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台积电狂砸310亿元奔向3nm工艺

dKBf_eetop_1 来源:未知 作者:胡薇 2018-08-17 16:45 次阅读
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8月14日,台积电召开董事会,做出多项重大决议,首要的就是投入巨额资金,继续推进产能和工艺,保持领先地位。

台积电已经核准资本预算约13643796万新台币(约合人民币310亿元),将用于:

1、兴建新的工厂厂房;

2、建设、扩充、升级先进工艺产能;

3、将逻辑工艺产能转换为特殊工艺产能;

4、将成熟工艺产能转换为特殊工艺产能;

5、扩充、升级特殊工艺产能;

6、扩充先进封装工艺产能;

7、2018年第四季度研发资本预算与经常性资本预算。

同时,台积电任命黄汉森博士为技术研究(Corporate Research)主管,其拥有美国利哈伊大学(Lehigh University)电气工程学博士学位,曾在IBM半导体部门工作达16年。

目前,台积电已经开始量产7nm工艺,大客户包括苹果、高通、华为、AMD、NVIDIA等等,并在明年升级加入部分EUV极紫外光刻技术,而到了后年,台积电将投产5nm,并全面普及EUV。

看这意思,台积电已经是奔着3nm工艺而去了。

很显然,无论三星还是Intel,在台积电面前都已经追赶不及,联电这样的代工老字号甚至都不得不放弃了12nm以下先进工艺。

另外,台积电还核准对设立在英属维京群岛的全资子公司TSMC Global Ltd.增至不超过20亿美元,以降低外汇避险成本。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:进击的台积电!狂砸310亿元:建设新厂、开发新工艺,奔向3纳米

文章出处:【微信号:eetop-1,微信公众号:EETOP】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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