AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是种光纤宽带GaAs MMIC功率放大器。具备25dB的小信号增益值，在8V偏置电压下，在8到11GHz频率段上的输出功率>
2024-02-27 09:25:49
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款宽带GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
AMCOM的AM09012541WM-B-XX是款宽带GaAs MMIC功率放大器。具备25dB的小信号增益值，在8V偏置电压和5%脉冲运作下，在8至11GHz频段中具备42dBm的输出功率。由于
2024-03-04 09:49:08
QPA4563C增益单元放大器产品介绍QPA4563C报价QPA4563C代理QPA4563C咨询热线QPA4563C现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司QPA4563C是一种高性能的SiGe
2018-07-20 09:45:43
产品。最小的RF/微波放大器是单片微波集成电路(MMIC)器件。这类器件经常被用作增益模块，来补偿系统和电路中无源信号的损失。提供MMIC放大器芯片和带封装的MMIC放大器模块的公司很多，包括安捷伦
2019-07-08 07:50:49
功率放大器基本电路特点是什么？如何去改进功率放大器的基本电路？如何去完善功率放大器实用电路？
2021-06-08 06:37:08
有时需要在有较大共模信号的情况下测量小信号。在这类应用中，通常使用两个或三个运算放大器的集成仪表放大器。尽管仪表放大器具有出色的共模抑制比(CMRR)，但价格因素,性能指标阻碍了其在此类应用中
2019-07-24 06:36:28
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（ MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。
2021-04-06 08:32:23
参数和环境条件的监控以及系统故障保护。这些高功率系统产生大量热量，这会对放大器性能和平均故障间隔时间（MTBF）产生影响。这些系统所需的RF放大器MMIC很昂贵;]今天的半导体RF放大器的复杂性
2018-12-20 18:24:06
运算放大器有反相放大器和正向放大器，性能有什么差别，有什么不同的应用？
2019-03-26 07:55:24
反馈的基本概念反馈的分类负反馈放大器的框图及一般表达式负反馈对放大器性能的影响负反馈放大器的四种组态深度负反馈对放大电路的近似计算负反馈放大器自激振荡及消除方法
2021-02-24 06:56:35
本文首先阐述了输入失调电压对运算放大器性能的影响，以及零漂移、斩波稳定运算放大器与通用运算放大器在性能上的差异。
2021-06-17 10:12:33
运算放大器常见指标及特点
2021-03-16 11:45:39
凌力尔特推出运用SiGe 工艺的运算放大器系列
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出运算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，该系列器件运用一种节省功率的 SiGe
2009-11-13 09:16:39
775 轨至轨运算放大器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出运算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，该系列器件运用一种节省功率的 SiGe 工艺，实现了 180MHz 增益带
2009-11-13 09:37:141180 仪表放大器的特点和电路设计原理
仪表放大器的特点
高共模抑制比
共模
2010-03-10 16:54:403122 SGA4286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:19:00
1 SGA3386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 RFMD的SGC-6289Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置网络的达林顿结构。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC-6289Z被设计成直接从5V电源
2018-09-13 11:19:007 SGA6389Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 SGA6386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-13 11:19:004 SGA4286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 该SGA6586Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA5589Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA3286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物
2018-09-12 11:25:004 SGA2486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 SGA2486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-12 11:25:009 SGA3363Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物
2018-09-11 11:25:001 SGA3263Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3363Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4186Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 该SGA3463Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4263Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3586Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-11 11:25:005 SGA789Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-10 11:25:007 RFDD的SGB-223是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置与有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGB-2233被设计成直接从3V到5V电源运行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC2363Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用达林顿结构，具有专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC2363Z设计成直接从3V电源运行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC4363Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC4363Z设计成直接从3V电源运行
2018-09-10 11:25:0010 RFMD的SGC4463Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC4463Z被设计成直接从3V电源运行
2018-09-10 11:25:005 RFMD的SGC4263Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。与典型的达林顿放大器相比，SGC4263Z
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGC4563Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC4563Z设计成直接从3V电源运行
2018-09-07 11:25:002 RFMD的SGC-6289Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置网络的达林顿结构。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC-6289Z被设计成直接从5V电源
2018-09-07 11:25:002 RFDD的SGC4486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置与专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。设计用于直接从3V电源，SGC448 6Z
2018-09-07 11:25:003 RFDD的SGC-6489Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置与有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。设计成直接从5V电源运行，与传统的达林顿
2018-09-07 11:25:0012 RFMD的SGC6389Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用达林顿结构，具有专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC-6389Z被设计成直接从5V电源
