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电子发烧友网 > 存储技术 > 业界新闻

存储技术

JEDEC 发布通用闪存标准 (UFS)2.0版

9月18日讯 – 微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会今天发布通用闪存(UFS)标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

2013-09-23 标签:闪存JEDEC主机控制器 3842

采用CFast 2.0技术的储存卡速度达450MB/s

在CompactFlash Association技术正式发布的一年之后,SanDisk为我们带来了采用全新的CFast 2.0技术的储存卡。

2013-09-16 标签:SanDiskCFast 2.0技术4K视频USB 3.0接口 2499

Altera的FPGA与Micron混合内存立方实现互操作,...

Altera的FPGA与Micron混合内存立方实现互操作,共同引领业界...

2013-09-05 标签:FPGAAlteraMicron 969

3D垂直NAND闪存 轻松提升SSD容量

最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。

2013-08-29 标签:NAND闪存SSD容量3D垂直闪存NAND存储芯片 2107

Fusion-io展示视觉特效中数据传输最新突破 接近12G...

日前,Fusion-io使用SIGGRAPH向大家展示了其在视觉特效制作中数据传输上的最新突破。在目前的Fusion-io VFX传输路径中,数据总量为192TB,因为混合存储系统中老式的机械磁盘的缘故,一开始如此多的数据移动相当缓慢,但通过InfiniBand网络,与设备齐全的ioFX工作站直连的ioTurbine缓存系统可以很快地提升传输速度。

2013-08-19 标签:Fusion-io混合存储系统 829

QLogic为IBM提供第五代FC适配器

企业想获得最佳应用性能,最好的办法就是提供“均衡的硬件平台”,高负载虚拟化服务器上不断增长积累的I/O需求,成为I/O性能瓶颈。IBM发布配备QLogic第五代FC技术的IBM Flex FC5172双端口16Gb FC适配器,除了提供2倍吞吐量以外,更提高了IOPS、邮件服务器、交易处理和web服务应用性能与响应时间。

2013-08-15 标签:IBMQLogicFC适配器 1105

三星推首款3D垂直NAND闪存技术SSD

一周之前,三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间,同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。

2013-08-15 标签:三星电子SSD闪存技术3D垂直NAND 1246

QLogic FabricCache适配器获多家知名分析公司...

Fabric Cache作为存储行业首个高速缓存SAN适配器,开辟了一个企业SAN应用性能加速的新时代。Fabric Cache配合高性能PCIe闪存卡和QLogic市场领先的FC适配器,构建了一个非常简单、经济和共享的高速缓存解决方案。

2013-08-05 标签:适配器SSDQLogic 675

苹果盯上汽车驾驶个性化设置数据存储市场

美国专利商标局(USPTO)周四公布的一则苹果专利申请内容显示,苹果正试图使其移动设备进入汽车驾驶个性化设置数据存储市场,此类设置资料存储也可用于家居等环境当中。

2013-08-02 标签:汽车电子苹果数据存储iOS平台 636

300GB容量的光碟将于2015年面世

据国外媒体报道,索尼和松下坚信光盘仍有未来,两家公司将共同开发全新的下一代光盘标准格式,单张碟片能够存储至少300GB的内容。

2013-07-30 标签:索尼松下存储300GB光盘 1110

华为存储的期末成绩:出人意料的好

一年过去,华为存储“期末考试”的成绩出人意料的好。分析机构Gartner在2013年第一季度所发布的全球存储市场份额报告显示,华为存储在中国区发货套数超过惠普与戴尔位居第一;中国区外部存储系统发货容量位居第二,超过IBM;中国区销售收入紧随EMC与IBM,屈居第三——在紧逼IBM、惠普、戴尔、EMC等国际供应商的同时——华为存储已经把诸多国内竞争对手甩在身后。

2013-07-30 标签:存储系统PCIeHCC华为存储自研 4545

三星量产全球速度最快嵌入式存储芯片

7月28日消息,三星上周五表示,公司已量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这将是全球速度最快的嵌入式存储芯片。三星将提供16GB、32GB、64GB三种规格的产品。

2013-07-29 标签:嵌入式三星电子eMMC 961

DRAM价跳增!SK hynix营益远优

全球第二大存储器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季(4-6月)财报:拜DRAM价格持续上扬、产品组合改善之赐,净利达9,460亿韩元(1.59亿美元),远优于去年同期的净损533 亿韩元;营收年增49.4%至3.93兆韩元;营益为1.11兆韩元,远高于去年同期的区区52亿韩元。根据Thomson Reuters调查,分析师原本预期该公司Q2营益、营收将达9160亿韩元、3.6兆韩元。

2013-07-26 标签:DRAMNAND FlashSK hynix 687

SanDisk:3D NAND闪存开始出击

7月24日国外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。

2013-07-25 标签:闪存3D NANDSandDisk 1034

存储厂商紧罗密布 谁将是SSD市场的最终赢家

SSD市场上的整合运动仍在继续,不管是在企业级市场还是消费级市场,SSD厂商都在紧张的进行着自己的闪存改革。至于这个市场上谁是最后的大赢家,有人说是闪存控制器厂商,而我更倾向于闪存的制造商。另外一些存储巨头如西部数据、希捷和LSI也会在SSD市场上有很大的份额。

2013-07-23 标签:闪存闪存控制器SSD市场 1177

SanDisk与东芝将联合开发可重复写入的3D内存

闪存芯片厂商SanDisk在周二提交给美国证券交易委员会的一份文件中披露,它已经与东芝展开合作,联合开发和生产可重复写入的3D内存。

2013-07-22 标签:东芝NAND闪存Sandisk3D内存 862

三星首推NVMe SSD,引领固态硬盘大众化时代

今年的“三星SSD全球峰会”,引起了世界各国媒体的关注。三星电子以“固态硬盘大众化时代”为主题,对逐渐取代传统硬盘并呈现良好增长势头的固态硬盘的未来发展前景做出了新的展望。

2013-07-22 标签:三星电子SSD固态硬盘 919

调研机构:需求力道趋缓,7月上旬NAND Flash价格持平

根据全球市场研究机构 TrendForce 旗下存储器储存事业处 DRAMeXchange 调查显示, 7月上旬OEM和通路端需求力道同时趋缓, NAND Flash 合约价持平开出。

2013-07-19 标签:NAND Flash 571

布局3D NAND技术 SanDisk与东芝合力扩建Fab ...

SanDisk于日前表示,正与东芝(Toshiba)合力扩建位于日本三重县四日市的五号半导体制造工厂(Fab 5)第二期工程,并共同展开3D NAND记忆体技术的研发,为2D NAND Flash记忆体制程将于10奈米(nm)节点面临微缩瓶颈,预做准备。

2013-07-16 标签:东芝SanDisk3D NAND 1001

英特尔以四磁盘RAID5阵列进网络存储市场

即使有几千亿美元总资产的Intel也需要寻找新的发展道路。在过去的几年里,这位巨人已经认清自己,并打算以提供全面的硬件平台解决方案来吸引更多的顾客。通常这种方法使得复杂技术更容易在市场上得到青睐。作为一种利好的周边效应,公司也可以在同一时期内销售更多的芯片。这也给Intel带来试探新商机的机会,例如网络储存-一个极具发展潜力的方向。

2013-07-15 标签:英特尔RAID5SS4000-E 1189

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