GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:51
1366 在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将 GaN 用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率级系列非常重要
2022-11-18 09:42:25719 功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43:024596 Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦，这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。
2020-12-07 15:56:28789 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年10月，英飞凌以8.3亿美元完成对功率GaN公司GaN Systems的收购，成为了功率GaN领域史上最大规模的一笔收购，这笔收购的价值甚至比2022年整个功率
2023-11-10 00:24:001758 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001553 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:001844 描述PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC变换器设计
2023-06-21 07:35:15
的设计人员面临几个相冲突的业界挑战，从新的USB Type C连接和USB PD (电力输送) 的输出是否符合法定的能效标准，一直到成本等相关问题。纳微的单芯片GaN功率IC可同时达到高速运作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
基GaN由于具有更大输出功率与更快作业频率，已被看好可取代硅元件成为下一世代的功率元件。近年来全球对于都市基础建设、新能源、节能环保等方面的政策支持，扩大对于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，将进一步促进SiC/GaN功率元件的发展。
2022-08-12 09:42:07
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
描述该 TI 设计为适用于低成本智能恒温器和其他楼宇自动化设备的低成本高效功率窃取提供了一种参考设计。通常，功率窃取能够通过在 HVAC 负载关闭时从 24V 交流电获取功率，来延长启用
2018-12-27 15:22:31
输出晶体管大小，以增加RF功率。GaN在这里提供了一些优势，因为我们能够大幅简化输出合成器、减少损耗，因而可以提高效率，减小芯片尺寸，如图2所示。因此，我们能够实现更宽带宽并提高性能。从GaAs转向
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
) !important]推动SiC/GaN功率开关普及的主要应用有太阳能光伏逆变器、电动汽车充电器和储能转换器。这里利用了超快的小型高效功率开关的附加价值，为市场带来了超高开关频率和超过99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩阵的高频高效LLC模块基于GaN功率集成电路的CPRS变压器
2023-06-16 06:48:18
漏感能量损耗，限制了QR反激式转换器的最大开关频率，从而限制了功率密度。在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高
2022-04-12 11:07:51
的对称布局也很重要，这样才能平衡相电流，并将由于栅极驱动延迟、开关转换速度、过冲或其他参数不匹配而导致的任何影响降至最低。使用GaN功率器件进行设计时，内部垂直环路［2］方法是将去耦电容放置在FET附近
2023-02-21 15:57:35
描述为了达到能效要求，吊扇和换气扇会从简单交流感应电机移动到无刷直流电机 (BLDC)。BLDC 电机使用交流电源运行时需要以高效率和高功率因数进行交流-直流转换。它还需要使用高效控制的逆变器以实现
2022-09-22 06:07:50
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
的提高功率效率的电路解决方案是产生一个中间电压。图2显示了一个使用两个高效率降压调节器的级联设置。第一步是将48 V电压转换为12 V，然后在第二转换步骤中将该电压转换为3.3 V。当从48 V降至12
2018-10-30 11:44:08
速的GaN开关来降低开关损耗，从而提高功率转换效率。然而，这种解决方案的成本目前还高于级联解决方案（例如图2所示）。Frederik DostalFrederik Dostal 就读于德国爱尔兰根大学微电子学
2018-10-30 11:52:49
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级，设计师可以在单级中将48V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和系统成本显着增加，同时提高了可靠性。与硅
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
描述高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级
2018-10-25 11:49:58
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz内实现功率15W以上，附加效率超过67％的输出。
2021-04-06 06:56:41
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
转换中期可以达到500W以上。对于尺寸为5mm x 2mm的典型功率GaN器件，这个值可以达到每mm2 50W。所以用户也就无需对SOA曲线显示的这个区域只支持短脉冲这一点而感到惊讶了。由于器件的热
2019-07-12 12:56:17
市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。目前销售GaN功率组件的主要半导体业者包括英飞凌/IR、宜普电源转换公司(EfficientPower
