华虹无锡集成电路研发和制造基地一期建设项目首批三台光刻机搬入 预计将于9月进行试生产

2019年6月6日，华虹无锡集成电路研发和制造基地（一期）12 英寸生产线建设项目首批三台光刻机搬入仪式举行。光刻设备的搬入标志着华虹无锡基地项目建设进入新的里程，整个项目也随即达到新高度。

华虹半导体新任总裁唐均君表示，目前，有关12英寸的工艺研发、工程、销售和市场团队正在紧锣密鼓开发新产产品，为12英寸晶圆生产线的初始量产做好准备。华虹无锡基础一期截止6月5日已经搬入35台设备，其中25台已经完成安装调试，预计将于9月进行试生产，12月形成量产能力。

根据此前官方介绍，华虹无锡项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期投资25亿美元，新建一条工艺等级90～65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。

该项目于2018年3月正式开工建设，计划将于2019年上半年完成土建施工，下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。自开建以来，华虹无锡项目一直加速前进，主要工程节点均提前完成。

今年3月，华虹半导体在其年报上表示，华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶，预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设，下半年开始搬入设备，并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

据悉，为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量，华虹半导体在2018年启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发，预计2019年下半年开始导入客户，同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元，功能验证已通过，为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。