
2021-04-07 15:06:41
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2021-04-07 14:57:10
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
运用的技术支持。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】更多中低压MOS管产品如下：【20V MOS N/P沟道】HN3415
2021-03-24 10:35:56
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制电路的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电电路电路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为N沟道增强型
2010-11-16 12:28:04
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
1、MSO的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2、他们
2019-09-11 07:30:00
电源管理ICTDM3412双路N沟道增强型MOSFET 描述：TDM3412采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般描述：频道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
这个p沟道管子做的试验电路就是正常的，能通导和关断，2n7002始终不行，焊了3个都一样的效果是我理解错了使用方法么？
2013-08-20 12:02:58
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
的“导通”电阻（对于大多数应用来说，是正常的），因此，在为特定开关应用选择一个时，需要考虑其R DS值。P沟道MOSFET继电器开关电路P沟道增强型MOSFET（PMOS）的构造与N沟道增强型
2020-09-17 10:17:57
如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？
2022-02-15 06:03:40
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 ♂霹雳 于 2014-5-5 01:42 编辑
如题类似IRF7416和FDJ128N,但是这两种要么是P沟道,要么就是贴片封装,但是我现在需要的是直插封装啊....求大神给个型号,最好是任何一个电子市场都能买到的最常见的型号,最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
RT，最近看模电看迷糊了，在此请教各位大虾，N沟道增强型MOS管，衬底是P型硅片，那么是多子参与导电还是少子呢？ 是自有电子还是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。`
2020-03-05 11:00:02
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型，分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
K9是单片机控制信号，OUT_12V_1是时钟（脉冲）信号，IN1B会有几种输出状态呢？光耦LTV-357T-D接P沟道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 N沟道增强型MOSFET
N沟道增强型MOSFET的工作原理
1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型
2009-09-16 09:38:1810460 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 MOSFET管开关电路设计MOSFET管开关电路设计
2015-12-23 15:03:45204 MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
2017-05-17 08:30:28128529 
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
2017-11-27 09:13:4037938 
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。本文为大家带来三种pwm驱动mos管开关电路解析。
2018-01-04 13:41:1456599 
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521283 
电路如附图所示。TPS2014是美国德州仪器公司推出的N沟道MOSFET型电源分配开关。它采用8脚DIP双列直插式封装，各脚功能如下，①脚GND(接地端)；②、③脚IN(电压输入端)，输入电压范围
2019-02-16 10:44:143087 
N 沟道增强模式最常用于电源开关电路，因为与 P 沟道器件相比，它的导通电阻低。
2021-06-14 03:34:003909 
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
MOS管开关电路的定义 MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种
2021-10-22 19:51:08132 由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 在设计mos管开关电路时，就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中，有详细地讲解mos管的工作原理。
2023-01-05 09:39:198285 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005293 
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
2023-05-16 15:08:41912 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
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