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一个动手操作项目：你将用一个氮化镓 (GaN) 功率级、一个Hercules™ 微控制器和一个滚轮来调节一盏灯的亮度。我将会谈到其中的硬件和固件。先给你的焊接设备充上电，我们马上开始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外，自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
描述PMP20657 参考设计是一款紧凑、高效的单向功率转换器，在 400W 功率下可将电压从 48V 转换为 12V。它采用伪隔离设计，用以保护 12V 负载。相移全桥拓扑可实现 95% 以上的峰值效率。轻负载模式在 12V 时实现
2018-10-09 08:33:03
请问怎么设计一种高效低谐波失真的功率放大器？E类功率放大器的工作原理是什么？
2021-04-12 06:31:25
怎样去设计一种高效率音频功率放大器？如何对高效率音频功率放大器进行测试验证？
2021-06-02 06:11:23
新应用，产生了对超高效率、高功率密度、高频SiC功率转换器的需求。车载牵引电机驱动器希望获得最高功率密度以减小尺寸和重量，并刷新新的效率记录，而车外快速充电器希求高电压（高达2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著
2018-10-17 15:39:59
基于GaN的功率技术引发电子转换革命
功率MOSFET出现之前，双极性晶体管在功率电子领域一直占据主导地位，而且线性供电支配着整个电源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371378 
“功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优
2012-07-02 11:18:331387 国产高效GaN微波功率模块，HEG001D、HEG205B等。针对宽带、高功率微波系统及有源相控阵雷达应用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模块，采用先进的平面内匹配合成技术，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:53
14 ADI提供GaN IC產品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率範圍的全功率放大器。
2019-06-25 06:04:001822 基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。
2019-06-13 11:45:003995 ）功率级工程样品，使TI成为第一家也是唯一一家公开提供高压驱动器集成GaN解决方案的半导体制造商。与基于硅FET的解决方案相比，新型12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电源转换控制器相结合
2019-08-07 10:17:061929 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功开发出一种基于GaN的超高效功率模块。
2020-04-27 16:46:163692 同步 4 开关转换器以高效率提供数百瓦功率
2021-03-21 12:20:2210 (MOSFET)，因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能，使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术（如碳化硅）不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:52792 
和更高的性能，使单片集成 GaN 功率 IC 更进一步。这一成就为更小、更高效的DC/DC 转换器和 PoL 转换器 铺平了道路。
2022-07-29 08:56:44853 
四十年来，随着功率 MOSFET 结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求保持同步，电源管理效率和成本稳步提高。然而，在新千年中，随着硅功率 MOSFET 接近其理论界限，改进速度已显着放缓
2022-08-04 11:17:55587 
越来越多的社会压力和越来越多的减少二氧化碳排放的立法正在推动从汽车到电信的行业投资于更高效的电力转换和增加电气化。传统的硅基功率半导体技术如绝缘栅双极晶体管（IGBT）在工作频率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161078 
分立式 GaN 解决方案的速度无疑比硅等效方案更快。使用数字控制，它们可以变得更加高效和小巧。编程以及相关固件消除了许多设计瓶颈。
2022-08-05 08:05:08569 
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应用示例，展示 GaN 器件如何在超过 600 伏的电压下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿
2022-09-19 09:33:211670 GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计
2023-01-30 14:17:44556 白皮书：高效转换的 GaN 需求（日语）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 20:14:590 白皮书：功率GaN技术：高效率转换的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技术：高效功率转换的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮书：功率 GaN 技术：高效功率转换的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41963 
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25660 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44544 满足高功率应用与高效电池隔离需求的解决方案
2023-11-30 10:11:20203 
电源散热技术，都有助于实现电源从组件到系统的全方位突破。因此，基于GaN功率器件来研究高频、高效和轻量化的宇航电源，将引导新一代宇航电源产品实现性能参数的巨大飞跃，
2024-01-05 17:59:04272 
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