晶体管是电子元器件中常用的一种，用来放大电信号、控制电流等。晶体管通常由三个电极组成：基极、发射极和集电极。不同类型的晶体管电极排列方式和特性不同，因此需要通过判断电极类型和排列方式来确定晶体管的类型。下面介绍一下如何判断晶体管的类型及三个电极。
2023-06-03 09:44:16
6232 。 晶体管中的每个层都附有引线。由此产生的端子称为发射极、基极和集电极。底座始终是中间层。 工作原理 晶体管基本上是一个电子开关。电源电压和负载通过集电极和发射极端子接线。在没有对基极端子施加电压
2023-02-16 18:22:30
，场效应晶体管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。3、三极管输入阻抗小，场效应晶体管输入阻抗大。4、有些场效应晶体管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。5、场效应晶体管
2019-04-08 13:46:25
讲解常用的NPN三极管，穿插介绍一些必须使用PNP三极管的电路知识。如图1所示，三极管的三个引脚分别是基极（Base）、发射极（Emitter）、集电极（Collector）。图1 三极管等效电路3) BE之间就是一个二极管，CE之间等效为一个可调电阻，阻值可以从若干欧到无穷大（断路）。4) 三
2021-12-30 07:30:30
晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。 三极管顾名思义就是由三个极。 三极管有电子管和晶体管之分。 平时所说的三极管都是指晶体三极管
2019-12-16 13:33:31
不同外，其工作原理都是相同的。 二、晶体三极管的三种工作状态 三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。 （1）、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于
2020-12-25 15:24:23
;gt;双极型晶体管的埃伯尔斯-莫尔模型、小信号模型及其高频参数。<br/>双极型晶体管的基本使用方法<br/>晶体三极管是双极型器件
2009-08-20 18:07:52
cbo，一般来说，同一晶体管BV cbo＞BV ceo，通常要求用于置换的三极管，其上述两个击穿电压应不小于原晶体管对应的两个击穿电压。频率特性。在置换三极管时，主要考虑ƒT，置换的三极管，其ƒT应
2015-07-07 16:56:34
晶体三极管输出特性分为三个区分别是什么？电动势存在哪里？单相整流电路负载上到的电压是什么？
2021-09-24 06:07:04
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
什么是电阻测量法？晶体管共发射极电路特点有哪些？
2021-09-27 08:33:35
，集电极电流IC不能持续增加，晶体管进入饱和状态，此时集电极和发射极之间的电压VCE(SAT)（V）间的电压约为0.1~0.2V左右的低电压。晶体管处于导通状态。正是因为这个缘故，晶体管才可以作为开关来使
2017-03-28 15:54:24
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
100GHz以上。使用了晶体管以后，电子线路的结构大大改观，进入了晶体管为代表的第二代电子计算机时代。1947年贝尔实验室的肖克利等人发明了晶体管，又叫做三极管。下面两图是晶体管的产品照片和电路符号
2021-01-13 16:23:43
，由于其具有三个终端，因此我们通常将其称为三极管。三极管由两个PN结构成，两个PN结将其分为发射区、基区和集电区，相应的产生三个电极：发射极、基极和集电极。三极管的工作原理是这样子的，首先，电源作用于
2016-06-29 18:04:43
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。若万用表无hFE档，则也可使用万用表的R×1k档来估测晶体管放大能力。测量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C
2012-04-26 17:06:32
晶体管温控电路图如图是晶体管组成的继电器延时吸合电路。刚接通电源时，16μF电容上电压为零，两个三极管都截止，继电器不动作。随着16μF电容的充电，过一段时间后，其上电压达到高电平，两个三极管都导通，继电器延时吸合。延时时间可达60s。延时的时间长短可通过10MΩ电阻来调节。
2008-11-07 20:36:15
晶体管特性图示仪测三极管直流参数
2012-08-20 07:47:47
晶体管特性图示仪测三极管直流参数
2012-08-20 09:43:57
晶体管烧坏的主要原因。(4) 集电极--发射极击穿电压BVCEOBVCM是指晶体管基极开路时，允许加在集电极和发射极之间的最高电压。通常情况下集电极、发射极电压不能超出BVCEO，否则会引起晶体管击穿
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。基本工作特性比较这三种晶体管
2018-11-28 14:29:28
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下，探讨哪种晶体管最适合时的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-07-23 00:07:18
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
型号的晶体管。 5．开关三极管的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
和集电极电位的关系中，可以非常方便地对晶体管的工作状态作出判断。对处于共发射极放大的NPN型晶体管而言，集电极电位>基极电位>发射极电位时，晶体管工作于放大状态。随着基极注入电流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
）形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b 和集电极c）。 晶体管根据掺杂类型不同，可分为 NPN 型和 PNP 型两种；根据使用的半导体材料不同 ，又可
