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电子发烧友网>存储技术>MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局(上)

MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局(上)

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鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫,如磁阻式随机存取内存MRAM)这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838

杀手锏!台积电开发SOT-MRAM阵列芯片

台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展,成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线,并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044839

台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗极低

台积电近日宣布,与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,该芯片具有极低的功耗,仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破
2024-01-22 15:44:472346

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