三星860QVO评测 读写速度和市面上主流的SATA3接口TLC固态硬盘基本相当

39度创意研究所 2019-09-15 13:54 次阅读

与传统的机械硬盘相比,固态硬盘有着速度快、重量轻、功耗低等优点,可谓是当下装机中的必需品。虽然固态硬盘的优势很多,但缺点也不少,例如“容量低”和“价格高”就是阻碍固态硬盘进一步普及的原因,很多用户在有限的预算下为了兼顾速度和大容量存储,只能选择小容量固态硬盘于机械硬盘组合搭配的折中方案。

多年来的闪存颗粒的演变致力于平衡这个问题,从早期的Single-Level Cell颗粒(以下简称SLC)、到Multi-Level Cell颗粒(以下简称MLC),再到现在的主流Trinary-Level Cell颗粒(以下简称TLC),闪存颗粒中每个Cell所存储的bit数量越来越大,每GB的价格也越来越低。当然这也有副作用,更繁琐的寻址会加速颗粒老化和同容量下更低的性能,所以每次新一代闪存颗粒面世时都会引起广大用户的争论。

三星860QVO评测 读写速度和市面上主流的SATA3接口TLC固态硬盘基本相当

当市场中“TLC党”和“MLC党”还在争论的时候,三星存储发布了一款2.5英寸SATA接口的860 QVO固态硬盘,这是三星首款QLC颗粒的消费级固态硬盘,直接1TB起步、另有2TB和4TB可选,官方宣传持续读取速度高达550MB/s,持续写入速度520MB/s,4K随机读写(QD32)性能达到96K和86K IOPS,兼顾大容量与高性能。下面我们就通过几项测试来看看这款产品的实际体验如何!

一.外观赏析和机身拆解

三星860QVO的外包装和860EVO相似,延续了简洁、大气的设计风格。QVO的产品后缀则表明了这是一款采用QLC颗粒的产品。

硬盘外壳由全金属打造,表面经过了磨砂处理,非常具有质感。

标准的SATA3接口和电源供电接口。

拆开外壳,我们可以看到硬盘内部,860QVO的PCB板可以用“短小精悍”来形容。

主控、NAND闪存颗粒和缓存焊在了PCB板正面。

一颗64层堆叠的4bit QLC NAND芯片,容量为1TB,质保寿命为3年或360TBW,约为860EVO的一半,从理论上来讲应付日常使用绰绰有余。

影响固态硬盘性能的除了闪存颗粒以外,主控也非常重要。三星860QVO采用了和860EVO同款的MJX主控,这款主控饱受市场考验,稳定性和性能都有保障。

1GB LPDDR4缓存,用于辅助提高读写速度。

背部的PCB预留了一个空焊位,2TB版本的860QVO会在1TB版的基础上多一颗64层堆叠的4bit QLC NAND芯片。

二.测试平台介绍

进行硬盘性能测试前,先简单介绍一下测试平台的软硬件。

Intel 酷睿i9-9900K搭配了华硕ROG MAXIMUS XI GENE使用,华硕ROG MAXIMUS XI GENE采用Z390芯片组,10相CPU核心供电和2相Uncore供电,并拥有极强的拓展性,可以说是近些年来最为豪华的mATX规格主板了。

英伟达公版RTX 2080显卡:

内存方面选择了两条芝奇幻光戟DDR4-3200 8GB C14组成双通道,较高的频率和极低的时序使其无论是写入性能、读取性能、还是内存延迟表现都非常不错。

测试平台一览:

测试前先安装最新版本的SANSUNG Magician Software,检查硬盘信息、确认已开启ACHI模式,并将固件更新至最新版本。

三.基准性能测试

首先使用CrystalDiskInfo检测硬盘的使用状态,可以看到三星860QVO虽然是面向中端用户的低价产品,但S.M.A.R.T、NCQ、TRIM、DevSleep等技术都被保留了下来,这值得肯定。

使用官方软件SANSUNG Magician Software进行测试,顺序读取速度为559MB/s、顺序写入速度528MB/s;随机读取94K IOPS、随机写入86K IOPS。

在AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark两项常规的硬盘测试软件中,三星860QVO的读取和写入速度都能达到500MB/s左右,4K读写稳定在300MB/s以上,和官方宣传数据基本一致,也与SATA接口TLC颗粒的固态硬盘处于同一个水平线上。

在ATTO Disk Benchmark测试中,860QVO的最大读取速度为561MB/s、最大写入速度为528MB/s,同样非常出色。

另一项测试TxBench中,860QVO的顺序读取速度达到了561MB/s、顺序写入最大值为531MB/s;4K QD32读写速度也达到了363MB/s和345MB/s。

四.大容量持续读写测试

为了进一步检测三星860QVO的性能,我们使用HD TUNE对其进行全盘写入压力测试。可以看到,在空盘状态下三星860QVO的写入速度能稳定在330MB/s以上,证明了:当写入文件大小没有超出SLC缓存时成绩非常不错。

但写入过半后,三星860QVO的成绩断崖式下跌到了70MB/s左右,可见在SLC缓存被写爆后、QLC颗粒的硬盘速度确实会受到显著影响。

为了进一步验证,我们在970EVO PLUS系统盘中找到了一个高达62.6GB的超大文件,并将其拷贝到860QVO中。通过Windows10自带的资源管理器,我们可以看到在前40GB时,平均复制速度高达450MB/s,但后期的复制速度也出现了显著的下降。

五.总结

从我们的测试中可以看到,三星860QVO的缓内读写速度都非常不错,达到了官方宣传的水平,并和市面上主流的SATA3接口TLC固态硬盘基本相当。

当数据写入量超出SLC缓存后,硬盘性能会下降很多,但鉴于大部分用户并不会经常做超大文件读写,所以三星860QVO面对日常的办公和游戏还是毫无压力的。

另外,价格低也是它的突出卖点,作为国际一线存储厂商推出的原片固态,三星860QVO的1TB版价格仅需769元,比860EVO 1TB版便宜300元左右(参考京东自营旗舰店),折合下来1GB不到0.8元。对于那些使用PC做轻度办公、或想给老电脑升级的用户来说,三星860QVO在较低的价格下提供了远超机械硬盘的性能,是非常理想的购买选择。

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