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电子发烧友网>存储技术>东芝PK三星 正式推出96层3D NAND旗舰产品XG6

东芝PK三星 正式推出96层3D NAND旗舰产品XG6

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三星#旗舰手机的生产之路

三星手机技术
jf_97106930发布于 2022-08-27 16:43:33

存储器大厂宣布将推 96 层堆栈的 QLC 快闪存储器,性能获重大提升

储器是新产品,普及还要一段时间,目前 3D TLC 快闪存储器如何发展,依然是关键。24 日,东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘,是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发,读取
2018-07-26 18:01:002026

963D NAND 2019年量产或有希望,对应的解决方案已经就绪

为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代,展望2019年,三星(Samsung)、东芝
2018-06-11 09:16:004450

东芝在Q4扩大963D NAND产品出货量,各家原厂在96层和QLC技术上的竞争愈发激烈

随着原厂3D技术的快速发展,2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈,其中,三星已在7月份宣布量产963D NAND。据DIGITIMES报道称,东芝存储器(TMC)963D NAND将在Q4扩大出货,代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161227

英特尔与美光64层3D NAND备受关注,或将激化原厂争夺963D NAND技术

上周,美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)容量更大,使得单颗Die容量可高达1Tb,备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462115

东芝推出基于963D NAND闪存的第一款SSD

新一代东芝XG6是针对OEM市场的XG5消费级NVMe SSD的更新。
2018-08-28 14:19:035901

东芝宣布在存储龙头三星电子之前 研发出963D NAND flash存储

东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界,宣布抢在存储龙头三星电子之前,研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性,指称东芝可能为了出售存储部门,蓄意放出消息、操弄媒体。
2018-11-05 16:47:201507

3D NAND技术的转换促进产业洗牌战 三星/英特尔/东芝各有应对招数

NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后,正式转进3D NAND Flash时代,目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:571684

3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:47991

LiteOn推出采用东芝64层3D NAND最新SSD

近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:373673

东芝推出XG6-P固态硬盘系列 XG6-P系列最高存储容量[2]可达2,048GB

东芝存储器株式会社宣布推出XG6-P固态硬盘(SSD)系列,该系列为公司XG6系列的衍生系列。XG6-P系列最高存储容量[2]可达2,048GB,与其上一代产品相比,其顺序写入带宽高30%以上
2019-06-05 14:34:487546

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744

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