2018-09-07 11:25:009 SGA6286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 SGA6389Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:001 SGA6486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:009 SGA6386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:000 SGA6589Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 该SGA6586Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:006 SGA6489Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-07 11:25:005 RFMD的SGC2363Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用达林顿结构，具有专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。SGC2363Z设计成直接从3V电源运行
2018-09-07 11:25:001 SGA6489Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-06 11:25:005 SGA6289Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-06 11:25:004 SGA0363Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。只有两个直流阻断电容器，一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈所需的操作。
2018-07-25 11:25:511 SGA0163Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。只有两个直流阻断电容器，一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈所需的操作。
2018-09-05 11:25:001 SGA2263Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2163Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA2463Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:001 SGA2286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA2363Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2186Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA4363Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:007 SGA2386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:009 SGA4486Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:000 该SGA4463Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:0012 SGA4386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 该SGA4586Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:0011 SGA5286Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5289Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 该SGA4563Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 SGA5389Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA5386Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-07-25 11:25:553 SGA586Z是一种高性能的SiGe (异质结双极晶体管)HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-04 11:25:007 SGA5586Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-03 11:25:0012 SGA589Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-09-03 11:25:0010 QPA4463A是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供高FT和出色的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个DC阻塞电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-08-29 11:26:002 RFMD的CGA-3318Z是一种高性能硅锗HBT MMIC放大器。设计具有优异的线性度的SiGe工艺技术在一个特殊的价格。达林顿配置用于宽带性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电
2018-08-27 11:26:001 QPA4263A是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供高FT和出色的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个DC阻塞电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-08-20 11:27:0011 QPA4363A是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供高FT和出色的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个DC阻塞电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-08-20 11:27:001 QPA789A是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供高FT和出色的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个DC阻塞电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-08-20 11:27:003 RFMD的SGB-2233是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置与有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。设计成直接从3VTO 5V电源运行，SGB-223不需要典型的达林顿放大器的降压电阻器。
2018-07-27 11:30:0012 SGA5263Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-07-26 11:30:007 RFDD的SGC2463Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用达林顿配置与专利有源偏置网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过温度和处理β变化。设计成直接从3V电源运行，与典型的达林顿
2018-07-26 11:30:004 SGA789Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-07-26 11:30:0012 SGA6589Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-07-26 11:30:008 SGA3563Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的FT和优异的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。仅需要两个直流阻断电容器、一个偏置电阻和一个可选的射频扼流圈。
2018-07-26 11:30:0011 关键词： RF MMIC , 高功率放大器 , 射频模块 , ASB 世强与领先的MMIC电路和射频模块的设计和生产商——ASB签约，进一步扩充RF MMIC、高功率放大器、射频模块等产品线，为通信
2019-02-27 09:08:01405 Custom MMIC功率放大器适用于C，X，K，Ku和Ka频率段设计的GaN和GaAs rf射频功率放大器MMIC。 通常情况下，Custom MMIC最先进性的RF/微波射频系统设计和子组件
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2020-11-03 15:27:53344 Custom MMIC驱动器放大器的设计是为了在发射机链中的最终功率放大器之前为增益级提供良好的线性或效率性能。CustomMMIC驱动器放大器使用诸如InGaPHBT、功率PHEMT
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2023-09-04 16:52:145947
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