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出
2010-08-12 13:57:39
）。 图3.双栅鳍式场效应晶体管 三栅极表示折叠在鳍片三面上的单个栅极电极。三栅极中翅片上方的电场不受抑制，栅极从三个侧面施加控制（图4）。 图4.三栅鳍式场效应晶体管 第三个栅极增加了工艺
2023-02-24 15:20:59
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
发射极流向集电极。掺杂半导体可以在晶体管的三个不同部分中找到。一侧有一个发射器，另一侧有一个收集器。术语“基地”是指中心区域。晶体管的三个组件将在下面详细介绍。PNP 晶体管结构发射发射器有责任向接收器
2023-02-03 09:44:48
QT2晶体管图示仪有测试贴片三极管的工装吗？
2015-01-08 20:22:02
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95
2010-08-17 09:24:08
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29:55
控制器件。 一、晶体三极管和场效应晶体管说明: （1）晶体三极管含义: 用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式
2019-04-09 11:37:36
。
· 这些晶体管用于不同的电路中以减少负载效应。
· 它们用于多种电路，如相移振荡器、电压表和缓冲放大器。
场效应管端子
FET 具有源极、栅极和漏极三个端子，这与 BJT 的端子不同。在 FET 中，源极端
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
：发射极、基极和集电极;场效应晶体管的三极是：源极、栅极、漏极。由于晶体管的三极性，它们也有三种使用方式：接地发射极（也称为公共发射放大器/ CE配置），接地基极（也称为公共基极放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
典型GaN晶体管的核心是一个导电通道，它由AlGaN阻挡层和GaN缓冲层间界面上产生的二维电子气形成（见图1）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为
2020-11-27 16:30:52
从基极流向发射极时，晶体管导通，将电流从集电极引导到发射极，而不是从晶体管基极流向发射极。PNP晶体管在另一个方向工作。电流通常从晶体管的发射极流向基极，当足够的电流从发射极流向基极时，晶体管打开，将
2023-02-03 09:50:59
两种比光敏二极管产生更高输出电流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶体管和光敏集成电路。后一个术语指的是基本上是一个光电二极管和放大器集成到同一封装。什么是光电晶体管？光电二极管可以产生光电流，因为它的结
2022-04-21 18:05:28
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
宽度是不可能的。 翅片厚度是一个关键参数，因为它控制短通道行为和器件的亚阈值摆幅。亚阈值摆幅测量晶体管的效率。正是栅极电压的变化使漏极电流增加了一个数量级。 图1.鳍式场效应晶体管尺寸
2023-02-24 15:25:29
双极晶体管，具有三个引脚，集电极、基极和发射极。晶体管的增益在 110 到 800 之间，这是决定该晶体管放大率的值。集电极的最大电流为 100mA，因此消耗超过该电流的负载不能连接到该晶体管。偏置
2022-08-30 07:23:58
用作Q2的基极电压，以在晶体管Q2中产生更稳定的电流。波形发生器配置为1 kHz三角波，峰峰值幅度为3 V，偏置为1.5 V。示波器通道2的输入(2+)用于测量Q2集电极上的稳定输出电流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
。用万用表测量hFE值首先找出三极管的三个管脚对应的电极，发射极E，集电极C，基极B。下面我用常用的开关三极管8050为例，向大家展示一下，此三极管属于NPN型，正对平面，管脚依次是E、B、C。将万用表
2019-08-06 09:15:16
。用万用表测量hFE值首先找出三极管的三个管脚对应的电极，发射极E，集电极C，基极B。下面我用常用的开关三极管8050为例，向大家展示一下，此三极管属于NPN型，正对平面，管脚依次是E、B、C。将万用表
2019-11-26 09:05:32
的原理是什么？晶体管由两个背靠背连接的PN二极管组成。它有三个端子，即发射器，基极和集电极。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。4.晶体管
2023-02-03 09:32:55
。PNP 晶体管有三个端子：集电极 （C）、发射极 （E） 和基极 （B）（B）。PNP 晶体管的功能类似于背靠背连接的两个 PN 结二极管。
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
，则分析时则按照单独的晶体管电路分析，与一般晶体管电路无差。
如果多发射极或多集电极的电路在非多极的一侧全部短起来当作一个晶体管，那么此时的关系可以看作一个或门的关系，只要有一路导通，则晶体管就实现
2024-01-21 13:47:56
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
四大类。一、结型场效应管（JFET）1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极
2019-05-08 09:26:37
`二极管、三极管是沿袭原来电子管的叫法,由半导体晶体制成的管子具有三极管的功能的叫半导体晶体三极管,简称为半导体管或者晶体管. 在晶体管中靠两种载流子形成电流的叫双极型晶体管, 另有一种仅靠一种
2012-07-11 11:42:48
同国产管的第三位基本相同。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。二、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性
2012-07-11 11:36:52
NPN达林顿配置中，两个晶体管的集电极连接，而第二个晶体管的基极连接到第一个晶体管的发射极。从配置中，我们看到第一个晶体管的发射极电流成为打开它的第二个晶体管的基极电流。 使用晶体管开关的关键要点
2023-02-20 16:35:09
的场效应晶体管，右边是P沟道的场效应晶体管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
们测量NPN管时，正极测试引线连接到发射极，负极测试引线连接到集电极。测得的电阻一般应超过几千欧姆。 然后在基极和集电极之间串联一个100kΩ电阻。此时，万用表测量的电阻值应显着降低。变化越大，晶体管
2023-02-14 18:04:16
如何挑选出好的场效应晶体管？晶体三极管选用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
开关二极管IN4148与电阻R1的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。 加速电路三 在加速电路三中，并联在基极电阻RB两端的高速开关二极管IN4148的作用是当晶体管VT1截止时，为反向基极电流提供通路，迅速释放基极与发射极间电容储存的电量，加快晶体管的关闭。
2020-11-26 17:28:49
电路之一是具有发射极偏置电路的自偏置功能，其中一个或多个偏置电阻器用于为三个晶体管电流（I B）设置初始DC值 ， （I C）和（I E）。双极晶体管偏置的两种最常见形式是：Beta依赖和Beta独立
2020-11-12 09:18:21
三极管类型，并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极 ①用指针式万用表判断基极b和三极管的类型：将万用表欧姆挡置“R&TImes;100”或“R&TImes;lk”处
2019-03-14 09:11:10
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)极限参数 漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压 结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
2008-08-12 08:39:59
。因此，所有BJT都按某种顺序包含两个PN结。NPN 设备，顾名思义，有一个 P 区域夹在两个 N 区域之间。二极管中的两个结可以是正向偏置或反向偏置的。 这种安排导致总共三个连接终端，每个终端都被分配
2023-02-17 18:07:22
如何检测晶体管和三极管。 晶体管的检测 1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极
2013-11-27 19:21:18
)的载流子-会被吸引至基极(B)，但是正极(B)领域非常薄，因此通过加入集电极电压，载流子可以穿越基极(B)流向集电极(C)。借此，电流可以由集电极(C)→发射极(E)流动。②开关动作图2晶体管的动作
2019-04-22 05:39:52
ON时电气性饱和状态（降低集电极-发射极间的饱和电压）下使用。关于数字晶体管的用语VI(on)Min.：输入电压 (INPUT ON VOLTAGE)向OUT引脚、GND引脚间施加正向电压 (VO
2019-04-09 21:49:36
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
件，二场效应晶体管是电压控制器件。一、晶体三极管：用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式输出;还可以把基极电流
2019-03-27 11:36:30
三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL
2017-09-19 10:22:59
电子器材光电三极管，为一种晶体管(三个电极)，其基极未引出，当光照强弱变化，则电极间电阻随之变化。光电三极管可据光照强度，控制集电极电的大小，使光电三极管处不同工作状态，仅引出集电极和发射极，基极作光接收窗口。原作者：电子科技令你如意
2023-02-15 14:40:04
; P沟道图1-8：IGBT的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。图1-9：IGBT的等效电路图。上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把MOS管和达林顿晶体管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
标记为: 集电极、发射极和栅极。它的两个端子(C-E)与通过电流的电导路径相关联，而它的第三个端子(g)控制器件。绝缘栅双极性晶体管所达到的放大量是其输出信号与输入信号之间的比值。对于传统的双极性晶体管
2022-04-29 10:55:25
，随着前面三个简单电路的分析，引出了在使用晶体管的过程中基本需要注意的几个主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
时，RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时，电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
要判断晶体管的类型，首先要查看晶体管的型号，一般情况下，晶体管的型号会标明其类型，如2N3904就是NPN晶体管，2N3906就是PNP晶体管。此外，还可以通过查看晶体管的外形来判断其类型，NPN晶体管的外形一般是三角形，而PNP晶体管的外形一般是圆形。
2023-02-17 16:14:004708 晶体管的三个极的电压关系 晶体管作为一种电子器件，是当今电子技术和通信领域中不可或缺的重要元件。晶体管的基本结构包括一个基极、一个发射极和一个集电极。它实现了一种对电流的控制，从而能够实现电子设备
2023-08-25 15:35:205252
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